Отправить статью по E-mail Особенности зарождения пор в p-Si в процессе его электрохимического травления
- Авторы: Абрамова Е.Н.1, Хорт А.М.1, Яковенко А.Г.1, Сыров Ю.В.1, Цыганков В.Н.1, Слипченко Е.А.1, Швец В.И.1
-
Учреждения:
- "МИРЭА-Российский технологический университет"
- Выпуск: Том 487, № 1 (2019)
- Страницы: 32-35
- Раздел: Химия
- URL: https://journals.eco-vector.com/0869-5652/article/view/15373
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0869-5652487132-35
- ID: 15373
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Рассмотрены особенности процесса формирования слоёв пористого кремния (ПК) в процессе анодного травления р-Si. Показано принципиальное различие в механизмах образования наноструктурированных слоёв на р- и n-Si.
Ключевые слова
Об авторах
Е. Н. Абрамова
"МИРЭА-Российский технологический университет"
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, 119454, г. Москва, просп. Вернадского, 78
А. М. Хорт
"МИРЭА-Российский технологический университет"
Автор, ответственный за переписку.
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, 119454, г. Москва, просп. Вернадского, 78
А. Г. Яковенко
"МИРЭА-Российский технологический университет"
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, 119454, г. Москва, просп. Вернадского, 78
Ю. В. Сыров
"МИРЭА-Российский технологический университет"
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, 119454, г. Москва, просп. Вернадского, 78
В. Н. Цыганков
"МИРЭА-Российский технологический университет"
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, 119454, г. Москва, просп. Вернадского, 78
Е. А. Слипченко
"МИРЭА-Российский технологический университет"
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, 119454, г. Москва, просп. Вернадского, 78
В. И. Швец
"МИРЭА-Российский технологический университет"
Email: anavenko@yandex.ru
Академик РАН
Россия, 119454, г. Москва, просп. Вернадского, 78Список литературы
- Handbook of Porous Silicon / Ed. L. Canham. Switzerland: Springer Int. Publ., 2014. 1024 p.
- Ищенко А. А., Фетисов Г. В., Асланов П. А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы использования и контроля. М.: Физматлит, 2011. 648 с.
- Юзова В. А., Левицкий А. А., Харлашин П. А. Развитие технологии получения и исследования пористого кремния // J. Sib. Federal Univ. Eng. and Technol. 1. 2011. № 4. P. 92-1124.
- Lehman V., Stengl R., Luigart A. On the Morphology and the Electrochemical Formation Mechanism of Mesoporous Silicon // Materials Sci. and Eng. 2000. B. 69/70. № 11/12. P. 11-22.
- Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous Silicon: A Quantum Sponge Structure for Silicon Based Optoelectronic // Surface Sci. Rep. 2000. № 38. P. 1-126.
- Föll H., Christophersen M., Carstensen J., Hasse G. Formation and Application of Porous Silicon // Materials Sci. and Eng. 2002. V. 280. Р. 1-49.
- Surifni Y., Abu Bakar M., Jamil I., Abu Bakar N.H.H., Kamarulazizi I. The Formation and Morphology of Highly Doped N Type Porous Silicon: Effect of Short Etching Time at High Current Density and Evidence of Simultaneous Chemical and Electrochemical Dissolutions // J. Phys. Sci. 2012. V. 22. № 2. P. 17-31.
- Каргин Н. И., Султанов А. О., Бондаренко А. В., Бондаренко В. П., Редько С. В., Ионов А. С. Формирование и структура мезопористого кремния // Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 4-8.
- Шелонин Е. А., Яковенко А. Г., Гвелесиани А. А., Абрамова Е. Н., Хорт А. М. Особенности электрохимического полирующего травления монокристаллического кремния в неокисленном травителе // Вестн. МИТХТ. 2012. № 4. С. 84-87.
- Абрамова Е. Н., Хорт А. М., Яковенко А. Г., Прохоров Д. И., Швец В. И. Образование и рост зародышей пор в n-Si при его электрохимическом травлении // ДАН. 2017. Т. 473. № 4. С. 431-434.
Дополнительные файлы
