Gallium nitride microwave components: what has changed in two years

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

10–11 ноября 2022 года в Москве состоялся II семинар-совещание специалистов радиоэлектронной промышленности на тему «Актуальные вопросы разработки и применения СВЧ-компонентов и приборов на основе технологии нитрида галлия (GaN-2022)». Мероприятие было организовано АО «Микроволновые системы» (Москва). Цель мероприятия – обмен опытом и налаживание прямого взаимодействия между руководителями, учеными, специалистами радиоэлектронной промышленности, представителями дизайн-центров, вузовской и академической науки в решении задачи становления и развития в России промышленных технологий производства нитрид-галлиевых СВЧ-компонентов (транзисторов и интегральных схем), повышения качества и технического уровня разрабатываемых на основе этих компонентов модулей, приборов и радиотехнических систем.

Full Text

Restricted Access

About the authors

A. Kishchinsky

АО «Микроволновые системы»

Author for correspondence.
Email: ak@mwsystems.ru

заместитель генерального директора, главный конструктор

Russian Federation

V. Minnebaev

АО «Микроволновые системы»

Email: vm@mwsystems.ru

заместитель генерального директора по развитию ЭКБ

Russian Federation

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
2. Fig. 1. Nano-SiC/Si wafer with a diameter of 150 mm obtained by matched atomic substitution method

Download (179KB)
3. Fig. 2. Schematic top view of a group of GaN transistor sections with polydiamond layers formed on the walls of the ground holes

Download (228KB)
4. Fig. 3. Intra-matched pulse transistor and thermal distribution on the surface of GaN crystals

Download (390KB)
5. Fig. 4. 75-W GaN S-band transistor

Download (545KB)
6. Fig. 5. Structurally unified modules of the 2.4- and 5.8-GHz modem of the communication system with an OFDM signal

Download (643KB)
7. Fig. 6. 4.5-5 GHz power amplifier with cover removed

Download (446KB)
8. Fig. 7. Microwave MIS 30-W power amplifier 2.9–6.0 GHz range

Download (388KB)
9. Fig. 8. A series of two-channel microwave power amplifiers based on GaN transistors and MICs

Download (276KB)
10. Fig. 9. GIS MUM-60

Download (166KB)
11. Fig. 10. Appearance of the amplifier without housing and GaN MIIC output stage

Download (64MB)
12. Fig. 11. GIS with runway elements based on GaN MIC

Download (242KB)

Copyright (c) 2023 Kishchinsky A., Minnebaev V.