Gallium nitride microwave components: what has changed in two years

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

10–11 ноября 2022 года в Москве состоялся II семинар-совещание специалистов радиоэлектронной промышленности на тему «Актуальные вопросы разработки и применения СВЧ-компонентов и приборов на основе технологии нитрида галлия (GaN-2022)». Мероприятие было организовано АО «Микроволновые системы» (Москва). Цель мероприятия – обмен опытом и налаживание прямого взаимодействия между руководителями, учеными, специалистами радиоэлектронной промышленности, представителями дизайн-центров, вузовской и академической науки в решении задачи становления и развития в России промышленных технологий производства нитрид-галлиевых СВЧ-компонентов (транзисторов и интегральных схем), повышения качества и технического уровня разрабатываемых на основе этих компонентов модулей, приборов и радиотехнических систем.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

A. Kishchinsky

АО «Микроволновые системы»

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ak@mwsystems.ru

заместитель генерального директора, главный конструктор

Ресей

V. Minnebaev

АО «Микроволновые системы»

Email: vm@mwsystems.ru

заместитель генерального директора по развитию ЭКБ

Ресей

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
2. Fig. 1. Nano-SiC/Si wafer with a diameter of 150 mm obtained by matched atomic substitution method

Жүктеу (179KB)
3. Fig. 2. Schematic top view of a group of GaN transistor sections with polydiamond layers formed on the walls of the ground holes

Жүктеу (228KB)
4. Fig. 3. Intra-matched pulse transistor and thermal distribution on the surface of GaN crystals

Жүктеу (390KB)
5. Fig. 4. 75-W GaN S-band transistor

Жүктеу (545KB)
6. Fig. 5. Structurally unified modules of the 2.4- and 5.8-GHz modem of the communication system with an OFDM signal

Жүктеу (643KB)
7. Fig. 6. 4.5-5 GHz power amplifier with cover removed

Жүктеу (446KB)
8. Fig. 7. Microwave MIS 30-W power amplifier 2.9–6.0 GHz range

Жүктеу (388KB)
9. Fig. 8. A series of two-channel microwave power amplifiers based on GaN transistors and MICs

Жүктеу (276KB)
10. Fig. 9. GIS MUM-60

Жүктеу (166KB)
11. Fig. 10. Appearance of the amplifier without housing and GaN MIIC output stage

Жүктеу (64MB)
12. Fig. 11. GIS with runway elements based on GaN MIC

Жүктеу (242KB)

© Kishchinsky A., Minnebaev V., 2023