Domestic GaN Microwave Transistors with a Design Support Kit from «PKK Milandr» JSC and Amplifier Modules Based on Them

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

The article presents a line of powerful GaN microwave transistors of L, S and C frequency ranges with a design support kit developed by «PKK Milandr» JSC, as well as a series of amplifier modules built on the basis of these transistors.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

M. Polunin

АО «ПКК Миландр

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: polunin.m@milandr.ru

ведущий инженер

Ресей

S. Tarasov

АО «ПКК Миландр»

Email: tarasov.sv@milandr.ru

ведущий инженер

Ресей

G. Glushkov

АО «ПКК Миландр»

Email: glushkov.gi@milandr.ru

заместитель директора центра по проектированию

Ресей

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
2. Fig. 1. Enclosure of amplifying devices with output power from 5 to 50 W (inclusive)

Жүктеу (1MB)
3. Fig. 2. Balance case of devices with output pulse power 1000 and 1200 W

Жүктеу (1MB)
4. Fig. 3. L-band (1.2-1.6 GHz) amplifier module with nominal output power of 50W

Жүктеу (1MB)
5. Fig. 4. Band 40, Band 41 (2.3-2.7 GHz) amplifier module with a rated output power of 50W

Жүктеу (1MB)
6. Fig. 5. L-band (1.2-1.4 GHz) amplifier module with a nominal pulsed output power of 1200 W

Жүктеу (1MB)

© Polunin M., Tarasov S., Glushkov G., 2025