High-capacity transport FOTS. Part 3. Evolution of technologies for manufacturing coherent DSPs

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

This series of papers presents international industry standards for 400G open line interfaces with interchangeable coherent optical transceiver modules (transceivers) for OTN/DWDM transport fiber optic transmission systems (Part 1), evolution of generations of coherent digital signal processors (DSPs) for high-speed optical channels (wavelengths) in FOTS (Part 2), and evolution of technologies for manufacturing coherent DSPs for FOTS (Part 3).

Full Text

Restricted Access

About the authors

S. S. Kogan

Компания "Т8"

Author for correspondence.
Email: kogan@t8.ru

к.т.н., советник генерального директора по формированию технической стратегии

Russian Federation

References

  1. Производство чипов размером 1 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://radioskot.ru/publ/teoria/tehnologiya-proizvodstva-chipov-razmerom-1-nm (дата обращения 06.08.2024).
  2. Gate-All-Around (GAA). [Электронный ресурс]. URL: https://www.appliedmaterials.com/us/en/semiconductor/markets-and-inflections/advanced-logic/gaa.html#:~:text=Gate-All-Around%20(GAA)%20is%20a%20transistor%20architecture,are%20horizontal%20instead%20of%20vertical (дата обращения 06.08.2024).
  3. Коган С.С. Транспортные ВОСП большой пропускной способности. Часть 2. Эволюция когерентных цифровых сигнальных процессоров (начало) // ПЕРВАЯ МИЛЯ. 2024. № 4. С. 38–42.
  4. Коган С.С. Транспортные ВОСП большой пропускной способности. Часть 2. Эволюция когерентных цифровых сигнальных процессоров (окончание) // ПЕРВАЯ МИЛЯ. 2024. № 5. С. 52–59.
  5. Оптический трансивер против оптического двигателя и CPO против OBO [Электронный ресурс]. URL: https://www.fibermall.com/ru/blog/optical-transceiver-engine-cpo-obo.htm (дата обращения 06.08.2024).
  6. Начало войны техпроцессов: 5 нм и 3 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://habr.com/ru/articles/487908/ (дата обращения 06.08.2024).
  7. Roadmapping the next generation of silicon photonics. [Электронный ресурс]. URL: https://www.nature.com/articles/s41467-024-44750-0#Sec1 (дата обращения 06.08.2024).
  8. Silicon on Insulator. [Электронный ресурс]. URL: https://www.sciencedirect.com/topics/materials-science/silicon-on-insulator (дата обращения 06.08.2024).
  9. FinFET устройства: что это и для чего нужны. [Электронный ресурс]. URL: https://supereyes.ru/articles/other/chto-takoe-finfet/ (дата обращения 06.08.2024).
  10. Производство чипов размером 1 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://radioskot.ru/publ/teoria/tehnologiya-proizvodstva-chipov-razmerom-1-nm (дата обращения 06.08.2024).
  11. High-k. [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/High-k (дата обращения 06.08.2024).
  12. Atomic layer deposition. [Электронный ресурс]. URL: https://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_layer_deposition (дата обращения 06.08.2024).
  13. Fin field-effect transistor. [Электронный ресурс]. URL: https://en.wikipedia.org/wiki/Fin_field-effect_transistor (дата обращения 06.08.2024).
  14. МОП-транзистор. [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/МОП-транзистор (дата обращения 06.08.2024).
  15. MOSFET-транзисторы. [Электронный ресурс]. URL: https://power-electronics.info/mosfet.html (дата обращения 06.08.2024).
  16. MOSFET транзисторы. Полевой транзистор с изолированным затвором. [Электронный ресурс]. URL: https://go-radio.ru/mosfet-transistors.html (дата обращения 06.08.2024).
  17. Биполярный транзистор с изолированным затвором. [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор_с_изолированным_затвором (дата обращения 06.08.2024).
  18. FinFET-транзисторы. [Электронный ресурс]. URL: https://digteh.ru/foe/tranzistor/fet/fin/ (дата обращения 06.08.2024).
  19. Диэлектрики. Типы диэлектриков и их поляризация. [Электронный ресурс]. URL: https://www.fizika.guo.by/uploads/b1/s/13/807/basic/0/159/Dielektriki.pdf?t (дата обращения 06.08.2024).

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
2. Fig. 1. Evolution of technologies for the production of DSPs [6]

Download (2MB)
3. Fig. 2. Structure of a MosFET or Planar FET cell

Download (179KB)
4. Fig. 3. Simplified model of a conventional field-effect induced-channel MOSFET [18]

Download (471KB)

Copyright (c) 2024 Kogan S.S.