Peculiarities of pore initiation in р-type silicon during its electrochemical etching

Cover Page

Cite item

Full Text

Abstract

Peculiarities of porous silicon layers formation during electrochemical etching of p-type silicon were studied. Principal divisions of pore formation mechanisms in n-type and p-type of silicon were demonstrated.

About the authors

E. N. Abramova

"MIREA-Russian Technological University"

Email: anavenko@yandex.ru
Russian Federation, 78, Vernadskogo prospect, Moscow, 119454

A. M. Khort

"MIREA-Russian Technological University"

Author for correspondence.
Email: anavenko@yandex.ru
Russian Federation, 78, Vernadskogo prospect, Moscow, 119454

A. G. Yakovenko

"MIREA-Russian Technological University"

Email: anavenko@yandex.ru
Russian Federation, 78, Vernadskogo prospect, Moscow, 119454

Yu. V. Syrov

"MIREA-Russian Technological University"

Email: anavenko@yandex.ru
Russian Federation, 78, Vernadskogo prospect, Moscow, 119454

V. N. Tsigankov

"MIREA-Russian Technological University"

Email: anavenko@yandex.ru
Russian Federation, 78, Vernadskogo prospect, Moscow, 119454

E. A. Slipchenko

"MIREA-Russian Technological University"

Email: anavenko@yandex.ru
Russian Federation, 78, Vernadskogo prospect, Moscow, 119454

V. I. Shvets

"MIREA-Russian Technological University"

Email: anavenko@yandex.ru

Academician of the Russian Academy of Sciences

Russian Federation, 78, Vernadskogo prospect, Moscow, 119454

References

  1. Handbook of Porous Silicon / Ed. L. Canham. Switzerland: Springer Int. Publ., 2014. 1024 p.
  2. Ищенко А. А., Фетисов Г. В., Асланов П. А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы использования и контроля. М.: Физматлит, 2011. 648 с.
  3. Юзова В. А., Левицкий А. А., Харлашин П. А. Развитие технологии получения и исследования пористого кремния // J. Sib. Federal Univ. Eng. and Technol. 1. 2011. № 4. P. 92-1124.
  4. Lehman V., Stengl R., Luigart A. On the Morphology and the Electrochemical Formation Mechanism of Mesoporous Silicon // Materials Sci. and Eng. 2000. B. 69/70. № 11/12. P. 11-22.
  5. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous Silicon: A Quantum Sponge Structure for Silicon Based Optoelectronic // Surface Sci. Rep. 2000. № 38. P. 1-126.
  6. Föll H., Christophersen M., Carstensen J., Hasse G. Formation and Application of Porous Silicon // Materials Sci. and Eng. 2002. V. 280. Р. 1-49.
  7. Surifni Y., Abu Bakar M., Jamil I., Abu Bakar N.H.H., Kamarulazizi I. The Formation and Morphology of Highly Doped N Type Porous Silicon: Effect of Short Etching Time at High Current Density and Evidence of Simultaneous Chemical and Electrochemical Dissolutions // J. Phys. Sci. 2012. V. 22. № 2. P. 17-31.
  8. Каргин Н. И., Султанов А. О., Бондаренко А. В., Бондаренко В. П., Редько С. В., Ионов А. С. Формирование и структура мезопористого кремния // Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 4-8.
  9. Шелонин Е. А., Яковенко А. Г., Гвелесиани А. А., Абрамова Е. Н., Хорт А. М. Особенности электрохимического полирующего травления монокристаллического кремния в неокисленном травителе // Вестн. МИТХТ. 2012. № 4. С. 84-87.
  10. Абрамова Е. Н., Хорт А. М., Яковенко А. Г., Прохоров Д. И., Швец В. И. Образование и рост зародышей пор в n-Si при его электрохимическом травлении // ДАН. 2017. Т. 473. № 4. С. 431-434.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2019 Russian academy of sciences