Расчет распределения электрического тока и диаграммы рассеяния спиральных структур

封面
  • 作者: 1, 1
  • 隶属关系:
    1. Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики
  • 期: 卷 1 (2022)
  • 页面: 413-415
  • 栏目: Электроника и радиоэлектроника
  • URL: https://journals.eco-vector.com/osnk-sr/article/view/107198
  • ID: 107198

如何引用文章

全文:

详细

Обоснование. Структуры в виде спиральных элементов довольно-таки часто встречаются в радиотехнике. Данные структуры могут применяться как самостоятельные антенны, так и в составе антенных решеток. В настоящий момент интерес к спиральным элементам только усиливается, так как возникает острая необходимость в антеннах, которые работают в широкой полосе частот и имеют управляемую (электрически) поляризацию. Для данной цели с середины XX в. создаются различные модели спиральных антенн [1]. Наиболее точными считают модели, построенные с помощью интегральных уравнений. Спиральные элементы представляют практический интерес в качестве рассеивателей электромагнитных волн, данная функция необходима при разработке малоотражающих покрытий, хабов электромагнитной энергии и т. д. По этой причине необходимо решать задачи дифракции для спиральных элементов. Спиральные структуры являются киральными (киральность — это несовпадение объекта со своим отражением в плоском зеркале, т. е. асимметричность).

Цель — строгое электродинамическое решение задачи дифракции электромагнитных, плоскополяризационных волн для однозаходной и двухзаходной спиральных элементов представленных на рис. 1.

 

Рис. 1. Геометрия исследуемых структур: однозаходная (а) и двухзаходная (б)

 

Методы. Для спиральных структур задача дифракции плоскополяризационных электромагнитных волн может быть решена с помощью интегральных представлений электромагнитного поля. Этот метод удобен для создания математической модели спиральной структуры с целью ее полного электродинамического анализа. Для построения требуемых математических моделей используем интегральные представления электромагнитного поля, приведенные в [2]:

E(r)=WmikV(j(q)k2G(qj(q))(rr')BdV,H(r)=V((rr')×j(q)B dV.

где j — электрический ток, локализованный в объеме V;

B=ikR+1R2G,  G=exp(ikR)4πR, G — функция Грина;

R=r-r' — расстояние между точкой наблюдения и точкой источника.

В приведенной формуле отсутствуют дифференциальные операторы, которые относятся к точке наблюдения. В работе [1] интегральное представление электромагнитогого поля от тока I(l'), который локализован на образующей L тонкопроволочной структуре имеет вид:

F(r)=LI(l')KaF(r,r(l)) dl', FEH.

В этом выражении KaE(r,r(l)) и KaH(r,r(l)) — это ядра интегрального представления. С учетом дискретизирования перепишем формулу следующим образом:

F(r)=k=1NsIkKaΔ,F(r,rk)FEH.

В данном выражении KaF(r,r(l)) — это элементарные ядра сегментов. Для упрощения запишем формулу в форме:

F(r)=FaΔ(r;rk,Ik); FEH.

Выражение, которое основано на дискретизованных интегральных представлениях электромагнитного поля, позволяющее вычислять электромагнитное поле, которое создается N излучающими линейными элементами, спирали в итоге будет выглядеть так:

F(r)=i=1Nk=1NsiFaΔi(r;ri,ki,Iki)FEH.

Чтобы использовать данное выражение для начала необходимо вычислить неизвестные амплитуды токов Iki. Через rj,kj* обозначим радиус-вектор, который проведен в центр kj-го сегмента j-го элемента. В итоге мы получаем систему линейных алгебраических выражений [3]:

l^(r)E(in)(r)=l^(r)i=1Nk=1NsiFaΔi(r;rk,Ik); (1)

r=rj,kj*, j=1,...,N, kj=1,...,Nsj.

Параметрическое уравнение для однозаходной спирали будет выглядеть следующим образом:

L: L1=r1(l,0),l[0,L]. (2)

Для двухзаходной спирали запишем:

L: L1=r1(l,0), L2=r2(l,π), l[0,L]. (3)

Чтобы вычислить комплексное распределение токов на излучающих структурах используется система линейных алгебраических уравнений, которая является следствием подстановки (2) и (3) в формулу (1). После вычисления распределения токов можно проводить вычисление электрического, а затем и магнитного поля в любой точке пространства.

Результаты. Проводим вычисления распределений токов на рассматриваемых структурах. Результат при угле падения плоской электромагнитной волны θ0 = 0 представлен на рис. 2.

 

Рис. 2. Сравнение комплексных распределений тока на однозаходном (а) и двухзаходном (б) спиральных элементах

 

После вычисления распределений токов на спиральных элементах можно вычислять диаграмму рассеяния поля спиральными структурами (рис. 3).

 

Рис. 3. Сравнение нормированных амплитудных диаграмм рассеяния в азимутальной плоскости на однозаходном (а) и двухзаходном (б) спиральных элементах

 

Выводы. Рассмотрена задача рассеяния электромагнитных волн на однозаходной и двухзаходных спиральных частицах. Представлено распределение тока на рассматриваемых элементах, а также нормированные амплитудные диаграммы рассеяния в азимутальной плоскости.

全文:

Обоснование. Структуры в виде спиральных элементов довольно-таки часто встречаются в радиотехнике. Данные структуры могут применяться как самостоятельные антенны, так и в составе антенных решеток. В настоящий момент интерес к спиральным элементам только усиливается, так как возникает острая необходимость в антеннах, которые работают в широкой полосе частот и имеют управляемую (электрически) поляризацию. Для данной цели с середины XX в. создаются различные модели спиральных антенн [1]. Наиболее точными считают модели, построенные с помощью интегральных уравнений. Спиральные элементы представляют практический интерес в качестве рассеивателей электромагнитных волн, данная функция необходима при разработке малоотражающих покрытий, хабов электромагнитной энергии и т. д. По этой причине необходимо решать задачи дифракции для спиральных элементов. Спиральные структуры являются киральными (киральность — это несовпадение объекта со своим отражением в плоском зеркале, т. е. асимметричность).

Цель — строгое электродинамическое решение задачи дифракции электромагнитных, плоскополяризационных волн для однозаходной и двухзаходной спиральных элементов представленных на рис. 1.

 

Рис. 1. Геометрия исследуемых структур: однозаходная (а) и двухзаходная (б)

 

Методы. Для спиральных структур задача дифракции плоскополяризационных электромагнитных волн может быть решена с помощью интегральных представлений электромагнитного поля. Этот метод удобен для создания математической модели спиральной структуры с целью ее полного электродинамического анализа. Для построения требуемых математических моделей используем интегральные представления электромагнитного поля, приведенные в [2]:

E(r)=WmikV(j(q)k2G(qj(q))(rr')BdV,H(r)=V((rr')×j(q)B dV.

где j — электрический ток, локализованный в объеме V;

B=ikR+1R2G,  G=exp(ikR)4πR, G — функция Грина;

R=r-r' — расстояние между точкой наблюдения и точкой источника.

В приведенной формуле отсутствуют дифференциальные операторы, которые относятся к точке наблюдения. В работе [1] интегральное представление электромагнитогого поля от тока I(l'), который локализован на образующей L тонкопроволочной структуре имеет вид:

F(r)=LI(l')KaF(r,r(l)) dl', FEH.

В этом выражении KaE(r,r(l)) и KaH(r,r(l)) — это ядра интегрального представления. С учетом дискретизирования перепишем формулу следующим образом:

F(r)=k=1NsIkKaΔ,F(r,rk)FEH.

В данном выражении KaF(r,r(l)) — это элементарные ядра сегментов. Для упрощения запишем формулу в форме:

F(r)=FaΔ(r;rk,Ik); FEH.

Выражение, которое основано на дискретизованных интегральных представлениях электромагнитного поля, позволяющее вычислять электромагнитное поле, которое создается N излучающими линейными элементами, спирали в итоге будет выглядеть так:

F(r)=i=1Nk=1NsiFaΔi(r;ri,ki,Iki)FEH.

Чтобы использовать данное выражение для начала необходимо вычислить неизвестные амплитуды токов Iki. Через rj,kj* обозначим радиус-вектор, который проведен в центр kj-го сегмента j-го элемента. В итоге мы получаем систему линейных алгебраических выражений [3]:

l^(r)E(in)(r)=l^(r)i=1Nk=1NsiFaΔi(r;rk,Ik); (1)

r=rj,kj*, j=1,...,N, kj=1,...,Nsj.

Параметрическое уравнение для однозаходной спирали будет выглядеть следующим образом:

L: L1=r1(l,0),l[0,L]. (2)

Для двухзаходной спирали запишем:

L: L1=r1(l,0), L2=r2(l,π), l[0,L]. (3)

Чтобы вычислить комплексное распределение токов на излучающих структурах используется система линейных алгебраических уравнений, которая является следствием подстановки (2) и (3) в формулу (1). После вычисления распределения токов можно проводить вычисление электрического, а затем и магнитного поля в любой точке пространства.

Результаты. Проводим вычисления распределений токов на рассматриваемых структурах. Результат при угле падения плоской электромагнитной волны θ0 = 0 представлен на рис. 2.

 

Рис. 2. Сравнение комплексных распределений тока на однозаходном (а) и двухзаходном (б) спиральных элементах

 

После вычисления распределений токов на спиральных элементах можно вычислять диаграмму рассеяния поля спиральными структурами (рис. 3).

 

Рис. 3. Сравнение нормированных амплитудных диаграмм рассеяния в азимутальной плоскости на однозаходном (а) и двухзаходном (б) спиральных элементах

 

Выводы. Рассмотрена задача рассеяния электромагнитных волн на однозаходной и двухзаходных спиральных частицах. Представлено распределение тока на рассматриваемых элементах, а также нормированные амплитудные диаграммы рассеяния в азимутальной плоскости.

×

作者简介

Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики

Email: koshki-tdr98@mail.ru

магистрант, группа ИКТм-02, отдел магистратуры

俄罗斯联邦, Самара

Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики

编辑信件的主要联系方式.
Email: illuminator84@yandex.ru

научный руководитель, доктор физико-математических наук, профессор; профессор кафедры радиоэлектронных систем

俄罗斯联邦, Самара

参考

  1. Драбкин А.Л., Зузенко В.Л., Кислов А.Г. Антенно-фидерные устройства. 2-е изд, доп. и перераб. Москва: Советское радио, 1974. 536 с.
  2. Капитонов В.А., Неганов В.А., Марсаков И.Ю., Табаков Д.П. Интегральное представление электромагнитного поля геометрически киральной структуры // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2012. Т. 15, № 4. С. 6–13.
  3. Стрижков В.А. Математическое моделирование электродинамических процессов в сложных антенных системах // Математическое моделирование. 1989. Т. 1, № 8. С. 127–138.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
2. Рис. 1. Геометрия исследуемых структур: однозаходная (а) и двухзаходная (б)

下载 (296KB)
3. Рис. 2. Сравнение комплексных распределений тока на однозаходном (а) и двухзаходном (б) спиральных элементах

下载 (222KB)
4. Рис. 3. Сравнение нормированных амплитудных диаграмм рассеяния в азимутальной плоскости на однозаходном (а) и двух- заходном (б) спиральных элементах

下载 (152KB)

版权所有 © Валиуллин Р.М., Табаков Д.П., 2022

Creative Commons License
此作品已接受知识共享署名 4.0国际许可协议的许可
##common.cookie##