Doklady ChemistryDoklady ChemistryДоклады Российской академии наук. Химия, науки о материалах2686-95353034-5111The Russian Academy of Sciences65191610.31857/S2686953524010011CHEMISTRYХИМИЯReview ArticleDoped silicon nanoparticles. A reviewЛегированные наночастицы кремния. ОбзорBubenovS. S.БубеновС. С.
Russian Federation

Department of Chemistry

Химический факультет

s.bubenov@gmail.comDorofeevS. G.ДорофеевС. Г.
Russian Federation

Department of Chemistry

Химический факультет

s.bubenov@gmail.comLomonosov Moscow State UniversityМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова05042024514132602022025Copyright ©; 2024, Russian Academy of SciencesCopyright ©; 2024, Российская академия наук2024Russian Academy of SciencesРоссийская академия наукhttps://journals.eco-vector.com/2686-9535/article/view/651916

Doped silicon nanoparticles combine availability and biocompatibility of the material with a wide variety of functional properties. In this review, the methods of fabrication of doped silicon nanoparticles are discussed, the prevalent of those being chemical vapor deposition, annealing of substoichiometric silicon compounds, and diffusion doping. The data are summarized for the attained impurity contents, in the important case of phosphorus it is shown that impurity, excessive with respect to bulk solubility, is electrically inactive. The patterns of intraparticle impurity distributions are presented, that were studied in the previous decade with highly-informative techniques of atom probe tomography and solid-state NMR. Prospective optical and electrical properties of doped silicon nanoparticles are reviewed, significant role of the position of the impurities is exemplified with plasmonic behavior.

Легированные наночастицы кремния сочетают в себе доступность и биосовместимость материала с широким разнообразием функциональных свойств. В обзоре рассмотрены способы получения легированных наночастиц кремния, основными из которых являются химическое осаждение из газовой фазы, отжиг нестехиометрических соединений кремния, диффузионное легирование. Собраны данные о достигнутых содержаниях примесей; для важного частного случая фосфора показано, что избыточная относительно растворимости в кремниевых кристаллах примесь не проявляет электрической активности. Приведены закономерности в распределении примесей внутри наночастиц, исследованные в последнее десятилетие с помощью информативных методов атомно-зондовой томографии и твердотельного ЯМР. Рассмотрены перспективные оптические и электрофизические свойства легированных наночастиц кремния, на примере локализованного плазмонного резонанса показана существенная роль положения примесей в дизайне материала с искомыми свойствами.

silicon nanoparticlessilicon nanocrystalsquantum dotsnanoparticle dopinglocalized surface plasmon resonanceinorganic luminophoresнаночастицы кремниянанокристаллы кремнияквантовые точкилегирование наночастицлокализованный плазмонный резонанснеорганические люминофорыDuan H., Wang J., Liu L., Huang Q., Li. J. // Prog. Photovolt: Res. Appl. 2016. V. 24. P. 83–93. https://doi.org/10.1002/pip.2654Tarascon J.-M. // Nature Chem. 2010. V. 2. P. 510–510. https://doi.org/10.1038/nchem.680Canham L.T. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 10. P. 1046–1048. https://doi .org/10.1063/1.103561Narducci D., Giulio F. // Materials. 2022. V. 15. 1214. https://doi.org/10.3390/ma15031214Tang F., Tan Y., Jiang T., Zhou Y. // J. Mater. Sci. 2022. V. 57. P. 2803–2812. https://doi .org/10.1007/s10853-021-06679-3Long B., Zou Y., Li Z., Ma Z., Jiang W., Zou H., Chen H. // ACS Appl. Energy Mater. 2020. V. 3. № 6. P. 5572–5580. https://doi .org/10.1021/acsaem.0c00534Rowe D.J., Jeong J.S., Mkhoyan K.A., Kortshagen U.R. // Nano Lett. 2013. V. 13. P. 1317–1322. https://doi .org/10.1021/nl4001184Limpens R., Pach G.F., Neale N.R. // Chem. Mater. 2019. V. 31. P. 4426–4435. https://doi .org/10.1021/acs.chemmater.9b00810Zhou S., Pi X., Ni Z., Ding Y., Jiang Y., Jin C., Delerue C., Yang D., Nozaki T. // ACS Nano. 2015. V. 9. № 1. P. 378–386. https://doi .org/10.1021/nn505416rScriba M.R., Britton D.T., Härting M. // Thin Solid Films. 2011. V. 519. P. 4491–4494. https://doi .org/10.1016/j.tsf.2011.01.330Knipping J., Wiggers H., Rellinghaus B., Roth P., Konjhodzic D., Meier C. // J. Nanosci. Nanotechnol. 2004. V. 4. P. 1039–1044. https://doi .org/10.1166/jnn.2004.149Ledoux G., Guillois O., Porterat D., Reynaud C., Huisken F., Kohn B., Paillard V. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. № 23. P. 15942–15951. https://doi .org/10.1103/PhysRevB.62.15942Rohani P., Banerjee S., Sharifi-Asl S., Malekzadeh M., Shahbazian-Yassar R., Billinge S.J.L., Swihart M.T. // Adv. Funct. Mater. 2019. V. 29. 1807788. https://doi .org/10.1002/adfm.201807788Lechner R., Stegner A.R., Pereira R.N., Dietmueller R., Brandt M.S., Ebbers A., Trocha M., Wiggers H., Stutzmann M. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. 053701. https://doi.org/10.1063/1.2973399Pi X.D., Gresback R., Liptak R.W., Campbell S.A., Kortshagen U. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. 123102. https://doi.org/10.1063/1.2897291Kortshagen U.R., Sankaran R.M., Pereira R.N., Girshick S.L., Wu J.J., Aydil E.S. // Chem. Rev. 2016. V. 116. P. 11061–11127. https://doi .org/10.1021/acs.chemrev.6b00039Zhou S., Ni Z., Ding Y., Sugaya M., Pi X., Nozaki T. // ACS Photonics. 2016. V. 3. № 3. P. 415–422. https://doi .org/10.1021/acsphotonics.5b00568Zhou S., Pi X., Ni Z., Luan Q., Jiang Y., Jin C., Nozaki T., Yang D. // Part. Part. Syst. Charact. 2015. V. 32. P. 213–221. https://doi .org/10.1002/ppsc.201400103Stegner A.R., Pereira R.N., Klein K., Lechner R., Dietmueller R., Brandt M.S., Stutzmann M., Wiggers H. // Phys. Rev. Lett. 2008. V. 100. 026803. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.100.026803Диаграммы состояния двойных металлических систем: Справочник. Т. 3. кн. 1. Лякишев Н.П. (ред.). М.: Машиностроение, 2001. 872 с.Zhou S., Ding Y., Pi X., Nozaki T. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. 183110. https://doi .org/10.1063/1.4901278Chen J., Rohani P., Karakalos S.G., Lance M.J., Toops T.J., Swihart M.T., Kyriakidou E.A. // Chem. Commun. 2020. V. 56. P. 9882–9885. https://doi .org/10.1039/D0CC02822CNi Z., Pi X., Zhou S., Nozaki T., Grandidier B., Yang D. // Adv. Opt. Mater. 2016. V. 4. P. 700–707. https://doi.org/10.1002/adom.201500706Antognini L., Paratte V., Haschke J., Cattin J., Dréon J., Lehmann M., Senaud L.-L., Jeangros Q., Ballif C., Boccard M. // IEEE J. Photovolt. 2021. V. 11. № 4. P. 944–956. https://doi .org/10.1109/JPHOTOV.2021.3074072Delerue C. // Phys. Rev. B. 2018. V. 98. 045434. https://doi .org/10.1103/PhysRevB.98.045434Wang K., He Q., Yang D., Pi X. // Adv. Opt. Mater. 2022. V. 10. № 24. 2201831. https://doi .org/10.1002/adom.202201831Sugimoto H., Fujii M., Imakita K. // Nanoscale. 2014. V. 6. P. 12354–12359. https://doi .org/10.1039/c4nr03857fMilliken S., Cui K., Klein B.A., Cheong IT., Yu H., Michaelis V.K., Veinot J.G.C. // Nanoscale. 2021. V. 13. P. 18281–18292. https://doi .org/10.1039/d1nr05255aTrad F., Giba A.E., Devaux X., Stoffel M., Zhigunov D., Bouché A., Geiskopf S., Demoulin R., Pareige P., Talbot E., Vergnat M., Rinnert H. // Nanoscale. 2021. V. 13. P. 19617–19625. https://doi .org/ 10.1039/d1nr04765eValdenaire A., Giba A.E., Stoffel M., Devaux X., Foussat L., Poumirol J.-M., Bonafos C., Guehairia S., Demoulin R., Talbot E., Vergnat M., Rinnert H. // ACS Appl. Nano Mater. 2023. V. 6. P. 3312–3320. https://doi .org/10.1021/acsanm.2c05088Kanzawa Y., Fujii M., Hayashi S., Yamamoto K. // Solid State Commun. 1996. V. 100. № 4. P. 227–230. https://doi.org/10.1016/0038-1098(96)00408-5Nomoto K., Sugimoto H., Breen A., Ceguerra A.V., Kanno T., Ringer S.P., Perez-Wurfl I., Conibeer G., Fujii M. // J. Phys. Chem. C. 2016. V. 120. P. 17845–17852. https://doi .org/10.1021/acs.jpcc.6b06197Sugimoto H., Fujii M., Fukuda M., Imakita K., Hayashi S. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. 063528. https://doi.org/10.1063/1.3642952Nomoto K., Cui X.-Y., Breen A., Ceguerra A.V., Perez-Wurfl I., Conibeer G., Ringer S.P. // Nanotechnology. 2022. V. 33. 075709. https://doi .org/10.1088/1361-6528/ac38e6Hao X.J., Cho E.-C., Flynn C., Shen Y.S., Conibeer G., Green M.A. // Nanotechnology. 2008. V. 19. 424019. https://doi .org/10.1088/0957-4484/19/42/424019Mimura A., Fujii M., Hayashi S., Kovalev D., Koch F. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. № 19. P. 12625–12627. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.12625Sumida K., Ninomiya K., Fujii M., Fujio K., Hayashi S., Kodama M., Ohta H. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. 033504. https://doi .org/10.1063/1.2432377Fujii M., Mimura A., Hayashi S., Yamamoto K. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. № 4. P. 1855–1857. https://doi .org/10.1063/1.372103Almeida A.J., Sugimoto H., Fujii M., Brandt M.S., Stutzmann M., Pereira R.N. // Phys. Rev. B. 2016. V. 93. 115425. https://doi .org/10.1103/PhysRevB.93.115425Fujii M., Yamaguchi Y., Takase Y., Ninomiya K., Hayashi S. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. № 7. P. 1158–1160. https://doi .org/10.1063/1.1779955Fukuda M., Fujii M., Hayashi S. // J. Lumin. 2011. V. 131. P. 1066–1069. https://doi .org/10.1016/j.jlumin.2011.01.023Sugimoto H., Fujii M., Imakita K., Hayashi S., Akamatsu K. // J. Phys. Chem. C. 2013. V. 117. P. 11850–11857. https://doi .org/10.1021/jp4027767Sugimoto H., Fujii M., Imakita K., Hayashi S., Akamatsu K. // J. Phys. Chem. C. 2012. V. 116. P. 17969–17974. https://doi .org/10.1021/jp305832xSugimoto H., Fujii M., Imakita K., Hayashi S., Akamatsu K. // J. Phys. Chem. C. 2013. V. 117. P. 6807–6813. https://doi .org/10.1021/jp312788kKanno T., Sugimoto H., Fucikova A., Valenta J., Fujii M. // J. Appl. Phys. 2016. V. 120. 164307. https://doi .org/10.1063/1.4965986Hori Y., Kano S., Sugimoto H., Imakita K., Fujii M. // Nano Lett. 2016. V. 16. № 4. P. 2615–2620. https://doi .org/10.1021/acs.nanolett.6b00225Fujio K., Fujii M., Sumida K., Hayashi S., Fujisawa M., Ohta H. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. 021920. https://doi.org/10.1063/1.2957975Zeng Y., Dai N., Cheng Q., Huang J., Liang X., Song W. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2013. V. 16. P. 598–604. https://doi .org/10.1016/j.mssp.2012.10.010Song D., Cho E.-C., Conibeer G., Flynn C., Huang Y., Green M.A. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2008. V. 92. P. 474–481. https://doi .org/10.1016/j.solmat.2007.11.002So Y.-H., Huang S., Conibeer G., Green M.A. // EPL. 2011. V. 96. 17011. https://doi .org/10.1209/0295-5075/96/17011Mathiot D., Khelifi R., Muller D., Duguay S. // Mater. Res. Soc. symp. proc. 2012. 1455. mrss12-1455-ii08-21. https://doi .org/10.1557/opl.2012.1238.Demoulin R., Muller D., Mathiot D., Pareige P., Talbot E. // Phys. Status Solidi RRL. 2020. V. 14. 2000107. https://doi.org/10.1002/pssr.202000107Demoulin R., Roussel M., Duguay S., Muller D., Mathiot D., Pareige P., Talbot E. // J. Phys. Chem. C. 2019. V. 123. P. 7381–7389. https://doi .org/10.1021/acs.jpcc.8b08620Khelifi R., Mathiot D., Gupta R., Muller D., Roussel M., Duguay S. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. 013116. https://doi.org/10.1063/1.4774266Yang P., Gwillaim R.M., Crowe I.F., Papachristodoulou N., Halsall M.P., Hylton N.P., Hulko O., Knights A.P., Shah M., Kenyon A.P. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2013. V. 307. P. 456–458. https://doi .org/10.1016/j.nimb.2012.12.077Качурин Г.А., Черкова С.Г., Володин В.А., Марин Д.М., Тетельбаум Д.И., Becker H. // ФТП. 2006. Т. 40. № 1. С. 75–81.Murakami K., Shirakawa R., Tsujimura M., Uchida N., Fukata N., Hishita S.-I. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. 054307. https://doi .org/10.1063/1.3088871Zhang M., Poumirol J.-M., Chery N., Majorel C., Demoulin R., Talbot E., Rinnert H., Girard C., Cristiano F., Wiecha P.R., Hungria T., Paillard V., Arbouet A., Pécassou B., Gourbilleau F., Bonafos C. // Nanophotonics. 2022. V. 11. № 15. P. 3485–3493. https://doi.org/10.1515/nanoph-2022-0283Качурин Г.А., Яновская С.Г., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. // ФТП. 2003. Т. 37. № 6. С. 738–742.Zhang M., Poumirol J.-M., Chery N., Rinnert H., Giba A.E., Demoulin R., Talbot E., Cristiano F., Hungria T., Paillard V., Gourbilleau F., Bonafos C. // Nanoscale. 2023. V. 15. P. 7438–7449. https://doi .org/10.1039/D3NR00035DRuffino F., Romano L., Carria E., Miritello M., Grimaldi M.G., Privitera V., Marabelli F. // J. Nanotechnol. 2012. V. 2012. 635705. https://doi .org/10.1155/2012/635705Makimura T., Yamamoto Y., Mitani S., Mizuta T., Li C.Q., Takeuchi D., Murakami K. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 197–198. P. 670–673. https://doi .org/10.1016/S0169-4332(02)00438-5Hiller D., López-Vidrier J., Gutsch S., Zacharias M., Wahl M., Bock W., Brodyanski A., Kopnarski M., Nomoto K., Valenta J., König D. // Sci. Rep. 2017. V. 7. 8337. https://doi .org/10.1038/s41598-017-08814-0Kobayashi H., Akaishi R., Kato S., Kurosawa M., Usami N., Kurokawa Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 2020. V. 59. SGGF09. https://doi .org/10.7567/1347-4065/ab6346Gutsch S., Hartel A.M., Hiller D., Zakharov N., Werner P., Zacharias M. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. 233115. https://doi .org/10.1063/1.4727891Gutsch S., Laube J., Hiller D., Bock W., Wahl M., Kopnarski M., Gnaser H., Puthen-Veettil B., Zacharias M. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. 113103. https://doi .org/10.1063/1.4915307Hiller D., López-Vidrier J., Gutsch S., Zacharias M., Nomoto K., König D. // Sci. Rep. 2017. V. 7. 863. https://doi.org/10.1038/s41598-017-01001-1Nomoto K., Hiller D., Gutsch S., Ceguerra A.V., Breen A., Zacharias M., Conibeer G., Perez-Wurfl I., Ringer S.P. // Phys. Status Solidi RRL. 2017. V. 11. № 1. 1600376. https://doi .org/10.1002/pssr.201600376Gnaser H., Gutsch S., Wahl M., Schiller R., Kopnarski M., Hiller D., Zacharias M. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. 034304. https://doi .org/10.1063/1.4862174Shyam S., Das D. // J. Alloys Compd. 2021. V. 876. 160094. https://doi .org/10.1016/j.jallcom.2021.160094Pi X., Delerue C. // Phys. Rev. Lett. 2013. V. 111. 177402. https://doi .org/10.1103/PhysRevLett.111.177402Nomoto K., Sugimoto H., Cui X.-Y., Ceguerra A.V., Fujii M., Ringer S.P. // Acta Mater. 2019. V. 178. P. 186–193. https://doi .org/10.1016/j.actamat.2019.08.013Pi X., Chen X., Yang D. // J. Phys. Chem. C. 2011. V. 115. P. 9838–9843. https://doi .org/10.1021/jp111548bChan T.-L., Tiago M.L., Kaxiras E., Chelikowsky J.R. // Nano Lett. 2008. V. 8. № 2. P. 596–600. https://doi .org/10.1021/nl072997aBulyarskiy S.V., Svetukhin V.V. // Mater. Sci. Eng. B. 2021. V. 272. 115337. https://doi .org/10.1016/j.mseb.2021.115337Bulyarskiy S.V., Svetukhin V.V. // J. Nanopart. Res. 2020. V. 22. 361. https://doi .org/10.1007/s11051-020-05069-1Perego M., Bonafos C., Fanciulli M. // Nanotechnology. 2010. V. 21. 025602. https://doi .org/10.1088/0957-4484/21/2/025602Chen X., Yang P. // Int. J. Mod. Phys. B. 2017. V. 31. 1750110. https://doi .org/10.1142/S0217979217501107Perego M., Seguini G., Fanciulli M. // Surf. Interface Anal. 2013. V. 45. P. 386–389. https://doi .org/10.1002/sia.5001Perego M., Seguini G., Arduca E., Frascaroli J., De Salvador D., Mastromatteo M., Carnera A., Nicotra G., Scuderi M., Spinella C., Impellizzeri G., Lenardie C., Napolitani E. // Nanoscale. 2015. V. 7. P. 14469–14475. https://doi .org/10.1039/C5NR02584BMilliken S., Cheong IT., Cui K., Veinot J.G.C. // ACS Appl. Nano Mater. 2022. V. 5. P. 15785–15796. https://doi.org/10.1021/acsanm.2c03937Bubenov S.S., Dorofeev S.G., Eliseev A.A., Kononov N.N., Garshev A.V., Mordvinova N.E., Lebedev O.I. // RSC Adv. 2018. V. 8. P. 18896–18903. https://doi .org/10.1039/c8ra03260bДорофеев С.Г., Кононов Н.Н., Бубенов С.С., Попеленский В.М., Винокуров А.А. // ФТП. 2022. Т. 56. № 2. С. 204–212. https://doi .org/10.21883/FTP.2022.02.51963.9727Popelensky V.M., Chernysheva G.S., Kononov N.N., Bubenov S.S., Vinokurov A.A., Dorofeev S.G. // Inorg. Chem. Commun. 2022. V. 141. 109602. https://doi .org/10.1016/j.inoche.2022.109602Vinokurov A., Popelensky V., Bubenov S., Kononov N., Cherednichenko K., Kuznetsova T., Dorofeev S. // Materials. 2022. V. 15. 8842. https://doi .org/10.3390/ma15248842Klimešová E., Kůsová K., Vacík J., Holý V., Pelant I. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112. 064322. https://doi .org/10.1063/1.4754518Nastulyavichus A.A., Saraeva I.N., Rudenko A.A., Khmelnitskii R.A., Shakhmin A.L., Kirilenko D.A., Brunkov P.N., Melnik N.N., Smirnov N.A., Ionin A.A., Kudryashov S.I. // Part. Part. Syst. Charact. 2020. V. 37. 2000010. https://doi.org/10.1002/ppsc.202000010Baldwin R.K., Zou J., Pettigrew K.A., Yeagle G.J., Britt R.D., Kauzlarich S.M. // Chem. Commun. 2006. P. 658–660. https://doi.org/10.1039/B513330KSingh M.P., Atkins T.M., Muthuswamy E., Kamali S., Tu C., Louie A.Y., Kauzlarich S.M. // ACS Nano. 2012. V. 6. № 6. P. 5596–5604. https://doi .org/10.1021/nn301536nZhang X., Brynda M., Britt R.D., Carroll E.C., Larsen D.S., Louie A.Y., Kauzlarich S.M. // J. Am. Chem. Soc. 2007. V. 129. P. 10668–10669. https://doi .org/10.1021/ja074144qMcVey B.F.P., Butkus J., Halpert J.E., Hodgkiss J.M., Tilley R.D. // J. Phys. Chem. Lett. 2015. V. 6. № 9. P. 1573–1576. https://doi .org/10.1021/acs.jpclett.5b00589McVey B.F.P., König D., Cheng X., O’Mara P.B., Seal P., Tan X., Tahini H.A., Smith S.C., Gooding J.J., Tilley R.D. // Nanoscale. 2018. V. 10. № 33. P. 15600–15607. https://doi.org/10.1039/C8NR05071FMeier C., Gondorf A., Lüttjohann S., Lorke A. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. 103112. https://doi .org/10.1063/1.2720095Ramos L.E., Degoli E., Cantele G., Ossicini S., Ninno D., Furthmüller J., Bechstedt F. // Phys. Rev. B. 2008. V. 78. 235310. https://doi .org/10.1103/PhysRevB.78.235310Ni Z., Pi X., Yang D. // Phys. Rev. B. 2014. V. 89. 035312. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.035312Pi X., Ni Z., Yang D., Delerue C. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. 194304. https://doi.org/10.1063/1.4901947Limpens R., Pach G.F., Mulder D.W., Neale N.R. // J. Phys. Chem. C. 2019. V. 123. P. 5782–5789. https://doi .org/10.1021/acs.jpcc.9b00223Kelly K.L., Coronado E., Zhao L.L., Schatz G.C. // J. Phys. Chem. B. 2003. V. 107. P. 668–677. https://doi .org/10.1021/jp026731yFaucheaux J.A., Stanton A.L.D., Jain P.K. // J. Phys. Chem. Lett. 2014. V. 5. P. 976–985. https://doi .org/10.1021/jz500037kMendelsberg R.J., Garcia G., Li H., Manna L., Milliron D.J. // J. Phys. Chem. C. 2012. V. 116. P. 12226–12231. https://doi .org/10.1021/jp302732sKriegel I., Rodríguez-Fernández J., Wisnet A., Zhang H., Waurisch C., Eychmüller A., Dubavik A., Govorov A.O., Feldmann J. // ACS Nano. 2013. V. 7. № 5. P. 4367–4377. https://doi .org/10.1021/nn400894dKramer N.J., Schramke K.S., Kortshagen U.R. // Nano Lett. 2015. V. 15. P. 5597–5603. https://doi .org/10.1021/acs.nanolett.5b02287Somogyi B., Derian R., Štich I., Gali A. // J. Phys. Chem. C. 2017. V. 121. P. 27741–27750. https://doi .org/10.1021/acs.jpcc.7b09501Pereira R.N., Niesar S., You W.B., da Cunha A.F., Erhard N., Stegner A.R., Wiggers H., Willinger M.-G., Stutzmann M., Brandt M.S. // J. Phys. Chem. C. 2011. V. 115. P. 20120–20127. https://doi .org/10.1021/jp205984mMeseth M., Ziolkowski P., Schierning G., Theissmann R., Petermann N., Wiggers H., Benson N., Schmechel R. // Scr. Mater. 2012. V. 67. P. 265–268. https://doi .org/10.1016/j.scriptamat.2012.04.039Seino K., Bechstedt F., Kroll P. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. 075312. https://doi .org/10.1103/PhysRevB.86.075312Balberg I. // Physica E Low Dimens. Syst. Nanostruct. 2013. V. 51. P. 2–9. https://doi .org/10.1016/j.physe.2013.02.001Chen T., Reich K.V., Kramer N.J., Fu H., Kortshagen U.R., Shklovskii B.I. // Nat. Mater. 2016. V. 15. P. 299–303. https://doi .org/10.1038/nmat4486Gresback R., Kramer N.J., Ding Y., Chen T., Kortshagen U.R., Nozaki T. // ACS Nano. 2014. V. 8. № 6. P. 5650–5656. https://doi .org/10.1021/nn500182bFernández-Serra M.-V., Adessi Ch., Blase X. // Nano Lett. 2006. V. 6. № 12. P. 2674–2678. https://doi .org/10.1021/nl0614258Huang J., Wang L., Sun H., Wang H., Gao M., Cheng W., Chen Z. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2016. V. 47. P. 7–11. https://doi .org/10.1016/j.mssp.2016.01.005Sasaki M., Kano S., Sugimoto H., Imakita K., Fujii M. // J. Phys. Chem. C. 2016. V. 120. P. 195–200. https://doi .org/10.1021/acs.jpcc.5b05604Li D., Jiang Y., Liu J., Zhang P., Xu J., Li W., Chen K. // Nanotechnol. 2017. V. 28. 475704. https://doi .org/10.1088/1361-6528/aa852ePerez-Wurfl I., Hao X., Gentle A., Kim D.-H., Conibeer G., Green M.A. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. 153506. https://doi .org/10.1063/1.3240882Hong S.H., Kim Y.S., Lee W., Kim Y.H., Song J.Y., Jang J.S., Park J.H., Choi S.H., Kim K.J. // Nanotechnol. 2011. V. 22. № 42. 425203. https://doi .org/10.1088/0957-4484/22/42/425203Daoudi K., Columbus S., Falcão B.P., Pereira R.N., Peripolli S.B., Ramachandran K., Kacem H.H., Allagui A., Gaidi M. // Spectrochim. Acta A Mol.Biomol. Spectrosc. 2023. V. 290. 122262. https://doi .org/10.1016/j.saa.2022.122262