Journal of Communications Technology and ElectronicsJournal of Communications Technology and ElectronicsРадиотехника и электроника0033-84943034-5901The Russian Academy of Sciences68412210.31857/S0033849425010071HJHWKGPHYSICAL PROCESSES IN ELECTRONIC DEVICESФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХResearch ArticleChanges in the intrinsic stimulated intense picosecond emission of the AlxGa1–xAs-GaAs-AlxGa1–xAs heterostructure due to the return of those part of the emission that was reflected from the end of the heterostructure to the active regionИзменения собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры AlxGa1–xAs-GaAs-AlxGa1–xAs из-за возвращения в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излученияAgeevaN. N.АгееваН. Н.
Russian Federation
bil@cplire.ruBronevoiI. L.БроневойИ. Л.
Russian Federation
bil@cplire.ruKrivonosovA. N.КривоносовА. Н.
Russian Federation
bil@cplire.ruKotel’nikov Institute of Radioengeneering and Electronics RASИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН17012025701657213062025Copyright ©; 2025, Russian Academy of SciencesCopyright ©; 2025, Российская академия наук2025Russian Academy of SciencesРоссийская академия наукhttps://journals.eco-vector.com/0033-8494/article/view/684122

Quenching of the generation of the intrinsic stimulated intense picosecond emission of the AlxGa1–xAs-GaAs-AlxGa1–xAs heterostructure, emerging from its end, has been detected. Quenching occurs when those part of the emission reflected from the end of the heterostructure returns to the active region. This new effect allows decreasing the emission duration by up to 7.5 times.

Обнаружено гашение генерации собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры AlxGa1–xAs-GaAs-AlxGa1–xAs, выходящего из ее торца. Гашение происходит при возвращении в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения. Этот новый эффект позволяет уменьшать длительность излучения вплоть до 7.5 раз.

Nonlinear dynamicsstimulated picosecond emissionquenching of emission generationheterostructuredistributed Bragg reflectorphotonic crystalreduction of emission durationнелинейная динамикастимулированное пикосекундное излучениегашение генерации излучениягетероструктурараспределенный брэгговский отражательфотонный кристаллсокращение длительности излученияПравительство РФGovernment of the Russian FederationАгеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // ЖЭТФ. 2022. Т. 162. № 6. С. 1018.Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // РЭ. 2023. Т. 68. № 3. С. 211.Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // РЭ. 2024. Т. 69. № 2. С. 187.Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // РЭ. 2024. Т. 69. № 7. С. 678.Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2017. Т. 51. № 5. С. 594.Joannopoulos J.D., Johnson S.G., Meade R.D., Winn J.N. Photonic Crystals: Molding the Flow of Light. Princeton: Univ. Press, 2011.Marple D.T.F. // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. № 4. P. 1241.Ривлин Л.А. Динамика излучения полупроводниковых квантовых генераторов. М.: Сов. радио, 1976.Шен И.Р. Принципы нелинейной оптики. М.: Наука, 1989.Калафати Ю.Д., Кокин В.А. // ЖЭТФ. 1991. Т. 99. № 6. С. 1793.