Basic approaches to building power management circuits for GaN microwave power amplifiers
- Authors: Savchenko E.1, Martynov A.1, Pershin A.1, Selivanov M.1
-
Affiliations:
- ООО «Центр инновационных разработок ВАО»
- Issue: No 9 (2024)
- Pages: 96-102
- Section: Microwave electronics
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/642439
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2024.240.9.96.102
- ID: 642439
Cite item
Abstract
To ensure safe operation of GaN-based microwave power amplifiers and achieve maximum output characteristics, specialized power management circuits are required. The article discusses the principles of building power management circuits for GaN microwave power amplifiers and provides an overview of commercially available solutions.
Full Text

About the authors
E. Savchenko
ООО «Центр инновационных разработок ВАО»
Email: planet209@mail.ru
кандидат технических наук, ведущий инженер
Russian Federation, 107023, Москва
A. Martynov
ООО «Центр инновационных разработок ВАО»
Email: smv@icvao.ru
президент компании
Russian Federation, 107023, МоскваA. Pershin
ООО «Центр инновационных разработок ВАО»
Email: smv@icvao.ru
начальник центра проектирования
Russian Federation, 107023, МоскваM. Selivanov
ООО «Центр инновационных разработок ВАО»
Author for correspondence.
Email: smv@icvao.ru
инженер 2 категории
Russian Federation, 107023, МоскваReferences
- Савченко Е.М., Першин А.Д., Кузьмин А.Ю. СВЧ МИС широкополосных усилителей как универсальные компоненты современной радиоэлектронной аппаратуры // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. 2020. Т. 3, № 1. С. 75–97.
- Савченко Е.М., Будяков А.С., Гаранович Д.И., Огурцова К.М. Состояние и перспективы развития интегральных схем программно-конфигурируемых радиочастотных приемопередатчиков // Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2019. Т. 1. С. 15–20.
- Лебедев А.А., Будяков А.С., Савченко Е.М. Проектирование микроэлектронной аналоговой ЭКБ с улучшенными характеристиками в рамках синергетической парадигмы // Сборник материалов конференции «Микроэлектроника-2019». 2020. Т.1. С. 137–140.
- Lamarche M. The benefits and challenges of using GaN technology in AESA radar systems. Military Embedded Systems // https://militaryembedded.com/radar-ew/rf-and-microwave/the-benefits-and-challenges-of-using-gan-technology-in-aesa-radar-systems
- Yuk K., Branner G.R., Cui C. Future directions for GaN in 5G and satellite communications // Conference: 2017 IEEE 60th International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS)
- Switched active bias control and power-on sequencing circuit for an amplifier. Hittite Microwave Corporation, Chelmsford, USA: патент, 2012. US 8,319,560 B2
- Active bias control circuit for an amplifier and method of power up sequencing the same. Hittite Microwave Corporation, Chelmsford, USA: патент, 2012. US 8,319,559 B2
- GaN transistor with integrated drain voltage sense for fast overcurrent and short circuit protection. GaN Systems Inc., Ottawa, Canada: патент, 2021. US 11,082,039 B2
- Gate drivers and auto-zero comparators. Texas Instruments, Dallas. USA: патент, 2022. US 11,394,380 B2
- https://www.analog.com/en/index.html
- https://www.qorvo.com/
- https://www.macom.com/
- https://www.xsystor.com
- Савченко Е.М., Пронин А.А., Першин А.Д., Кузьмин А.Ю. Особенности применения СВЧ-усилителей средней мощности в импульсном режиме работы // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2018. Т. 18, № 3. С. 803–806.
- Kim H.J., Cho W.J., Kwon J.H., Lee J.W. An X-Band 100W GaN HEMT Power Amplifier Using a Hybrid Switching Method for Fast Pulse Switching. Progress In Electromagnetics Research B, Vol. 78. 1–14, 201.
- Dhanyal H.R., Ahmed A., Javed M., Javed T., Burney A., Ahsan N. Design & Development of 45 Watt GaN HEMT Power Amplifier with High Speed Gate Switching for Pulsed Radar Application. Conference: 2018 15th International Bhurban Conference on Applied Sciences and Technology (IBCAST). January, 2018.
- Kanto K., Satomi A., Asahi Y., Kashiwabara Y., Matsushita K., Takagi K. An X-band250W solid-state power amplifier using GaN power HEMTs // IEEE Radio and Wireless Symp., РР. 77–80, Jan. 2008.
- Shigematsu H., Inoue Y., Akasegawa A., Yamada M., Masuda S., Kamada Y., Yamada A. et al. C-band 340-W and X-band 100-W GaN power amplifiers with over 50% PAE // IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig., РР. 1265–1268, Jun. 2008.
- Mitani E., Aojima M., Sano S. A kW-class AlGaN/GaN HEMT pallet amplifier for S-band high power application // European Microwave Integrated Circuits Conf., РР. 176–179, Oct. 2007.
- https://www.ti.com/
Supplementary files
