Отправить статью по E-mail LDMOS: новые разработки АО «НИИЭТ»
- Авторы: Алексеев Р.1, Семейкин И.1, Цоцорин А.1, Куршев П.1
-
Учреждения:
- АО «НИИЭТ»
- Выпуск: № 2 (223) (2023)
- Страницы: 92-96
- Раздел: Электронная компонентная база
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/629220
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.223.2.92.96
- ID: 629220
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Приводятся сведения об усовершенствованиях технологии LDMOS в АО «НИИЭТ», а также о разрабатываемых предприятием СВЧ-транзисторах, основанных на данной технологии и предназначенных для применения в телевизионной аппаратуре стандартов DVB-T / DVB-T2.
Полный текст
Об авторах
Р. Алексеев
АО «НИИЭТ»
Автор, ответственный за переписку.
Email: redactor@electronics.ru
ведущий инженер
РоссияИ. Семейкин
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
к. т. н., технический директор
РоссияА. Цоцорин
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
к. ф.-м. н., начальник отдела
РоссияП. Куршев
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
начальник лаборатории
РоссияСписок литературы
- Combs A. Application Note AN-007: A Comparative Review of GaN, LDMOS, and GaAs for RF and Microwave Applications // NuWaves Engineering // https://nuwaves.com/wp-content/uploads/2020/08/AN-007-A-Comparative-Review-of-GaN-LDMOS-and-GaAs-for-RF-and-Microwave-Applications.pdf
- Joosting J.-P. Why LDMOS is the best technology for RF energy // eeNews Wireless. Technology News. 2018. June 21. // https://www.eenewseurope.com/en/why-ldmos-is-the-best-technology-for-rf-energy/
- Dhanyal H. R. et al. Miniaturized High-Efficiency Pulsed-Power Amplifier for Surveillance and Tracking Radar // 2020 5th International Conference on Computer and Communication Systems (ICCCS). – IEEE, 2020. PP. 840–843.
- Theeuwen S. et al. LDMOS technology for power amplifiers up to 12 GHz // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC). – IEEE, 2018. PP. 162–165.
- Алексеев Р., Цоцорин А., Черных М. Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы для рабочих частот до 3 ГГц // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2020. № 4. С. 98–100.
- Алексеев Р., Куршев П., Цоцорин А. Влияние многослойного полевого электрода на степень выраженности эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088–1092.
Дополнительные файлы
