Доклады Академии наукДоклады Академии наук0869-5652The Russian Academy of Sciences1772210.31857/S0869-56524886619-623Research ArticleNanotone spatial dissipative structures with rotational curving of the grid around three mutually perpendicular directionsМаlkovV. B.Plaksin@ihte.uran.ruShveikinG. P.<p>Academician of Russian Academy of Sciences</p>Plaksin@ihte.uran.ruPlaksinS. V.Plaksin@ihte.uran.ruPushinV. G.Plaksin@ihte.uran.ruМаlkovА. V.Plaksin@ihte.uran.ruМаlkovО. V.Plaksin@ihte.uran.ruShulginB. V.Plaksin@ihte.uran.ruInstitute of High Temperature Electrochemistry of the Ural Branch of the Russian Academy of SciencesInstitute of Solid State Chemistry of the Ural Branch of the Russian Academy of SciencesM.N. Mikheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of the Russian Academy of SciencesZAO NPTs ROSNAUral Federal University3010201948866196231211201912112019Copyright © 2019, Russian academy of sciences2019<p>Transmission electron microscopy and microdiffraction have been used to investigate nanothin spatial dissipative structures (SDS) obtained by thermogradient processing of an amorphous selenium film by one-sided heating of its lower surface at <em>T</em> = 413 K. It has been established that the obtained nanothin SDS of hexagonal selenium possess a specific curved habit and a nonlinear fan-shaped system of bending contours in their electron-microscopic image; the lattice of nanothin SDS undergoes an elastic-plastic rotational curvature around three mutually perpendicular directions; the lattice rotation angles of nanothin SDS hexagonal selenium reach: around [001], 25, around the direction perpendicular to [001] and lying in the plane of the amorphous film 32, around the direction perpendicular to the first two and not lying in the plane of the amorphous film 35.</p>dissipative structurehexagonal seleniumlatticerotational curvatureдиссипативная структурагексагональный селенрешёткаротационное искривление[Шкловский В.А., Кузьменко В.М. // Успехи физических наук. Взрывная кристаллизация аморфных веществ. 1989. Т. 157. Вып. 2. С. 311-338.][ Патент РФ 2 637 396. Способ получения диссипативных структур. / Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Малков А.В., Пушин В.Г., Шульгин Б.В., Малков О.В., Плаксин С.В. Опубл. 04.12.2017. Бюл. № 34.][ Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Пушин В.Г., Малков А.В., Малков О.В., Шульгин Б.В. Формирование диссипативных структур в аморфной плёнке // ДАН. 2018. Т. 478. № 5. С. 543-545.][ Квеглис Л.И., Кашкин В.Б. Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках / Сибирский федеральный университет: Проспект, 2015. 204 с.][ Хирш П. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов / Пер. с англ. под ред. Л.М. Утевского. М.: Мир, 1968. 574 с.][ Патент РФ 2 534 719. Способ диагностики реальной структуры кристаллов / Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Малков А.В., Пушин В.Г., Малков О.В., Шульгин Б.В. Опубл. 10.12.2014. Бюл. № 34.][ Дамаск А., Динс Дж. Точечные дефекты в металлах / Пер. с англ. Темкина Д.Е. и Эстрина Э.И., под ред. Любова Б.Я. М.: Мир, 1966. 283 с.][ Вайнштейн Б.К., Звягин Б.Б. Об отражении в обратном пространстве симметрии обратной решетки //Кристаллография. 1963. Т. 8. Вып. 2. С. 147-157.][ Асхабов А.М. Кристаллогенезис и эволюция системы “кристалл-среда” / Отв. ред. академик РАН Н.П. Юшкин. Санкт-Петербург: Наука, 1993. 154 с.]