Плазмохимическое осаждение тонких пленок GaS на различные типы подложек
- Авторы: Кудряшов М.А.1,2, Мочалов Л.А.1,2, Прохоров И.О.1,2, Вшивцев М.А.1, Кудряшова Ю.П.2, Малышев В.М.1, Слаповская Е.А.2
-
Учреждения:
- Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
- Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
- Выпуск: Том 57, № 6 (2023)
- Страницы: 495-499
- Раздел: ПЛАЗМОХИМИЯ
- URL: https://journals.eco-vector.com/0023-1193/article/view/661470
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023119323060098
- EDN: https://elibrary.ru/RULDFW
- ID: 661470
Цитировать
Аннотация
Моносульфид галлия (GaS), как представитель монохалькогенидных слоистых материалов III группы, является полупроводником с широкой запрещенной зоной. Он считается идеальным материалом для детекторов света в синем и ближнем ультрафиолетовом диапазонах спектра. В этой работе впервые применен метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) для получения тонких пленок GaS на различных подложках, где в качестве исходных веществ выступали высокочистые галлий и сера. Для инициирования взаимодействия между исходными материалами использовался неравновесный плазменный ВЧ-разряд (40.68 МГц) при давлении 0.1 Торр. Исследовано влияние природы подложки на стехиометрию, структуру и морфологию поверхности пленок GaS. Плазмохимический процесс изучался методом оптической эмиссионной спектроскопии.
Ключевые слова
Об авторах
М. А. Кудряшов
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24; Россия, 603022, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23
Л. А. Мочалов
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24; Россия, 603022, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23
И. О. Прохоров
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24; Россия, 603022, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23
М. А. Вшивцев
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24
Ю. П. Кудряшова
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603022, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23
В. М. Малышев
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24
Е. А. Слаповская
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Автор, ответственный за переписку.
Email: mvshivtcev@mail.ru
Россия, 603022, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23
Список литературы
- Wang Q.H., Kalantar-Zadeh K., Kis A., Coleman J.N., Strano M.S. // Nat. Nanotechnol. 2012. V. 7. № 11. P. 699.
- Jung C.S., Shojaei F., Park K., Oh J. Y., Im H.S., Jang D.M., Kang H.S. // ACS Nano. 2015. V. 9. № 10. P. 9585.
- Haishuang L., Yu C., Kexin Y., Yawei K., Zhongguo L., Yushen L. // Front. Mater. 2021. V. 8. P. 478.
- Cuculescu E., Evtodiev I., Caraman M., Rusu M. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2006. V. 8. № 3. P. 1077.
- Okamoto N., Tanaka H. // Mater. Sci. Semicond. Process. 1999. V. 2. P. 13.
- Jastrzebski C., Olkowska K., Jastrzebski D.J., Wierzbicki M., Gebicki W., Podsiadlo S. // J. Phys. Condens. Matter. 2018. V. 31. P. 075303.
- Hu P., Wang L., Yoon M., Zhang J., Feng W., Wang X., Xiao K. // Nano Lett. 2013. V. 13. № 4. P. 1649.
- Gutiérrez Y., Juan D., Dicorato S., Santos G., Duwe M., Thiesen P.H., Giangregorio M.M., Palumbo F., Hingerl K., Cobet C., García-Fernández P., Junquera J., Moreno F., Losurdo M. // Opt. Express. 2022. V. 30. № 15. P. 27609.
- Lieth R.M.A., Van Der Maesen F. // Phys. status solidi A. 1972. V. 10. № 1. P. 73.
- Kipperman A.H.M., Vermij C.J. // Nuovo cimento B. 1969. V. 63. P. 29.
- Wang X., Sheng Y., Chang R.J., Lee J.K., Zhou Y., Li S., Warner J.H. // ACS Omega. 2018. V. 3. № 7. P. 7897.
- Sanz C., Guillén C., Gutiérrez M.T. // J. Phys. D. 2009. V. 42. P. 085108.
- Chen X., Hou X., Cao X., Ding X., Chen L., Zhao G., Wang X. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 173. № 1. P. 51.
- Okamoto N., Tanaka H., Hara N. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. № 2. P. 104.
- Mochalov L., Logunov A., Prokhorov I., Vshivtsev M., Kudryashov M., Kudryashova Y., Malyshev V., Spivak Y., Greshnyakov E., Knyazev A., Fukina D., Yunin P., Moshnikov V. // Opt. Quantum Electron. 2022. V. 54. P. 646.
- Shirai T., Reader J., Kramida A.E., Sugar J. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 2007. V. 36. № 2. P. 509.
Дополнительные файлы
