Cand. Sci. (Phys. and Math.), Associate Professor, Associate Professor at the Department of Higher Mathematics, Head of the joint Research Laboratory of Mathematical Physics NIL-319
кандидат физико-математических наук, доцент, доцент кафедры высшей математики, доцент кафедры общей и теоретической физики, заведующий совместной с Российской академией наук научно-исследовательской лабораторией математической физики НИЛ-319
student
студент
Doct. Sci. (Phys. and Math.), chief researcher
доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник
Cand. Sci. (Eng.), associate professor at the Department of Solid-State Physics and Nonequilibrium Systems
кандидат технических наук, доцент кафедры физики твердого тела и неравновесных систем
lecturer
преподаватель кафедры высшей математики
The concept, model, and examples of activated nanoscale heterojunctions on special silicon carbide and silicon substrates to ensure maximum power with combined geometric and quantitative scaling of semiconductor energy converter chips are considered. The issue of maximum efficiency of energy conversion and efficiency of separation of electron-hole pairs is investigated. A variant of optimizing the scaling solution is implemented by heterojunctions with variations in the sequences of layers with an increase in the concentration and direction of movement of nonequilibrium carriers for further increasing voltage conversion with charge pumping. Numerical simulation was performed to test the model with thin layers of GaN, GaP on SiC, SiC/Si. For the first time, definitions of activation of the heterojunction and activated nanoheterojunction as a fundamental structure are proposed. The accuracy of the proposed models is compared with the accuracy of known models, and it is shown that the results obtained are better than some solutions of these models known in the literature.
Рассматривается концепция, модель, примеры активированных наноразмерных гетеропереходаов на специальных подложках карбида кремния и кремния для обеспечения максимальной мощности при комбинированных геометрическом и количественном масштабированиях чипов полупроводникового преобразователя энергии. Исследуется вопрос максимальных КПД преобразования энергии и эффективности разделения электрон-дырочных пар. Вариант оптимизации решения масштабирования реализуется гетеропереходами с вариациями последовательностей слоев с увеличением концентрации и направленности перемещения неравновесных носителей для дальнейшего повышающего преобразования напряжения с накачкой заряда. Проведено численное моделирование для проверки модели с тонкими слоями GaN, GaP на SiC, SiC/Si. Впервые предложены определения активации гетероперехода и активированного наногетероперехода как принципиальной структуры. Точность предложенных моделей сравнивается с точностью известных моделей, показано, что полученные результаты лучше, чем некоторые известные в литературе решения этих моделей.