Отечественные GaN СВЧ-транзисторы с комплектом обеспечения проектирования от АО «ПКК Миландр» и усилительные модули на их основе

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

В статье представлена линейка мощных GaN СВЧ-транзисторов L, S и C-диапазонов частот с комплектом средств обеспечения проектирования разработки АО «ПКК Миландр», а также серия усилительных модулей, построенных на базе этих транзисторов.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

М. Полунин

АО «ПКК Миландр

Автор, ответственный за переписку.
Email: polunin.m@milandr.ru

ведущий инженер

Россия

С. Тарасов

АО «ПКК Миландр»

Email: tarasov.sv@milandr.ru

ведущий инженер

Россия

Г. Глушков

АО «ПКК Миландр»

Email: glushkov.gi@milandr.ru

заместитель директора центра по проектированию

Россия

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Корпус усилительных приборов с выходной мощностью от 5 до 50 Вт (включительно)

3. Рис. 2. Балансный корпус приборов с выходной импульсной мощностью 1000 и 1200 Вт

4. Рис. 3. Усилительный модуль L-диапазона (1,2–1,6 ГГц) с номинальной выходной мощностью 50 Вт

5. Рис. 4. Усилительный модуль диапазонов Band 40, Band 41 (2,3–2,7 ГГц) с номинальной выходной мощностью 50 Вт

6. Рис. 5. Усилительный модуль L-диапазона (1,2–1,4 ГГц) с номинальной импульсной выходной мощностью 1200 Вт


© Полунин М., Тарасов С., Глушков Г., 2025