Повышение излучательной способности ИК-источников путем формирования эмиссионного покрытия методом вакуум-термического испарения

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты измерения характеристик ИК-источников, созданных на основе b-Al-покрытия. Отмечена их стабильность, объяснено отличие от теоретически предсказанных.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

А. М. Тарасов

Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

Автор, ответственный за переписку.
Email: aig@oparina4.ru
ORCID iD: 0000-0003-3648-8717
Россия, г. Зеленоград, Москва

Д. В. Новиков

Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

Email: aig@oparina4.ru
ORCID iD: 0000-0002-9518-1208
Россия, г. Зеленоград, Москва

Д. В. Горелов

ФГБНУ НПК «Технологический центр»

Email: aig@oparina4.ru
ORCID iD: 0000-0002-0887-9406
Россия, г. Зеленоград, Москва

С. С. Генералов

ФГБНУ НПК «Технологический центр»

Email: aig@oparina4.ru
ORCID iD: 0000-0002-7455-7800
Россия, г. Зеленоград, Москва

В. В. Амеличев

ФГБНУ НПК «Технологический центр»

Email: aig@oparina4.ru
ORCID iD: 0000-0002-4204-2626
Россия, г. Зеленоград, Москва

Список литературы

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Тарасов А.М., Новиков Д.В., Горелов Д.В., Генералов С.С., Амеличев В.В., 2024

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах