Генераторы СВЧ с применением ферритовых резонаторов. Часть 1
- Авторы: Геворкян В.1, Кочемасов В.2, Сафин А.1
-
Учреждения:
- НИУ «МЭИ»
- ООО «Радиокомп»
- Выпуск: № 5 (2023)
- Страницы: 68-73
- Раздел: СВЧ-электроника
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/631931
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.226.5.68.73
- ID: 631931
Цитировать
Полный текст



Аннотация
Ключевые слова
Полный текст

Об авторах
В. Геворкян
НИУ «МЭИ»
Автор, ответственный за переписку.
Email: journal@electronics.ru
к. т. н., профессор
РоссияВ. Кочемасов
ООО «Радиокомп»
Email: vkochemasov@radiocomp.ru
к. т. н., генеральный директор
РоссияА. Сафин
НИУ «МЭИ»
Email: arsafin@gmail.com
к. т. н., заведующий кафедрой формирования и обработки радиосигналов
РоссияСписок литературы
- Беляков С. В. Гиромагнитный резонатор. Электроника. Энциклопедический словарь. М.: Советская энциклопедия, 1991. С. 100–101.
- Technology Description – YIG Tuned Oscillators. – Micro Lambda Wireless.
- YIG Tuned Oscillator – FM Coil Driver. Application Note M001. – Avantek Products.
- Benson D. et al. YIG Oscillator. – San Jose State University Fall 2009, EE 172.
- Oscillators the complete microwave solution. – Teledyne Microwave Solutions.
- Kaa B. A Simple approach to YIG Oscillators // VHF Communications. 2004. No. 4. PP. 217–224.
- Белов Л. Корпорация Micro Lambda Wireless. СВЧ-приборы с ЖИГ-перестройкой // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2010. № 8. С. 60–66.
- Геворкян В. М., Кочемасов В. Н., Сафин А. Р., Ченакин А. В. Генераторы СВЧ на основе ферритовых материалов // Системы синхронизации, формирования и обработки сигналов. 2022. Т. 13. № 1. С. 4–9.
- Геворкян В., Кочемасов В., Шадский В. Генераторы с применением диэлектрических резонаторов // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2020. № 2. С. 114–128, № 4, С. 102–113, № 5. С. 112–119.
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
Скачать (151KB)
Скачать (199KB)
Скачать (382KB)
Скачать (408KB)
6.
Рис. 5. Упрощенные схемы ЖИГ-генераторов: а – биполярный транзистор, схема с общей базой (common base); б – полевой GaAs-транзистор с общим затвором (common gate); в – полевой GaAs-транзистор с общим истоком (common source). Обозначения: E – эмиттер, B – база, C – коллектор, S – исток, D – сток, G – затвор
Скачать (200KB)
7.
Рис. 6. Фазовые шумы ЖИГ-генераторов на кремниевых биполярных транзисторах и полевых транзисторах, выполненных по арсенид-галлиевой технологии
Скачать (185KB)
