Photonics RussiaPhotonics RussiaФотоника1993-72962686-844XTechnosphera JSC64253510.22184/1993-7296.FROS.2024.18.7.536.538Materials and CoatingsМатериалы и покрытияResearch ArticleStudy of the absorption spectrum of surface-modified silicon within the wavelength range from 2.5 to 25 μmИсследование спектра поглощения поверхностно-модифицированного кремния в диапазоне длин волн от 2,5 до 25 мкмhttps://orcid.org/0000-0002-0887-9406GorelovD. V.ГореловД. В.
Russian Federation
journal@electronics.ruhttps://orcid.org/0009-0009-9093-3018SomovN. M.СомовН. М.
Russian Federation
journal@electronics.ruhttps://orcid.org/0009-0007-4500-1022PotapenkoI. V.ПотапенкоИ. В.
Russian Federation
journal@electronics.ruhttps://orcid.org/0000-0002-9518-1208NovikovD. V.НовиковД. В.
Russian Federation
journal@electronics.ruhttps://orcid.org/0000-0002-4204-2626AmelichevV. V.АмеличевВ. В.
Russian Federation
journal@electronics.ruResearch Institution Scientific-Manufacturing Complex “Technological Center”ФГБНУ НПК «Технологический центр»National Research University of Electronic Technology “MIET”Национальный исследовательский университет «МИЭТ»171220241875365380312202403122024Copyright ©; 2024, Gorelov D.V., Somov N.M., Potapenko I.V., Novikov D.V., Amelichev V.V.Copyright ©; 2024, Горелов Д.В., Сомов Н.М., Потапенко И.В., Новиков Д.В., Амеличев В.В.2024Gorelov D.V., Somov N.M., Potapenko I.V., Novikov D.V., Amelichev V.V.Горелов Д.В., Сомов Н.М., Потапенко И.В., Новиков Д.В., Амеличев В.В.https://journals.eco-vector.com/1993-7296/article/view/642535

The optimization results of the generation technology for the modified absorption silicon surfaces are provided that allows to improve the spectral characteristics of devices obtained on its basis: radiation cooling devices, IR sources and sensors.

Представлены результаты отработки технологии формирования модифицированных поглощающих поверхностей кремния, позволяющей улучшить спектральные характеристики приборов, создаваемых на его основе: устройств радиационного охлаждения, источников и датчиков ИК-излучения.

silicon surface modificationplasma-chemical etchingoptical absorptionIR rangeмодификация поверхности кремнияплазмохимическое травлениеоптическое поглощениеИК-диапазонThis article was prepared with the financial support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation as a part of the implementation of research project FNRM-2022-0009.Статья подготовлена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках выполнения НИР FNRM-2022-0009.Nguyen V. T. H. et al. On the formation of black silicon in SF6-O2 plasma: The clear, oxidize, remove, and etch (CORE) sequence and black silicon on demand. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2020; 38(4).Atteia F. et al. Morphologies and optical properties of black silicon by room temperature reactive ion etching. Materials Research Bulletin. 2020; 131: 110973.Chai J. Y. H., Wong B. T., Juodkazis S. Black-silicon-assisted photovoltaic cells for better conversion efficiencies: a review on recent research and development efforts. Materials Today Energy. 2020; 18: 100539.Tan Q. et al. Nano-fabrication methods and novel applications of black silicon. Sensors and Actuators A: Physical. 2019; 295: 560–573.Liu W. et al. CMOS MEMS infrared source based on black silicon. 2016 IEEE 11th Annual International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (NEMS). IEEE. 2016: 200–204.Sarkar S. et al. Black silicon revisited as an ultrabroadband perfect infrared absorber over 20 μm wavelength range. Advanced Photonics Research. 2023; 4.(2):2200223.