Мақаланы E-mail арқылы жіберу LDMOS: the new products by NIIET JSC
- Авторлар: Alekseev R.1, Semeykin I.1, Tsotsorin A.1, Kurshev P.1
-
Мекемелер:
- АО «НИИЭТ»
- Шығарылым: № 2 (223) (2023)
- Беттер: 92-96
- Бөлім: Electronic components
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/629220
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.223.2.92.96
- ID: 629220
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Аннотация
The article provides information about LDMOS process improvements at NIIET JSC, as well as about new microwave transistors under development by the company which are based on this technology and designed for DVB-T / DVB-T2 TV equipment.
Негізгі сөздер
Толық мәтін
Авторлар туралы
R. Alekseev
АО «НИИЭТ»
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: redactor@electronics.ru
ведущий инженер
РесейI. Semeykin
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
к. т. н., технический директор
РесейA. Tsotsorin
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
к. ф.-м. н., начальник отдела
РесейP. Kurshev
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
начальник лаборатории
РесейӘдебиет тізімі
- Combs A. Application Note AN-007: A Comparative Review of GaN, LDMOS, and GaAs for RF and Microwave Applications // NuWaves Engineering // https://nuwaves.com/wp-content/uploads/2020/08/AN-007-A-Comparative-Review-of-GaN-LDMOS-and-GaAs-for-RF-and-Microwave-Applications.pdf
- Joosting J.-P. Why LDMOS is the best technology for RF energy // eeNews Wireless. Technology News. 2018. June 21. // https://www.eenewseurope.com/en/why-ldmos-is-the-best-technology-for-rf-energy/
- Dhanyal H. R. et al. Miniaturized High-Efficiency Pulsed-Power Amplifier for Surveillance and Tracking Radar // 2020 5th International Conference on Computer and Communication Systems (ICCCS). – IEEE, 2020. PP. 840–843.
- Theeuwen S. et al. LDMOS technology for power amplifiers up to 12 GHz // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC). – IEEE, 2018. PP. 162–165.
- Алексеев Р., Цоцорин А., Черных М. Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы для рабочих частот до 3 ГГц // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2020. № 4. С. 98–100.
- Алексеев Р., Куршев П., Цоцорин А. Влияние многослойного полевого электрода на степень выраженности эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088–1092.
Қосымша файлдар
