СВЧ-компоненты на основе технологии нитрида галлия: что изменилось за два года

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

10–11 ноября 2022 года в Москве состоялся II семинар-совещание специалистов радиоэлектронной промышленности на тему «Актуальные вопросы разработки и применения СВЧ-компонентов и приборов на основе технологии нитрида галлия (GaN-2022)». Мероприятие было организовано АО «Микроволновые системы» (Москва). Цель мероприятия – обмен опытом и налаживание прямого взаимодействия между руководителями, учеными, специалистами радиоэлектронной промышленности, представителями дизайн-центров, вузовской и академической науки в решении задачи становления и развития в России промышленных технологий производства нитрид-галлиевых СВЧ-компонентов (транзисторов и интегральных схем), повышения качества и технического уровня разрабатываемых на основе этих компонентов модулей, приборов и радиотехнических систем.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

А. Кищинский

АО «Микроволновые системы»

Автор, ответственный за переписку.
Email: ak@mwsystems.ru

заместитель генерального директора, главный конструктор

Россия

В. Миннебаев

АО «Микроволновые системы»

Email: vm@mwsystems.ru

заместитель генерального директора по развитию ЭКБ

Россия

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Пластина нано-SiC / Si диаметром 150 мм, полученная методом согласованного замещения атомов

Скачать (179KB)
3. Рис. 2. Схематичный вид сверху на группу секций GaN-транзистора со слоями полиалмаза, сформированными на стенках заземляющих отверстий

Скачать (228KB)
4. Рис. 3. Внутрисогласованный импульсный транзистор и тепловое распределение на поверхности GaN-кристаллов

Скачать (390KB)
5. Рис. 4. 75-Вт GaN-транзистор S-диапазона

Скачать (545KB)
6. Рис. 5. Конструктивно унифицированные модули 2,4- и 5,8-ГГц модема системы связи с OFDM-сигналом

Скачать (643KB)
7. Рис. 6. Усилитель мощности диапазона 4,5–5 ГГц со снятой крышкой

Скачать (446KB)
8. Рис. 7. СВЧ МИС 30-Вт усилителя мощности диапазона 2,9–6,0 ГГц

Скачать (388KB)
9. Рис. 8. Серия двухканальных СВЧ-усилителей мощности на базе GaN-транзисторов и МИС

Скачать (276KB)
10. Рис. 9. ГИС МУМ-60

Скачать (166KB)
11. Рис. 10. Внешний вид усилителя без корпуса и GaN МИС выходного каскада

Скачать (64MB)
12. Рис. 11. ГИС с элементами ВПП на основе GaN МИС

Скачать (242KB)

© Кищинский А., Миннебаев В., 2023

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах