Электронные состояния зоны проводимости пленок фторзамещенного фуран-фениленового соолигомера на поверхности кремния и оксида цинка

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты исследования низкоэнергетических вторичных электронных спектров пленок фторзамещенного фуран-фениленового соолигомера в энергетическом диапазоне от 5 до 20 эВ выше EF. Проведено термическое вакуумное осаждение пленок толщиной 8–10 нм на поверхности подложек кремния и послойно осажденного ZnO. Установлены взаиморасположение основных максимумов плотности электронных состояний в зоне проводимости исследованных пленок и характеристики пограничного потенциального барьера между пленками и поверхностями подложек. Проведены исследования топографии поверхности тонких пленок фторзамещенного фуран-фениленового соолигомера методом атомно-силовой микроскопии. Пленки на поверхности ZnO имеют зернистую структуру при диаметре зерна в плоскости поверхности ~100 нм. На поверхности кремния зерна имеют удлиненную форму, характерную для микровискеров.

Об авторах

А. С. Комолов

Санкт-Петербургский государственный университет

Email: a.komolov@spbu.ru
Санкт-Петербург, Россия

И. А. Пронин

Пензенский государственный университет

Пенза, Россия

Э. Ф. Лазнева

Санкт-Петербургский государственный университет

Санкт-Петербург, Россия

В. С. Соболев

Санкт-Петербургский государственный университет

Санкт-Петербург, Россия

Е. А. Дубов

Санкт-Петербургский государственный университет

Санкт-Петербург, Россия

А. А. Комолова

Санкт-Петербургский государственный университет

Санкт-Петербург, Россия

Е. В. Жижин

Санкт-Петербургский государственный университет

Санкт-Петербург, Россия

Д. А. Пудиков

Санкт-Петербургский государственный университет

Санкт-Петербург, Россия

С. А. Пшеничнюк

Институт физики молекул и кристаллов – обособленное структурное подразделение Уфимского федерального исследовательского центра РАН

Уфа, Россия

К. С. Беккер

Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН

Новосибирск, Россия

М. С. Казанцев

Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН

Новосибирск, Россия

Ф. Д. Акбарова

Физико-технический институт АН РУз

Ташкент, Узбекистан

У. Б. Шаропов

Физико-технический институт АН РУз

Ташкент, Узбекистан

Список литературы

  1. Sosorev A.Y., Nuraliev M.K., Feldman E.V. et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2019. V. 21. P. 11578. https://doi.org/10.1039/C9CP00910H
  2. Nenashev G.V., Aleshin A.N., Ryabko A.A. et al. // Solid State Commun. 2024. V. 388. P. 115554. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2024.115554
  3. Shaposhnik P.A., Trul A.A., Poimanova E.Yu. et al. // Org. Electron. 2024. V. 129. P. 107047. https://doi.org/10.1016/j.orgel.2024.107047
  4. Koskin I.P., Becker Ch.S., Sonina A.A. et al. // Adv. Funct. Mater. 2021. V. 31. P. 2104638. https://doi.org/10.1002/adfm.202104638
  5. Mannanov A.A., Kazantsev M.S., Kuimov A.D. et al. // J. Mater. Chem. C. 2019. V. 7. P. 60. https://doi.org/10.1039/C8TC04151B
  6. Kazantsev M.S., Frantseva E.S., Kudriashova L.G. et al. // RSC Adv. 2016. V. 6. P. 92325. https://doi.org/10.1039/C6RA23160H
  7. Hill I.G., Schwartz J., Kahn A. // Org. Electron. 2000 V. 1. P. 5. https://doi.org/10.1016/S1566-1199(00)00002-1
  8. Krzywiecki M., Smykala S., Kurek J. et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2022. V. 24. P. 11828. http://doi.org/10.1039/D2CP00844K
  9. Komolov A.S., Akhremtchik S.N., Lazneva E.F. // Spectrochim. Acta. A. 2011. V. 798. P. 708. https://doi.org/10.1016/j.saa.2010.08.042
  10. Sharopov U.B., Abdusalomov A., Kakhramonov A. et al. // Vacuum. 2023. V. 213. P. 112133. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2023.112133
  11. Frankenstein H., Leng C.Z., Losego M.D. et al. // Org. Electron. 2019. V. 64. P. 37. https://doi.org/10.1016/j.orgel.2018.10.002
  12. Walter T.N., Lee S., Zhang X. et al. // Appl. Surf. Sci. 2019. V. 480. P. 43. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.02.182
  13. Pronin I.A., Plugin I.A., Kolosov D.A. et al. // Sens. Actuators. A. 2024. V. 377. P. 115707. https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.115707
  14. Cauduro A.L.F., dos Reis R., Chen G. et al. // Ultramicroscopy. 2017. V. 183. P. 99. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2017.03.025
  15. Комолов А.С., Дубов Е.А., Убович М. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2025. Т. 89. Вып. 3. C. 392. https://doi.org/10.31857/S0367676525030094
  16. Komolov A.S., Moeller P.J. // Appl. Surf. Sci. 2005. V. 244. P. 573. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.10.122
  17. Комолов А.С., Пронин И.А., Лазнева Э.Ф. и др. // Кристаллография 2024. Т. 69. № 4. С. 670. https://doi.org/10.31857/S0023476124040139
  18. Pshenichnyuk S.A., Asfandiarov N.L., Rahmeev R.G. et al. // J. Chem. Phys. 2024. V. 161. P. 114303. https://doi.org/10.1063/5.0232036
  19. Pshenichnyuk S.A., Modelli A., Lazneva E.F. et al. // J. Phys. Chem. A. 2016. V. 120. P. 2667. https://doi.org/10.1021/acs.jpca.6b02272
  20. Garcia-Basabe Y., Pedrozo-Penafiel M.J., Figueredo I.S. et al. // J. Phys. Chem. C. 2025. V. 129. P. 8783. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5c01259
  21. Komolov A., Schaumburg K., Moeller P.J. et al. // Appl. Surf. Sci. 1999. V. 142. P. 591. https://doi.org/10.1016/S0169-4332(98)00924-6
  22. Hwang J., Wan A., Kahn A. // Mater. Sci. Eng. R. Rep. 2009. V. 64. P. 1. https://doi.org/10.1016/j.mser.2008.12.001
  23. Pronin I.A., Averin I.A., Karmanov A.A. et al. // Nanomaterials. 2022. V. 12. P. 1924. https://doi.org/10.3390/nano12111924
  24. Komolov A.S., Lazneva E.F., Akhremtchik S.N. // Appl. Surf. Sci. 2010. V. 256. P. 2419. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.10.078
  25. Bartos I. // Progr. Surf. Sci. 1998. V. 59. P. 197. https://doi.org/10.1016/S0079-6816(98)00046-X
  26. Komolov A.S., Moeller P.J., Aliaev Y.G. et al. // J. Mol. Struct. 2005. V. 744–747. P. 145. http://doi.org/10.1016/j.molstruc.2005.01.047
  27. Sharopov U.B., Kaur K., Kurbanov M.K. et al. // Silicon. 2022. V. 14. P. 4661. https://doi.org/10.1007/s12633-021-01268-0
  28. Sharopov U.B., Kaur K., Kurbanov M.K. et al. // Thin Solid Films. 2021. V. 735. P. 138902. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2021.138902
  29. Sharopov U., Gopparov U., Rashidov K. et al. // Radiat. Eff. Defects Solids. 2023. V. 178. P. 539. https://doi.org/10.1080/10420150.2022.2133716
  30. Komolov A.S., Lazneva E.F., Gerasimova N.B. et al. // J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 2019. V. 235. P. 40. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2019.07.001
  31. Shu A.L., McClain W.E., Schwartz J. et al. // Org. Electron. 2014. V. 15. P. 2360. https://doi.org/10.1016/j.orgel.2014.06.039
  32. Braun S., Salaneck W., Fahlman M. // Adv. Mater. 2009. V. 21. P. 1450. https://doi.org/10.1002/adma.200802893

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025