Основные подходы к построению схем управления питанием GaN СВЧ-усилителей мощности
- Авторы: Савченко Е.1, Мартынов А.1, Першин А.1, Селиванов М.1
-
Учреждения:
- ООО «Центр инновационных разработок ВАО»
- Выпуск: № 9 (2024)
- Страницы: 96-102
- Раздел: СВЧ-электроника
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/642439
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2024.240.9.96.102
- ID: 642439
Цитировать
Полный текст



Аннотация
СВЧ-усилители мощности на основе нитрида галлия являются ключевыми компонентами в телекоммуникационных системах, радарной технике и контрольно-измерительном оборудовании. Как известно, усилители мощности данного типа работают в режиме обеднения. Для обеспечения безопасной работы таких устройств и достижения максимальных выходных характеристик, необходимы специализированные схемы управления питанием. В статье рассмотрены принципы построения схем управления питанием GaN СВЧ-усилителей мощности, представлен обзор коммерчески доступных решений.
Ключевые слова
Полный текст

Об авторах
Е. Савченко
ООО «Центр инновационных разработок ВАО»
Email: planet209@mail.ru
кандидат технических наук, ведущий инженер
Россия, 107023, Москва
А. Мартынов
ООО «Центр инновационных разработок ВАО»
Email: smv@icvao.ru
президент компании
Россия, 107023, МоскваА. Першин
ООО «Центр инновационных разработок ВАО»
Email: smv@icvao.ru
начальник центра проектирования
Россия, 107023, МоскваМ. Селиванов
ООО «Центр инновационных разработок ВАО»
Автор, ответственный за переписку.
Email: smv@icvao.ru
инженер 2 категории
Россия, 107023, МоскваСписок литературы
- Савченко Е.М., Першин А.Д., Кузьмин А.Ю. СВЧ МИС широкополосных усилителей как универсальные компоненты современной радиоэлектронной аппаратуры // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. 2020. Т. 3, № 1. С. 75–97.
- Савченко Е.М., Будяков А.С., Гаранович Д.И., Огурцова К.М. Состояние и перспективы развития интегральных схем программно-конфигурируемых радиочастотных приемопередатчиков // Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2019. Т. 1. С. 15–20.
- Лебедев А.А., Будяков А.С., Савченко Е.М. Проектирование микроэлектронной аналоговой ЭКБ с улучшенными характеристиками в рамках синергетической парадигмы // Сборник материалов конференции «Микроэлектроника-2019». 2020. Т.1. С. 137–140.
- Lamarche M. The benefits and challenges of using GaN technology in AESA radar systems. Military Embedded Systems // https://militaryembedded.com/radar-ew/rf-and-microwave/the-benefits-and-challenges-of-using-gan-technology-in-aesa-radar-systems
- Yuk K., Branner G.R., Cui C. Future directions for GaN in 5G and satellite communications // Conference: 2017 IEEE 60th International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS)
- Switched active bias control and power-on sequencing circuit for an amplifier. Hittite Microwave Corporation, Chelmsford, USA: патент, 2012. US 8,319,560 B2
- Active bias control circuit for an amplifier and method of power up sequencing the same. Hittite Microwave Corporation, Chelmsford, USA: патент, 2012. US 8,319,559 B2
- GaN transistor with integrated drain voltage sense for fast overcurrent and short circuit protection. GaN Systems Inc., Ottawa, Canada: патент, 2021. US 11,082,039 B2
- Gate drivers and auto-zero comparators. Texas Instruments, Dallas. USA: патент, 2022. US 11,394,380 B2
- https://www.analog.com/en/index.html
- https://www.qorvo.com/
- https://www.macom.com/
- https://www.xsystor.com
- Савченко Е.М., Пронин А.А., Першин А.Д., Кузьмин А.Ю. Особенности применения СВЧ-усилителей средней мощности в импульсном режиме работы // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2018. Т. 18, № 3. С. 803–806.
- Kim H.J., Cho W.J., Kwon J.H., Lee J.W. An X-Band 100W GaN HEMT Power Amplifier Using a Hybrid Switching Method for Fast Pulse Switching. Progress In Electromagnetics Research B, Vol. 78. 1–14, 201.
- Dhanyal H.R., Ahmed A., Javed M., Javed T., Burney A., Ahsan N. Design & Development of 45 Watt GaN HEMT Power Amplifier with High Speed Gate Switching for Pulsed Radar Application. Conference: 2018 15th International Bhurban Conference on Applied Sciences and Technology (IBCAST). January, 2018.
- Kanto K., Satomi A., Asahi Y., Kashiwabara Y., Matsushita K., Takagi K. An X-band250W solid-state power amplifier using GaN power HEMTs // IEEE Radio and Wireless Symp., РР. 77–80, Jan. 2008.
- Shigematsu H., Inoue Y., Akasegawa A., Yamada M., Masuda S., Kamada Y., Yamada A. et al. C-band 340-W and X-band 100-W GaN power amplifiers with over 50% PAE // IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig., РР. 1265–1268, Jun. 2008.
- Mitani E., Aojima M., Sano S. A kW-class AlGaN/GaN HEMT pallet amplifier for S-band high power application // European Microwave Integrated Circuits Conf., РР. 176–179, Oct. 2007.
- https://www.ti.com/
Дополнительные файлы
