Фотоника

Весной 2023 года Мэр Москвы Сергей Собянин и Вице-премьер, Министр промышленности и торговли Российской Федерации Денис Мантуров приняли участие в церемонии запуска производства лазеров и лазерного оборудования на территории особой экономической зоны (ОЭЗ) «Технополис Москва». Компания ЛАССАРД стала резидентом ОЭЗ технико-внедренческого типа, а это означает, что для ее бизнеса налоговые, таможенные и некоторые другие правила теперь отличаются от общих правил в стране. Об использовании преимуществ работы в ОЭЗ «Технополис Москва» и оценке развития бизнеса компании мы беседуем с Руководителем коммерческого департамента ГК ЛАССАРД Дмитрием Андреевым.

В статье представлен мобильный лазер-робота МЭЛ-3.0 для лазерного термоупрочнения и наплавки широкого перечня изделий, снабженный диодным лазером. Робот создан компанией ООО «ТермоЛазер». Приведены примеры термоупрочнения матриц штампов и их восстановления на некоторых предприятиях. Обсуждаются возможности мобильного роботизированного лазерного инструмента и некоторые вопросы его использования применительно к крупногабаритным объектам, в том числе непосредственно на месте их эксплуатации.

Чуть более месяца прошло с момента закрытия выставки «Фотоника. Мир лазеров и оптики-2024», в рамках которой сопровождающая экспозицию Деловая программа вызвала такой же большой интерес. «Лицом к лицу лица не увидать: большое видится на расстоянье…». Теперь можно окинуть взглядом отечественный рынок фотоники, сделать какие-то выводы, пусть пока и поверхностные, о состоянии оптико-электронной отрасли, лазерного станкостроения, производства лазерной техники, приоткрыть завесу над продукцией фотонной отрасли Китая.

Рассмотрена методика измерений высокочастотных характеристик интегрального Ge-фотодиода с учетом его реального окружения в фотонной (ФИС) или фотонно-электронной (ФЭИС) интегральной схеме и зондовая установка для ее реализации. Особенностью методики является использование двух источников когерентного оптического излучения с отличающимися длинами волн. Представлены результаты экспериментального исследования коэффициента оптоэлектронного преобразования Ge-фотодиода в специально разработанной измерительной ФИС, изготовленной по фотонно-электронной SiGe БиКМОП технологии. При длине волны 1 550 нм полоса частот Ge-фотодиода достигает ~30 ГГц, что дает возможность использовать его в составе интегральных оптических приемников со скоростью передачи данных не менее 25 Гбит / с. С использованием электромагнитного моделирования разработана малосигнальная модель Ge-фотодиода, размещенного в ФИС или ФЭИС, которая позволяет провести расчет характеристик монолитно-интегрированного оптического приемника.

Впервые тонкие пленки GaSe были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD), где в качестве исходных веществ использовались высокочистые элементарные галлий и селен. Инициирование взаимодействия элементов осуществлялось ВЧ-разрядом (40,68 МГц) при пониженном давлении 0,1 Торр. Исследованы состав, морфология поверхности, структурные и оптические свойства пленок селенида галлия в зависимости от температуры подложки. Осажденные пленки поликристаллического GaSe были получены на сапфировой подложке при температурах 250 и 350 °C, а аморфные пленки GaSe – при 150 °C.