索引源数据

Люминесценция оксидных пленок, полученных молекулярным наслаиванием

Dublin Core PKP源数据项目 这个文档的源数据
1. 标题 文档的标题 Люминесценция оксидных пленок, полученных молекулярным наслаиванием
2. 创建者 作者姓名，工作单位，国家 А. Барабан; Санкт-Петербургский государственный университет; 俄罗斯联邦
2. 创建者 作者姓名，工作单位，国家 В. Дмитриев; Санкт-Петербургский государственный университет; 俄罗斯联邦
2. 创建者 作者姓名，工作单位，国家 А. Дрозд; Санкт-Петербургский государственный университет; 俄罗斯联邦
2. 创建者 作者姓名，工作单位，国家 Ю. Петров; Санкт-Петербургский государственный университет; 俄罗斯联邦
2. 创建者 作者姓名，工作单位，国家 Ю. Петров; Санкт-Петербургский государственный университет; 俄罗斯联邦
2. 创建者 作者姓名，工作单位，国家 И. Габис; Санкт-Петербургский государственный университет; 俄罗斯联邦
2. 创建者 作者姓名，工作单位，国家 А. Селиванов; Санкт-Петербургский государственный университет; 俄罗斯联邦
3. 主题 学科
3. 主题 关键词
4. 描述 摘要

Показаны возможности метода люминесценции при исследовании структур Si–оксид и Si–SiO2–оксид. Предложена модель электронного строения слоев Ta2O5 и TiO2, позволяющая объяснить вид спектрального распределения люминесценции независимо от способа ее возбуждения. Сопоставление спектров люминесценции одиночных оксидных слоев со спектром структур Si–SiO2–оксид позволило сделать заключение о процессах взаимодействия между слоями при формировании слоистой структуры и оценить ширину запрещенной зоны: Ta2O5 – 4.4 эВ, TiO2 – 3.3 эВ. Формирование Ta2O5 на поверхности SiO2 приводило к трансформации в приповерхностной области SiO2, проявляющейся в уменьшении интенсивности полосы люминесценции 1.9 эВ, и образованию дефектов – центров люминесценции в области 3 эВ. Синтез TiO2 на поверхности SiO2 не сопровождался изменениями в спектрах люминесценции.
5. 出版商 组织机构，地点 The Russian Academy of Sciences
6. 合作者 主管
7. 日期 (YYYY-MM-DD) 15.02.2024
8. 类型 现状与流派 同行评议的文章
8. 类型 类型 来源文章
9. 格式 文件格式
10. 识别码 环球资源指标 https://journals.eco-vector.com/0023-4761/article/view/673248
10. 识别码 Digital Object Identifier (DOI) 10.31857/S0023476124010163
10. 识别码 eLIBRARY Document Number (EDN) sjjrpn
11. 源 期刊/会议标题 ; 卷., 期. (年) Kristallografiâ; 卷 69, 编号 1 (2024)
12. 语言 English=en ru
13. 关系 补充文件 Fig. 1. Spectra of EL (1), CL at an excitation energy of 5 keV and a beam current of 5 nA (2), FL at an excitation energy of 4.1 eV (3) and FL excitation in the region of 2.8 eV (4) of Si–Ta2O5 (100 nm) structures (a). An example of an approximation of the EL spectrum, the band numbers correspond to the numbers in Table 1 (b). (34KB)
Fig. 2. Spectra of CL structures: Si–Ta2O5 (1), Si–SiO2 (2) and Si–SiO2–Ta2O5 (3) obtained at a beam energy of 5 keV. The beam current is 5 nA. The model spectrum is 4. Layer thicknesses: Ta2O5 – 100, SiO2 – 50 nm. (21KB)
Рис. 3. Спектры структур Si–TiO2: КЛ (5 КэВ, 5 нА): исходный спектр (1), после предварительной электроформовки структуры (2), разность спектров (1 и 2, 3); спектр ФЛ при возбуждении в полосе 275 нм (4.5 эВ) (4). (19KB)
Fig. 4. Spectra of CL (5 keV, 5 nA) structures: Si–TiO2 (1), Si–SiO2–TiO2 (2), Si–SiO2 (3), sum of spectra (4), Si–SiO2–TiO2 after electroforming (mod) (5). Thicknesses: TiO2 – 28, SiO2 – 40 nm. (25KB)
Fig. 5. The electronic structure of the oxide layers Si–Ta2O5 (a) and Si–TiO2 (b). (33KB)
Fig. 6. The calculated transmission coefficient of the TiO2 layer (layer thickness 28 nm) based on CL measurements (1) and the reflection spectrum of the Si–TiO2 structure (18 nm) (2). (17KB)
14. 范围 地理位置、年代时期、调查样本（性别、年纪等等）
15. 权力 版权及权限 版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024