Транспортные ВОСП большой пропускной способности. Часть 3. Эволюция технологий для изготовления когерентных ЦСП. Окончание

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

В цикле статей представлены международные отраслевые стандарты для открытых линейных интерфейсов 400G со сменными когерентными оптическими модулями-приемопередатчиками (трансиверами) транспортных волоконно-оптических систем передачи (ВОСП) OTN/DWDM (часть 1), эволюция поколений когерентных цифровых сигнальных процессоров (ЦСП) для высокоскоростных оптических каналов (длин волн) ВОСП (часть 2), а также эволюция технологий для изготовления когерентных ЦСП для ВОСП (часть 3).

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

С. С. Коган

Компания "Т8"

Автор, ответственный за переписку.
Email: kogan@t8.ru

к.т.н., советник генерального директора по формированию технической стратегии

Россия

Список литературы

  1. Производство чипов размером 1 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://radioskot.ru/publ/teoria/tehnologiya-proizvodstva-chipov-razmerom-1-nm (дата обращения 06.08.2024).
  2. Gate-All-Around (GAA). [Электронный ресурс]. URL: https://www.appliedmaterials.com/us/en/semiconductor/markets-and-inflections/advanced-logic/gaa.html#:~:text=Gate-All-Around%20(GAA)%20is%20a%20transistor%20architecture,are%20horizontal%20instead%20of%20vertical (дата обращения 06.08.2024).
  3. Коган С.С. Транспортные ВОСП большой пропускной способности. Часть 2. Эволюция когерентных цифровых сигнальных процессоров (начало) // ПЕРВАЯ МИЛЯ. 2024. № 4. С. 38–42.
  4. Коган С.С. Транспортные ВОСП большой пропускной способности. Часть 2. Эволюция когерентных цифровых сигнальных процессоров (окончание) // ПЕРВАЯ МИЛЯ. 2024. № 5. С. 52–59.
  5. Оптический трансивер против оптического двигателя и CPO против OBO. [Электронный ресурс]. URL: https://www.fibermall.com/ru/blog/optical-transceiver-engine-cpo-obo.htm (дата обращения 06.08.2024).
  6. Начало войны техпроцессов: 5 нм и 3 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://habr.com/ru/articles/487908/ (дата обращения 06.08.2024).
  7. Roadmapping the next generation of silicon photonics. [Электронный ресурс]. URL: https://www.nature.com/articles/s41467-024-44750-0#Sec1 (дата обращения 06.08.2024).
  8. Silicon on Insulator. [Электронный ресурс]. URL: https://www.sciencedirect.com/topics/materials-science/silicon-on-insulator (дата обращения 06.08.2024).
  9. FinFET устройства: что это и для чего нужны. [Электронный ресурс]. URL: https://supereyes.ru/articles/other/chto-takoe-finfet/ (дата обращения 06.08.2024).
  10. Производство чипов размером 1 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://radioskot.ru/publ/teoria/tehnologiya-proizvodstva-chipov-razmerom-1-nm (дата обращения 06.08.2024).
  11. High-k. [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/High-k (дата обращения 06.08.2024).
  12. Atomic layer deposition. [Электронный ресурс]. URL: https://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_layer_deposition (дата обращения 06.08.2024).
  13. Fin field-effect transistor. [Электронный ресурс]. URL: https://en.wikipedia.org/wiki/Fin_field-effect_transistor (дата обращения 06.08.2024).
  14. МОП-транзистор. [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/МОП-транзистор (дата обращения 06.08.2024).
  15. MOSFET-транзисторы. [Электронный ресурс]. URL: https://power-electronics.info/mosfet.html (дата обращения 06.08.2024).
  16. MOSFET транзисторы. Полевой транзистор с изолированным затвором. [Электронный ресурс]. URL: https://go-radio.ru/mosfet-transistors.html (дата обращения 06.08.2024).
  17. Биполярный транзистор с изолированным затвором. [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор_с_изолированным_затвором (дата обращения 06.08.2024).
  18. FinFET-транзисторы. [Электронный ресурс]. URL: https://digteh.ru/foe/tranzistor/fet/fin/ (дата обращения 06.08.2024).
  19. Диэлектрики. Типы диэлектриков и их поляризация. [Электронный ресурс]. URL: https://www.fizika.guo.by/uploads/b1/s/13/807/basic/0/159/Dielektriki.pdf?t (дата обращения 06.08.2024).
  20. FinFET устройства: что это и для чего нужны. [Электронный ресурс]. URL: https://supereyes.ru/articles/other/chto-takoe-finfet/ (дата обращения 06.08.2024).
  21. New Innovations Needed to Continue Scaling Advanced Logic. [Электронный ресурс]. URL: https://www.appliedmaterials.com/us/en/blog/blog-posts/new-innovations-needed-to-continue-scaling-advanced-logic.html (дата обращения 06.08.2024).
  22. Технология GAA для производства 1, 4-нм чипов поможет Samsung опередить конкурентов. [Электронный ресурс]. URL: https://overclockers.ru/blog/Fantoci/show/117989/samsung-raskryla-pervye-podrobnosti-o-1-4-nm-tehprocesse (дата обращения 06.08.2024).
  23. 5-нм транзисторы GAA с окружающим затвором в ячейках памяти SRAM. [Электронный ресурс]. URL: https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/allgemein/technology/44786-gaa-nanowire-5-nm.html (дата обращения 06.08.2024).
  24. What is GAA transistor? [Электронный ресурс]. URL: https://www.asml.com/en/news/stories/2022/what-is-a-gate-all-around-transistor (дата обращения 06.08.2024).
  25. Epitaxy. [Электронный ресурс]. URL: https://en.wikipedia.org/wiki/Epitaxy (дата обращения 06.08.2024).
  26. 5 нм против 3 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://habr.com/ru/articles/461875/ (дата обращения 06.08.2024).
  27. 2nm Chip Technology: Intel, Samsung, and TSMC's New Race. [Электронный ресурс]. URL: https://www.electropages.com/blog/2024/07/intel-samsung-and-tsmc-race-towards-2nm-chip-technology (дата обращения 26.10.2024).
  28. Collaboration with leading Japanese AI company will produce cutting-edge AI accelerator chips. [Электронный ресурс]. URL: https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-to-provide-turnkey-semiconductor-solutions-with-2nm-gaa-process-and-2-5d-package-to-preferred-networks/. (дата обращения 26.10.2024).
  29. Marvell Announces Industry’s First 2nm Platform for Accelerated Infrastructure Silicon. [Электронный ресурс]. URL: https://www.marvell.com/company/newsroom/marvell-announces-industry-first-2nm-platform-for-accelerated-infrastructure-silicon.html (дата обращения 26.10.2024).
  30. Alchip Announces Successful 2nm Test Chip Tapeout. [Электронный ресурс]. URL: https://www.alchip.com/en/Newsroom/Alchip_2nm_testchip_tapeout (дата обращения 26.10.2024).
  31. Shrinking Nodes Beyond 2030. [Электронный ресурс]. URL: https://techlevated.com/cfet-vs-gaafet-transistors-shrinking-beyond-2030/ (дата обращения 06.08.2024).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис.4. Сравнение конструкций ячеек MOSFET (Planar FET) и FinFET [20]

Скачать (79KB)
Метаданные
3. Рис.5. Упрощенная конструкция трехзатворного FinFET-транзистора [18]

Скачать (206KB)
Метаданные
4. Рис.6. Архитектура транзистора GAA с круговым затвором (gate-all-around transistor) [21]

Скачать (95KB)
Метаданные

© Коган С.С., 2024