Отправить статью по E-mail 
Структура пленок алюминия для создания туннельных переходов
- Авторы: Стрелков М.В.1,2, Чекушкин А.М.1, Ломов А.А.3, Краевский С.В.4, Фоминский М.Ю.1, Тарасов М.А.1
-
Учреждения:
- Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
- Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
- Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН
- Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича
- Выпуск: Том 68, № 10 (2023)
- Страницы: 998-1002
- Раздел: ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ
- URL: https://journals.eco-vector.com/0033-8494/article/view/650459
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423100157
- EDN: https://elibrary.ru/YZIYOK
- ID: 650459
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Проведен цикл исследований структуры пленок алюминия, напыленных на монокристаллические подложки кремния в разных температурных режимах. Микроскопом атомных сил исследована шероховатость и размер зерна пленок зародышей толщиной 20 нм, напыленных при повышенных температурах, а также допыленных поверх слоя зародыша при комнатной температуре до толщины 150 нм. Измерен профиль пленок в электронном микроскопе. Найдено, что пленки на горячем подслое оказываются более гладкими, более жесткими (менее рыхлыми) и позволяют рассчитывать на создание переходов сверхпроводник–изолятор–сверхпроводник и сверхпроводник–изолятор–нормальный металл соответственно с более высокой плотностью тока и меньшей емкостью.
Об авторах
М. В. Стрелков
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7; Российская Федерация, 141701, Московской обл., Долгопрудный, Институтский пер., 9
А. М. Чекушкин
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7
А. А. Ломов
Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН
Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 117218, Москва, Нахимовский просп. 36, корп. 1
С. В. Краевский
Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича
Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 119121, Москва, ул. Погодинская, 10, стр. 8
М. Ю. Фоминский
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7
М. А. Тарасов
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7
Список литературы
- Rodionov I., Baburin A., Gabidullin A., et al. // Sci. Rep. 2019. V. 9. Article No. 12232.
- Greibe T., Stenberg M., Wilson C. et al. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. № 9. Article No. 097001.
Дополнительные файлы
