Analysis of the Efficiency of a Solar Cell with Nano-Dimensional Hetero Transitions


Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

The optimal ratios of the parameters of a solar cell with nano-dimensional hetero junctions that provide maximum power efficiency are determined. It follows from the obtained relations that a solar cell with nano-dimensional hetero junctions can be constructed in such a way that its efficiency will always have the required high level. It is shown that such a controlled situation is possible in relation to a solar cell with nano-dimensional p-p-junctions created due to the phenomenon of self-organization on a substrate made of technical silicon. Such solar cells can contribute to improving the efficiency of solar energy, the formation of highly efficient, cheap photovoltaic converters.

Full Text

Restricted Access

About the authors

Erkin Z. Imamov

Tashkent University of Information Technologies named after Muhammad al-Khorazmiy

Email: erkinimamov@mail.ru
Dr. Sci. (Phys.-Math.), Professor Tashkent, Republic of Uzbekistan

Ramizulla A. Muminov

Institute of Physics and Technology of the Scientific and Production Association “Physics-Sun” of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan

Email: detector@uzsci.net
Dr. Sci. (Phys.-Math.), Academician of the Academy Sciences of the Republic Uzbekistan Tashkent, Republic of Uzbekistan

Rustam Kh. Rakhimov

Institute of Materials Science of the Scientific and Production Association “Physics-Sun” of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan

Email: rustam-shsul@yandex.com
Dr. Sci. (Eng.); Head of laboratory No. 1 Tashkent, Republic of Uzbekistan

References

  1. Джалалов Т.А., Имамов Э.З., Муминов Р.А., Рахимов Р.Х. // Computational nanotechnology. 2018. Вып. 1. С. 155-167.
  2. Jalalov T.A., Imаmov E.Z., Muminov R.A. et al. Computational Nanotechnology. 2018. No. 3. Pp. 85-90.
  3. Имамов Э.З., Муминов Р.А., Джалалов Т.А., Каримов Х.Н. // Ilmiy xabarnoma - Научный вестник. 2019. № 1. С. 25-27.
  4. Имамов Э.З., Муминов Р.А., Джалалов Т.А. и др. // Узбекский физический журнал. 2019. № 3. С. 173-179.
  5. Имамов Э.З., Муминов Р.А., Джалалов Т.А., Каримов Х.Н. // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2019. № 4. С. 14-21.
  6. Imamov E.Z., Muminov R.A., Rakhimov R.Kh. Computational Nanotechnology. 2020. Vol. 7. No. 2. Pp. 58-63.
  7. Imamov E.Z., Muminov R.A., Rakhimov R.Kh. Scientific-Technical Journal (STJ FerPI). 2020. Vol. 24. No. 5. Pp. 31-36.
  8. Haken H. Synergetics. Berlin-Heidelberg: Springer, 1997.
  9. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kopev P.S., Bimberg D. Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands. Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75. No. 16. Pp. 2968-2971.
  10. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Иванов С.В. и др. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах // УФН. 1996. Т. 166. № 4. С. 423-428.
  11. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП. 1998. Т. 32. № 4. С. 385-410.
  12. Stancu V., Pentia E., Goldenblum A. et al. Romanian Journal of Information Science and Technology. 2007. Vol. 10. No. 1. Pp. 53-66.
  13. Раскин А.А., Прокофьева В.К. Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники. В 2-х тт. М.: БИНОМ, Лаборатория знаний, 2010.
  14. Гременок В.Ф., Тиванов М.С., Залеcский В.Б. Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов. Минск: Изд. Центр БГУ, 2007. 222 с.
  15. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1984. 280 с.
  16. Васильев А.М., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. М.: Сов. радио, 1971. 248 с.
  17. Фаренбрух A., Бьюб Р. Солнечные элементы: теория и эксперимент. М.: Энергоатомиздат, 1987. 280 с.
  18. Мартынов В.Н., Кольцов Г.И. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.: МИСИС, 1999. 400 с.
  19. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника М.: Мир, 1976. 431 с.
  20. Цой Б. Патент в Евразийском патентном ведомстве (EP2405487 A1. 08.30. 2012).
  21. Цой Б. Патент во всемирной организации интеллектуальной собственности (№WO 2011/040838 A2 07. 04.2011).

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML


This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies