Программа для расчета проективного пробега и страгглинга ионов в твердом теле с использованием аппроксимации В.В. Юдина

Обложка
  • Авторы: Утамурадова Ш.Б.1, Муминов Р.А.2, Дыскин В.Г.3, Тукфатуллин О.Ф.1
  • Учреждения:
    1. Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека
    2. Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
    3. Институт материаловедения Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
  • Выпуск: Том 9, № 4 (2022)
  • Страницы: 11-16
  • Раздел: Статьи
  • URL: https://journals.eco-vector.com/2313-223X/article/view/529858
  • DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2022-9-4-11-16
  • ID: 529858

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Ионная имплантация является основой многих технологических процессов электроники и микроэлектроники. Основными величинами, характеризующими внедрение ионов в твердое тело, являются: длина пробега иона до полной его остановки, среднее значение проекции полного пробега на направление движения R̅p и среднее нормальное отклонение проекции пробега ΔR̅p. Для расчета этих величин созданы компьютерные программы SRIM, TRIM, DYNE, которые требуют инсталляции на персональный компьютер и занимают большой объем жесткого диска, что не всегда оправдано в инженерной практике. В данной работе описан алгоритм простой, не требующей инсталляции, программы для вычисления R̅p и ΔR̅p. Основой алгоритма программы является теория Линхарда-Шарфа-Шиота.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Шарифа Бекмурадовна Утамурадова

Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека

Email: director@ispm.uz
доктор физикоматематических наук, профессор; директор Ташкент, Республика Узбекистан

Рамизулла Абдуллаевич Муминов

Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан

Email: detector@uzsci.net
доктор физикоматематических наук, академик Академии наук Республики Узбекистан; заведующий лабораторией Ташкент, Республика Узбекистан

Валерий Григорьевич Дыскин

Институт материаловедения Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан

Email: dyskin@uzsci.net
доктор философских наук; старший научный сотрудник Ташкент, Республика Узбекистан

Оскар Фаритович Тукфатуллин

Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека

Email: oskar.tukfatullin@gmail.com
доктор философских наук; заведующий лабораторией Ташкент, Республика Узбекистан

Список литературы

  1. Townsend P.D., Chandler P.J., Zhang L. Optical effects of ion implantation. Cambridge University Press, 1994. 293 p.
  2. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. 296 с.
  3. Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 380 с.
  4. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь. 1986. 231 с.
  5. Козлов В.А., Козловский В.В. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и α-частицами // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 769-795.
  6. Степанов А.Л. Оптические свойства металлических наночастиц, синтезированных в полимере методом ионной имплантации (Обзор) // Журнал технической физики. 2004. Т. 74. Вып. 2. С. 1-12.
  7. Степанов А.Л., Трифонов А.А., Осин Ю.Н. и др. Новая технология формирования пористого кремния имплантацией ионами металла // Современные наукоемкие технологии. 2013. № 11. С. 119-123.
  8. Interactions of ions with matter. SRIM (The Stopping and Range of Ions in Matter) [Software]: Download SRIM-2013/Resource author and software developer J.F. Ziegler. [Electronic resource]. URL: http://www.srim.org/SRIM/SRIMLEGL.htm (data of accesses: 30.03.2022).
  9. Гиббонс Дж. Ионное внедрение в полупроводниках. Ч. I. Теория и экспериментальные исследования распределения пробегов // ТИИЭР. 1968. Т. 56. № 3. С. 60-85.
  10. Lindhard J., Scharff M., Schiott H.E. Range concepts and heavy ion ranges // Matematisk-fysiske Meddelelser udgivet af Det Kongelige Danske Videnskabernes Selskab. 1963. Vol. 33. No. 14. Pp. 1-43. (In English)
  11. Юдин В.В. Аналитический расчет пробегов с использованием аппроксимированной энергетической зависимости ядерного торможения // Доклады Академии наук СССР. 1972. Т. 207. № 2. С. 325-326.
  12. Examples for calculus & analysis. Knowledge base and set of computational algorithms [Electronic resource]. URL: http://www.wolframalpha.com/examples/mathematics/calculus-and-analysis (data of accesses: 30.03.2022).
  13. Форсайт Д., Мальком М., Моулер К. Машинные методы математических вычислений / пер. с англ. М.: Мир, 1980. 279 с.
  14. Шейкин Е.Г. Пробеги тяжелых ионов низких энергий в бериллии, боре, углероде и кремнии // Журнал технической физики. 1998. Т. 68. Вып. 9. С. 33-36.
  15. Kuzmin V. Range parameters of slow gold ions implanted into light targets // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2009. Vol. 267. No. 16. Pp. 2657-2661.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Юр-ВАК, 2022

Ссылка на описание лицензии: https://www.urvak.ru/contacts/