Proyavlenie posloevoy lokalizatsii singulyarnostey van Khova v tunnelirovanii mezhdu listami dvukhsloynogo grafena

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Исследовано туннелирование между двумя листами двухслойного графена, кристаллические решетки которых повернуты относительно друг друга на небольшой угол. Обнаружено аномальное поведение туннельной проводимости, обусловленное проявлением сингулярностей ван Хова на краях зоны проводимости и валентной зоны, пространственно локализованных в различных монослоях двухслойного графена.

作者简介

E. Vdovin

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН

Email: vdov62@yandex.ru
Черноголовка, Россия

Yu. Khanin

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН

Черноголовка, Россия

S. Morozov

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН

Черноголовка, Россия

M. Kashchenko

Центр фотоники и двумерных материалов, Московский физико-технический институт; Лаборатория физики программируемых функциональных материалов, Центр нейрофизики и нейроморфных технологий

Долгопрудный, Россия; Москва, Россия

A. Sokolik

Институт спектроскопии РАН

Москва, Россия

K. Novoselov

Institute for Functional Intelligent Materials, National University of Singapore

Singapore

参考

  1. E. McCann, Phys. Rev. B 74, 161403(R) (2006).
  2. E. McCann and V. I. Fal’ko, Phys. Rev. Lett. 96, 086805 (2006).
  3. H. Min, B. Sahu, S.K. Banerjee, and A.H. MacDonald, Phys. Rev. B 75, 155115 (2007).
  4. E.K. Yu, D.A. Stewart, and S. Tiwari, Phys. Rev. B 77, 195406 (2008).
  5. A. Ramasubramaniam, Nano Lett. 11(3), 1070 (2011).
  6. T. Ohta, A. Bostwick, Th. Seyller, K. Horn, and E. Rotenberg, Science 313(5789), 951 (2006).
  7. K. Su Kim, T.-H. Kim, A.L. Walter, Th. Seyller, H.W. Yeom, E. Rotenberg, and A. Bostwick, Phys. Rev. Lett. 110, 036804 (2013)
  8. F. Joucken, C. Bena, Zh. Ge, E.A. Quezada-Lopez, F. Ducastelle, T. Tanagushi, K. Watanabe, and J. Velasco, Jr., Phys. Rev. Lett. 127, 106401 (2021).
  9. S.C. de la Barrera, S. Aronson, Zh. Zheng, K. Watanabe, T. Taniguchi, Q. Ma, P. Jarillo-Herrero, and R. Ashoori, Nat. Phys. 18, 771 (2022).
  10. A.M. Seiler, F.R. Geisenhof, F.Winterer, K.Watanabe, T. Taniguchi, T. Xu, F. Zhang, and R.Th. Weitz, Nature 608, 298 (2022).
  11. T. L.M. Lane, J.R. Wallbank, and V. I. Fal’ko, Appl. Phys. Lett. 107, 203506 (2015).
  12. J. J.P. Thompson, D. J. Leech, and M. Mucha-Kruczynski, Phys. Rev. B 99, 085420 (2019).
  13. J. P. Eisenstein, T. J. Gramila, L.N. Pfeiffer, and K.W. West, Phys. Rev. B 44, 6511 (1991).
  14. L. Zheng and A.H. MacDonald, Phys. Rev. B 47, 10619 (1993).
  15. Y. Zhang, T.-T. Tang, C. Girit, Zh. Hao, M.C. Martin, A. Zettl, M. F. Crommie, Y.R. Shen, and F. Wang, Nature 459, 820 (2009).
  16. K. Lee, B. Fallahazad, J. Xue, D.C. Dillen, K. Kim, T. Taniguchi, K. Watanabe, and E. Tutuc, Science 345(6192), 58 (2014).
  17. E. Icking, L. Banszerus, F. Wortche, F. Volmer, Ph. Schmidt, C. Steiner, S. Engels, J. Hesselmann, M. Goldsche, K. Watanabe, T. Taniguchi, Ch. Volk, B. Beschoten, and Ch. Stampfer, Adv. Electron. Mater. 8(11), 2200510 (2022).

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Российская академия наук, 2024