Gallium nitride microwave components: what has changed in two years

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Acesso é pago ou somente para assinantes

Resumo

10–11 ноября 2022 года в Москве состоялся II семинар-совещание специалистов радиоэлектронной промышленности на тему «Актуальные вопросы разработки и применения СВЧ-компонентов и приборов на основе технологии нитрида галлия (GaN-2022)». Мероприятие было организовано АО «Микроволновые системы» (Москва). Цель мероприятия – обмен опытом и налаживание прямого взаимодействия между руководителями, учеными, специалистами радиоэлектронной промышленности, представителями дизайн-центров, вузовской и академической науки в решении задачи становления и развития в России промышленных технологий производства нитрид-галлиевых СВЧ-компонентов (транзисторов и интегральных схем), повышения качества и технического уровня разрабатываемых на основе этих компонентов модулей, приборов и радиотехнических систем.

Texto integral

Acesso é fechado

Sobre autores

A. Kishchinsky

АО «Микроволновые системы»

Autor responsável pela correspondência
Email: ak@mwsystems.ru

заместитель генерального директора, главный конструктор

Rússia

V. Minnebaev

АО «Микроволновые системы»

Email: vm@mwsystems.ru

заместитель генерального директора по развитию ЭКБ

Rússia

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
2. Fig. 1. Nano-SiC/Si wafer with a diameter of 150 mm obtained by matched atomic substitution method

Baixar (179KB)
3. Fig. 2. Schematic top view of a group of GaN transistor sections with polydiamond layers formed on the walls of the ground holes

Baixar (228KB)
4. Fig. 3. Intra-matched pulse transistor and thermal distribution on the surface of GaN crystals

Baixar (390KB)
5. Fig. 4. 75-W GaN S-band transistor

Baixar (545KB)
6. Fig. 5. Structurally unified modules of the 2.4- and 5.8-GHz modem of the communication system with an OFDM signal

Baixar (643KB)
7. Fig. 6. 4.5-5 GHz power amplifier with cover removed

Baixar (446KB)
8. Fig. 7. Microwave MIS 30-W power amplifier 2.9–6.0 GHz range

Baixar (388KB)
9. Fig. 8. A series of two-channel microwave power amplifiers based on GaN transistors and MICs

Baixar (276KB)
10. Fig. 9. GIS MUM-60

Baixar (166KB)
11. Fig. 10. Appearance of the amplifier without housing and GaN MIIC output stage

Baixar (64MB)
12. Fig. 11. GIS with runway elements based on GaN MIC

Baixar (242KB)

Declaração de direitos autorais © Kishchinsky A., Minnebaev V., 2023

Este site utiliza cookies

Ao continuar usando nosso site, você concorda com o procedimento de cookies que mantêm o site funcionando normalmente.

Informação sobre cookies