High-capacity transport FOTS. Part 3. Evolution of technologies for manufacturing coherent DSPs. The end

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

This series of papers presents international industry standards for 400G open line interfaces with interchangeable coherent optical transceiver modules (transceivers) for OTN/DWDM transport fiber optic transmission systems (Part 1), evolution of generations of coherent digital signal processors (DSPs) for high-speed optical channels (wavelengths) in FOTs (Part 2), and evolution of technologies for manufacturing coherent DSPs for FOTs (Part 3).

Full Text

Restricted Access

About the authors

S. S. Kogan

Компания "Т8"

Author for correspondence.
Email: kogan@t8.ru

к.т.н., советник генерального директора по формированию технической стратегии

Russian Federation

References

  1. Производство чипов размером 1 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://radioskot.ru/publ/teoria/tehnologiya-proizvodstva-chipov-razmerom-1-nm (дата обращения 06.08.2024).
  2. Gate-All-Around (GAA). [Электронный ресурс]. URL: https://www.appliedmaterials.com/us/en/semiconductor/markets-and-inflections/advanced-logic/gaa.html#:~:text=Gate-All-Around%20(GAA)%20is%20a%20transistor%20architecture,are%20horizontal%20instead%20of%20vertical (дата обращения 06.08.2024).
  3. Коган С.С. Транспортные ВОСП большой пропускной способности. Часть 2. Эволюция когерентных цифровых сигнальных процессоров (начало) // ПЕРВАЯ МИЛЯ. 2024. № 4. С. 38–42.
  4. Коган С.С. Транспортные ВОСП большой пропускной способности. Часть 2. Эволюция когерентных цифровых сигнальных процессоров (окончание) // ПЕРВАЯ МИЛЯ. 2024. № 5. С. 52–59.
  5. Оптический трансивер против оптического двигателя и CPO против OBO. [Электронный ресурс]. URL: https://www.fibermall.com/ru/blog/optical-transceiver-engine-cpo-obo.htm (дата обращения 06.08.2024).
  6. Начало войны техпроцессов: 5 нм и 3 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://habr.com/ru/articles/487908/ (дата обращения 06.08.2024).
  7. Roadmapping the next generation of silicon photonics. [Электронный ресурс]. URL: https://www.nature.com/articles/s41467-024-44750-0#Sec1 (дата обращения 06.08.2024).
  8. Silicon on Insulator. [Электронный ресурс]. URL: https://www.sciencedirect.com/topics/materials-science/silicon-on-insulator (дата обращения 06.08.2024).
  9. FinFET устройства: что это и для чего нужны. [Электронный ресурс]. URL: https://supereyes.ru/articles/other/chto-takoe-finfet/ (дата обращения 06.08.2024).
  10. Производство чипов размером 1 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://radioskot.ru/publ/teoria/tehnologiya-proizvodstva-chipov-razmerom-1-nm (дата обращения 06.08.2024).
  11. High-k. [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/High-k (дата обращения 06.08.2024).
  12. Atomic layer deposition. [Электронный ресурс]. URL: https://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_layer_deposition (дата обращения 06.08.2024).
  13. Fin field-effect transistor. [Электронный ресурс]. URL: https://en.wikipedia.org/wiki/Fin_field-effect_transistor (дата обращения 06.08.2024).
  14. МОП-транзистор. [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/МОП-транзистор (дата обращения 06.08.2024).
  15. MOSFET-транзисторы. [Электронный ресурс]. URL: https://power-electronics.info/mosfet.html (дата обращения 06.08.2024).
  16. MOSFET транзисторы. Полевой транзистор с изолированным затвором. [Электронный ресурс]. URL: https://go-radio.ru/mosfet-transistors.html (дата обращения 06.08.2024).
  17. Биполярный транзистор с изолированным затвором. [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор_с_изолированным_затвором (дата обращения 06.08.2024).
  18. FinFET-транзисторы. [Электронный ресурс]. URL: https://digteh.ru/foe/tranzistor/fet/fin/ (дата обращения 06.08.2024).
  19. Диэлектрики. Типы диэлектриков и их поляризация. [Электронный ресурс]. URL: https://www.fizika.guo.by/uploads/b1/s/13/807/basic/0/159/Dielektriki.pdf?t (дата обращения 06.08.2024).
  20. FinFET устройства: что это и для чего нужны. [Электронный ресурс]. URL: https://supereyes.ru/articles/other/chto-takoe-finfet/ (дата обращения 06.08.2024).
  21. New Innovations Needed to Continue Scaling Advanced Logic. [Электронный ресурс]. URL: https://www.appliedmaterials.com/us/en/blog/blog-posts/new-innovations-needed-to-continue-scaling-advanced-logic.html (дата обращения 06.08.2024).
  22. Технология GAA для производства 1, 4-нм чипов поможет Samsung опередить конкурентов. [Электронный ресурс]. URL: https://overclockers.ru/blog/Fantoci/show/117989/samsung-raskryla-pervye-podrobnosti-o-1-4-nm-tehprocesse (дата обращения 06.08.2024).
  23. -нм транзисторы GAA с окружающим затвором в ячейках памяти SRAM. [Электронный ресурс]. URL: https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/allgemein/technology/44786-gaa-nanowire-5-nm.html (дата обращения 06.08.2024).
  24. What is GAA transistor? [Электронный ресурс]. URL: https://www.asml.com/en/news/stories/2022/what-is-a-gate-all-around-transistor (дата обращения 06.08.2024).
  25. Epitaxy. [Электронный ресурс]. URL: https://en.wikipedia.org/wiki/Epitaxy (дата обращения 06.08.2024).
  26. нм против 3 нм. [Электронный ресурс]. URL: https://habr.com/ru/articles/461875/ (дата обращения 06.08.2024).
  27. nm Chip Technology: Intel, Samsung, and TSMC's New Race. [Электронный ресурс]. URL: https://www.electropages.com/blog/2024/07/intel-samsung-and-tsmc-race-towards-2nm-chip-technology (дата обращения 26.10.2024).
  28. Collaboration with leading Japanese AI company will produce cutting-edge AI accelerator chips. [Электронный ресурс]. URL: https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-to-provide-turnkey-semiconductor-solutions-with-2nm-gaa-process-and-2-5d-package-to-preferred-networks/. (дата обращения 26.10.2024).
  29. Marvell Announces Industry’s First 2nm Platform for Accelerated Infrastructure Silicon. [Электронный ресурс]. URL: https://www.marvell.com/company/newsroom/marvell-announces-industry-first-2nm-platform-for-accelerated-infrastructure-silicon.html (дата обращения 26.10.2024).
  30. Alchip Announces Successful 2nm Test Chip Tapeout. [Электронный ресурс]. URL: https://www.alchip.com/en/Newsroom/Alchip_2nm_testchip_tapeout (дата обращения 26.10.2024).
  31. Shrinking Nodes Beyond 2030. [Электронный ресурс]. URL: https://techlevated.com/cfet-vs-gaafet-transistors-shrinking-beyond-2030/ (дата обращения 06.08.2024).

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download
2. Fig. 4. Comparison of MOSFET (Planar FET) and FinFET cell designs [20]

Download (79KB)
Indexing metadata
3. Fig. 5. Simplified design of a three-gate FinFET transistor [18]

Download (206KB)
Indexing metadata
4. Fig. 6. Architecture of a gate-all-around transistor [21]

Download (95KB)
Indexing metadata

Copyright (c) 2024 Kogan S.S.