начальник технического отдела
The paper describes the first three stages of the silicon carbide-based integrated circuit manufacturing cycle: single crystal growth, wafer fabrication and epitaxy. An overview of current technological solutions and equipment used at these stages is presented.
В работе описываются первые три этапа технологического цикла производства микросхем на основе карбида кремния – выращивание монокристаллов, изготовление пластин и эпитаксия. Приведен обзор современных технологических решений и оборудования.