Мақаланы E-mail арқылы жіберу Domestic GaN Microwave Transistors with a Design Support Kit from «PKK Milandr» JSC and Amplifier Modules Based on Them
- Авторлар: Polunin M.1, Tarasov S.2, Glushkov G.2
-
Мекемелер:
- АО «ПКК Миландр
- АО «ПКК Миландр»
- Шығарылым: № 4 (2025)
- Беттер: 42-43
- Бөлім: Microwave electronics
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/684406
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2025.245.4.42.43
- ID: 684406
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Аннотация
The article presents a line of powerful GaN microwave transistors of L, S and C frequency ranges with a design support kit developed by «PKK Milandr» JSC, as well as a series of amplifier modules built on the basis of these transistors.
Негізгі сөздер
Толық мәтін
Авторлар туралы
M. Polunin
АО «ПКК Миландр
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: polunin.m@milandr.ru
ведущий инженер
РесейS. Tarasov
АО «ПКК Миландр»
Email: tarasov.sv@milandr.ru
ведущий инженер
РесейG. Glushkov
АО «ПКК Миландр»
Email: glushkov.gi@milandr.ru
заместитель директора центра по проектированию
РесейҚосымша файлдар
Қосымша файлдар
Әрекет
1.
JATS XML
2.
Fig. 1. Enclosure of amplifying devices with output power from 5 to 50 W (inclusive)
Жүктеу (1MB)
3.
Fig. 2. Balance case of devices with output pulse power 1000 and 1200 W
Жүктеу (1MB)
4.
Fig. 3. L-band (1.2-1.6 GHz) amplifier module with nominal output power of 50W
Жүктеу (1MB)
5.
Fig. 4. Band 40, Band 41 (2.3-2.7 GHz) amplifier module with a rated output power of 50W
Жүктеу (1MB)
6.
Fig. 5. L-band (1.2-1.4 GHz) amplifier module with a nominal pulsed output power of 1200 W
Жүктеу (1MB)
