RESTORATION OF SOURCE ARRANGEMENT HEIGHT IN MATHEMATICAL MODEL OF THIN FILMS GROWTH ON SUBSTRATES

Abstract


Current research in the field of applied mathematics and computer science at the present time is the study of this little-studied physical process as a diffusion growth of thin spat-hella on substrates. Many domestic and foreign scientists have conducted research by decision analytical and numerical methods of initial-boundary value problems, which originally explicitly or implicitly assumed that the solution of the problem exists and is unique. In mathematical modeling there is often a question of solution of inverse problems arising in the research of the diffusion growth of thin spat-hella on substrates. This paper focuses on the solution of inverse problems encountered in the study of the mathematical model. The aim of the study is to develop analytical and numerical solution of the problem of recovering the height of the source atoms spat-hella. Achievement of this goal is based on the intended use of the re-sults and methods of mathematical physics equations, integral equations, mathematical analysis, partial differential equations, solid-state physics, crystallography. An analytical solution of the inverse prob-lem of recovering the height of the source of the atoms of the spat-hella deposited on the substrate. The numerical experiment by the growth of bismuth spat-hella on an aluminum substrate. Analysis of the results of the numerical experiment showed that the results presented in the article are consistent with experimental data. The absolute error of calculation does not exceed 2%. It should be noted that this research is of great practical value and can be used in microelectronics, creating large scale inte-grated circuits, etc.

Full Text

Процесс роста тонких пленок на подложках представляет собой сложное физическое явление, подробно не изученное до настоящего времени, несмотря на многочисленные исследования российских и зарубежных ученых на протяжении последних десятилетий. Для описания данного процесса используются дифференциальные и интегральные уравнения, теория функций комплексного переменного, операционное исчисление, теория случайных процессов, математическая статистика, численные методы. Изучение процесса роста тонких пленок на подложках требует постановки и исследования различных прямых и обратных задач. В статье представлено аналитическое и численное решение краевой задачи о восстановлении высоты расположения источника атомов пленки, порождаемой диффузионной моделью роста тонких пленок на подложках. Основу прикладных математических моделей очень часто составляют дифференциальные уравнения с частными производными. Наиболее важными для приложений являются уравнения второго порядка. Краевая задача для уравнения с частными производными состоит в том, чтобы найти функцию или систему функций, удовлетворяющих в заданной области некоторому дифференциальному уравнению или системе уравнений, а на границе области и в начальный момент времени - заданным условиям [3]. Таким образом, краевая задача характеризуется заданием самого уравнения, области определения решения, граничных и начального условий. Модели такого вида появились в математике в конце XVIII века и связаны с именами Л. Эйлера и П. Лапласа. При описании процесса диффузии атомов пленки, используется уравнение: (1) где - концентрация атомов пленки; - скорость горизонтального переноса (направленная вдоль оси ); , , - коэффициенты диффузии; - скорость гравитационного оседания атомов пленки на подстилающую поверхность; - коэффициент, характеризующий взаимодействие частиц атомов пленки с окружающей средой; - мощность источника атомов пленки. Так как вектор горизонтального переноса и коэффициенты диффузии задаются в виде эмпирических формул, то уравнение (1) принято называть полуэмпирическим уравнением диффузии. Это уравнение, согласно классификации линейных дифференциальных уравнений в частных производных второго порядка, относится к уравнениям параболического типа. Для описания процесса диффузии атомов вещества при адсорбционно-десорбционном процессе от мгновенного точечного источника на подложку предлагается использовать начально-граничную задачу [2]: , (2) (3) , , , (4) если атомы вещества отражаются от подложки, находящейся на высоте ; или начально-граничную задачу (2)-(3): , , (5) если вещество полностью поглощается подложкой; а также начально-граничную задачу (2)-(3): , (6) если вещество частично отражается и частично поглощается подложкой. Здесь - мощность мгновенного источника атомов пленки, действовавшего в момент времени в точке (то есть количество вещества, выброшенного источником в момент времени ); - дельта-функция Дирака; - скорость гравитационного оседания атомов пленки на подстилающую поверхность; - результирующая скорость осаждения атомов пленки на подложку. Равенство (6) показывает, что поток примеси на подложку складывается из двух составляющих: диффузионного потока и гравитационного потока . Граничное условие (4) означает, что граница полностью отражает вещество, (5) - полностью его поглощает, а (6) - частично отражает и частично поглощает. Средние значения концентрации атомов пленки на подложке от мгновенного точечного источника при условиях полного отражения атомов пленки от подложки можно задать формулой (7) (в этом случае пленочная структура на подложке не образуется) или полного поглощения (в этом случае пленка образуется на подложке) (8) атомов пленки подложкой. Они имеют соответственно вид: (9) (10) Интегрируя равенства (9)-(10) по t в пределах от 0 до , получим формулы для расчета , от стационарного точечного источника непрерывного действия, расположенного в точке : . Соотношения (9)-(10) используются для решения обратных задач в рамках математических моделей образования тонких пленок на подложках от мгновенного точечного источника (2)-(4); (2)-(3), (5). Рассмотрим краевую задачу о восстановлении высоты расположения источника в рамках математической модели роста тонкой пленки на подложке. Задача. По известным средним значениям концентрации атомов пленки на подложке от мгновенного точечного источника при условии их полного отражения от подложки, или по известным средним значениям концентрации атомов пленки на подложке от мгновенного точечного источника при условии полного поглощения атомов пленки подложкой, а также по заданной мощности источника атомов пленки и известным , , - дисперсиям координат атомов пленки соответственно вдоль осей, , в момент времени t, определить неизвестную высоту источника атомов пленки H. Методами решения трансцендентных уравнений, например, методом простой итерации [1], построим решение поставленной задачи. А) Приближенный способ решения задачи (в случае полного отражения атомов пленки подложкой), основан на использовании метода простой итерации. Предполагаем, что известен интервал (а и b находим, например, методом подбора), в котором находится требуемый корень уравнения как (10). В случае анизотропной среды (при условии полного отражения атомов пленки от подложки) равенство (9) перепишем как (11). Последовательные приближения к искомому корню будем находить по итерационной формуле (12). В случае изотропной среды (при условии полного отражения атомов пленки от подложки) полагают , тогда из (9) получим (13). Последовательные приближения к искомому корню в этом случае будем находить по итерационной формуле (14). (10) (11) (12) (13) (14) В качестве первого приближения к искомому корню (первая итерация) можно принять любое значение из отрезка изоляции корня . Критерий окончания процесса вычислений - выполнение неравенства , где - желаемая погрешность. Б) Приближенный способ решения задачи (в случае полного поглощения атомов пленки подложкой), основан на использовании метода простой итерации. Предполагаем, что известен интервал (a и b находим, например, методом подбора), в котором находится требуемый корень H уравнения (15). В случае анизотропной среды (при условии полного поглощения атомов пленки подложкой) равенство (10) перепишем в виде (16). Последовательные приближения к искомому корню будем находить по итерационной формуле (17). В случае изотропной среды (при условии полного поглощения атомов пленки подложкой) полагают , тогда из (10) получим выражение (18). Последовательные приближения к искомому корню в этом случае будем находить по итерационной формуле (19). В качестве первого приближения к искомому корню (первая итерация) можно принять любое значение из отрезка изоляции корня .Критерий окончания процесса вычислений - выполнение неравенства , где - желаемая погрешность. (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) Пример. Экспериментальные данные, взятые из официального сайта ООО НПФ «Микротехнология» [4] и содержащие информацию о росте пленки висмута на алюминиевой подложке, количестве атомов пленки, мощности источника атомов пленки в точке (2; 2; 3) в моменты времени с, значения дисперсии координат атомов пленки = 2,658234846 вдоль оси приведены в таблице 1. Средняя скорость вектора горизонтального переноса м/с, среда изотропна, атомы пленки полностью поглощаются подложкой (образуется пленки висмута на алюминиевой подложке). Вычислить высоту источника атомов пленки . Учитывая, что среда изотропна из (10) получим (20). Последовательные приближения к искомому корню в этом случае будем находить по итерационной формуле (21). Таблица 1. Количество атомов висмута на алюминиевой подложке и мощности источника атомов пленки в точке (2, 2, 3) в моменты времени с , с , 1/см3 , 1/(см3×с) 0 0 0 5 0,186978×104 0,788888 10 0,850842×106 0,901052 15 0,252913×107 0,925270 20 0,453681×108 0,933428 25 0,622814×109 0,948164 30 0,753651×1010 0,950087 35 0,158437×1011 0,959165 40 0,579420×1012 0,962743 45 0,768428×1013 0,975482 50 0,778513×1014 0,980274 55 0,548329×1015 0,986513 60 0,845235×1016 0,990021 Таблица 2. Экспериментальные и вычисленные значения высоты источника висмута H в моменты времени с , с , экспериментальная , вычисленная 0 0,3 0,287456 5 0,3 0,295852 10 0,3 0,319714 15 0,3 0,301548 20 0,3 0,300001 25 0,3 0,300204 30 0,3 0,302487 35 0,3 0,300022 40 0,3 0,307504 45 0,3 0,300009 50 0,3 0,318978 55 0,3 0,294257 60 0,3 0,300045 В таблице 2 представлены экспериментальные и вычисленные с помощью разработанной программы ОЗ_ММ_Г значения высоты расположения источника атомов висмута на алюминиевой подложке. Графическая реализация экспериментальных и вычисленных значений высоты в моменты времени с представлены на рис. 1. Рис. 1. Экспериментальные (прямая линия) и вычисленные (ломанная линия) значения в моменты времени с Анализ полученных результатов показал, что численное значение высоты расположения атомов пленки в моменты времени с, полученное с помощью программного продукта ОЗ_ММ_Г, хорошо согласуется с экспериментальным значением. При этом абсолютная погрешность вычислений не превышает 2%. Таким образом, построены аналитические решения и приведено численное решение обратной задачи о восстановлении мощности источника атомов пленки, возникающей в рамках математической модели роста тонких пленок на подложках. Полученные результаты могут быть использованы в технологических процесса роста тонких пленок на подложках.

About the authors

Elena Olegovna Tarasenko

North Caucasian Federal University

Email: galail@mail.ru

Andrei Vladimirovich Gladkov

North Caucasian Federal University

Email: gavandrew@mail.ru

References

  1. Бахвалов Н.С. Численные методы. М.: Наука, 1973. - 614 с.
  2. Галай Е.О. Математическая модель образования пленок на подложках // Обозрение прикладной и промышленной математики. Т.12. Вып. 4, 2005. - С. 932.
  3. Денисов А.М. Введение в теорию обратных задач. М.: Изд-во МГУ, 1994. - 208 с.
  4. Cайт ООО НПФ «Микротехнология». URL: http://microtechnologia.ru

Statistics

Views

Abstract - 16

PDF (Russian) - 2

Cited-By


Article Metrics

Metrics Loading ...

Copyright (c) 2015 Tarasenko E.O., Gladkov A.V.

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies