Плазмохимическое осаждение тонких пленок GaS на различные типы подложек

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Моносульфид галлия (GaS), как представитель монохалькогенидных слоистых материалов III группы, является полупроводником с широкой запрещенной зоной. Он считается идеальным материалом для детекторов света в синем и ближнем ультрафиолетовом диапазонах спектра. В этой работе впервые применен метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) для получения тонких пленок GaS на различных подложках, где в качестве исходных веществ выступали высокочистые галлий и сера. Для инициирования взаимодействия между исходными материалами использовался неравновесный плазменный ВЧ-разряд (40.68 МГц) при давлении 0.1 Торр. Исследовано влияние природы подложки на стехиометрию, структуру и морфологию поверхности пленок GaS. Плазмохимический процесс изучался методом оптической эмиссионной спектроскопии.

Об авторах

М. А. Кудряшов

Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24; Россия, 603022, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23

Л. А. Мочалов

Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24; Россия, 603022, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23

И. О. Прохоров

Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24; Россия, 603022, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23

М. А. Вшивцев

Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева

Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24

Ю. П. Кудряшова

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603022, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23

В. М. Малышев

Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева

Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24

Е. А. Слаповская

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Автор, ответственный за переписку.
Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603022, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23

Список литературы

  1. Wang Q.H., Kalantar-Zadeh K., Kis A., Coleman J.N., Strano M.S. // Nat. Nanotechnol. 2012. V. 7. № 11. P. 699.
  2. Jung C.S., Shojaei F., Park K., Oh J. Y., Im H.S., Jang D.M., Kang H.S. // ACS Nano. 2015. V. 9. № 10. P. 9585.
  3. Haishuang L., Yu C., Kexin Y., Yawei K., Zhongguo L., Yushen L. // Front. Mater. 2021. V. 8. P. 478.
  4. Cuculescu E., Evtodiev I., Caraman M., Rusu M. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2006. V. 8. № 3. P. 1077.
  5. Okamoto N., Tanaka H. // Mater. Sci. Semicond. Process. 1999. V. 2. P. 13.
  6. Jastrzebski C., Olkowska K., Jastrzebski D.J., Wierzbicki M., Gebicki W., Podsiadlo S. // J. Phys. Condens. Matter. 2018. V. 31. P. 075303.
  7. Hu P., Wang L., Yoon M., Zhang J., Feng W., Wang X., Xiao K. // Nano Lett. 2013. V. 13. № 4. P. 1649.
  8. Gutiérrez Y., Juan D., Dicorato S., Santos G., Duwe M., Thiesen P.H., Giangregorio M.M., Palumbo F., Hingerl K., Cobet C., García-Fernández P., Junquera J., Moreno F., Losurdo M. // Opt. Express. 2022. V. 30. № 15. P. 27609.
  9. Lieth R.M.A., Van Der Maesen F. // Phys. status solidi A. 1972. V. 10. № 1. P. 73.
  10. Kipperman A.H.M., Vermij C.J. // Nuovo cimento B. 1969. V. 63. P. 29.
  11. Wang X., Sheng Y., Chang R.J., Lee J.K., Zhou Y., Li S., Warner J.H. // ACS Omega. 2018. V. 3. № 7. P. 7897.
  12. Sanz C., Guillén C., Gutiérrez M.T. // J. Phys. D. 2009. V. 42. P. 085108.
  13. Chen X., Hou X., Cao X., Ding X., Chen L., Zhao G., Wang X. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 173. № 1. P. 51.
  14. Okamoto N., Tanaka H., Hara N. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. № 2. P. 104.
  15. Mochalov L., Logunov A., Prokhorov I., Vshivtsev M., Kudryashov M., Kudryashova Y., Malyshev V., Spivak Y., Greshnyakov E., Knyazev A., Fukina D., Yunin P., Moshnikov V. // Opt. Quantum Electron. 2022. V. 54. P. 646.
  16. Shirai T., Reader J., Kramida A.E., Sugar J. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 2007. V. 36. № 2. P. 509.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (461KB)
3.

Скачать (291KB)
4.

Скачать (185KB)
5.

Скачать (1021KB)

© М.А. Кудряшов, Л.А. Мочалов, И.О. Прохоров, М.А. Вшивцев, Ю.П. Кудряшова, В.М. Малышев, Е.А. Слаповская, 2023