Elektronika: Nauka, Tekhnologiya, BiznesElektronika: Nauka, Tekhnologiya, BiznesЭлектроника: наука, технология, бизнес1992-41781992-4186Technosphera JSC70660210.22184/1992-4178.2026.255.3.184.188Reliability and validationНадежность и испытанияReview ArticleApplication of photon emission microscopy for quality control and failure analysis of ICsПрименение микроскопии фотонной эмиссии для контроля качества и анализа отказов интегральных микросхемPlebanovichV.ПлебановичВ.
Belarus

к.т.н.

Vpleba@planar.bySuchkovA.СучковА.
Belarus
kys@electronics.ruGrishkevichV.ГришкевичВ.
Belarus
marketing@optes.bySvetenkovaV.СветенковаВ.
Belarus
marketing@optes.byОАО «Планар»ГЦ «Белмикроанализ» НТЦОАО «Оптоэлектронные системы»2304202631841882204202622042026Copyright ©; 2026, Plebanovich V., Suchkov A., Grishkevich V., Svetenkova V.Copyright ©; 2026, Плебанович В., Сучков А., Гришкевич В., Светенкова В.2026Plebanovich V., Suchkov A., Grishkevich V., Svetenkova V.Плебанович В., Сучков А., Гришкевич В., Светенкова В.https://journals.eco-vector.com/1992-4178/about/submissionshttps://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/706602

The article presents an overview of the physical mechanisms of photon generation in semiconductor structures, describes the main operating modes of PEM systems, and describes the method’s capabilities for localizing various types of defects. Practical examples of the method’s application in microelectronics development and production are provided.

Представлен обзор физических механизмов генерации фотонов в полупроводниковых структурах, описаны основные режимы работы ФЭМ-систем и возможности метода для локализации различных типов дефектов. Приведены практические примеры применения метода в условиях разработки и производства микроэлектроники.

photon emissionmicroscopyICsPEM systemFOTON complexфотонная эмиссиямикроскопияИСФЭМ-системакомплекс ФОТОНТеоретические основы явления: Microelectronics failure analysis (7th edition), Tejinder Gandhi (p 180) Photon emission in silicon based integrated circuits.Возможные причины фотонной эмиссии (на конкретном примере) и принцип фотонной-эмиссионной микроскопии: Труды НИИСИ РАН. Т. 3. №1. Анализ дефектов интегральных микросхем с помощью фотонно-эмиссионной микроскопии (Захарченко, Орешков, Троицкий). С. 67.Chim W.K., Chan D.S.H., Phang J.C.H. Semiconductor Device and Failure Analysis: Using Photon Emission Microscopy // Wiley. 2001. 304 p.Boit C., Schlangen R., Kerst U., Lundquest T. Physical Techniques for Chip-Backside IC Debug in Nanotechnologies // IEEE Design & Test of Computers. 2008. PP. 250–257.