Отправить статью по E-mail Ni/Al2O3-порошки для новых металл-диэлектрических варисторных структур
- Авторы: Абрамкин Д.1,2, Селезнев В.1, Петров А.1, Вдовин В.1, Живодков Ю.1, Клименко Д.2
-
Учреждения:
- Институт физики полупроводников СО РАН
- АО «Новосибирский завод радиодеталей «Оксид»
- Выпуск: № 9 (2025)
- Страницы: 56-60
- Раздел: Технологическое оборудование и материалы
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/697566
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2025.251.9.56.60
- ID: 697566
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Рассматривается технология получения металл-диэлектрических варисторных структур на базе металлических Ni-порошков, покрытых тонким слоем диэлектрика Al2O3. Диэлектрическое покрытие формировалось методом атомно-слоевого осаждения.
Полный текст
Об авторах
Д. Абрамкин
Институт физики полупроводников СО РАН; АО «Новосибирский завод радиодеталей «Оксид»
Автор, ответственный за переписку.
Email: dalamber.07@mail.ru
к.ф.-м.н.
Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Лаврентьева, 13; 630102, г. Новосибирск, ул. Кирова, 82В. Селезнев
Институт физики полупроводников СО РАН
Email: dalamber.07@mail.ru
к.ф.-м.н.
Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Лаврентьева, 13А. Петров
Институт физики полупроводников СО РАН
Email: dalamber.07@mail.ru
к.ф.-м.н.
Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Лаврентьева, 13В. Вдовин
Институт физики полупроводников СО РАН
Email: dalamber.07@mail.ru
к.ф.-м.н.
Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Лаврентьева, 13Ю. Живодков
Институт физики полупроводников СО РАН
Email: dalamber.07@mail.ru
Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Лаврентьева, 13
Д. Клименко
АО «Новосибирский завод радиодеталей «Оксид»
Email: dalamber.07@mail.ru
к.т.н.
Россия, 630102, г. Новосибирск, ул. Кирова, 82Список литературы
- Liu J., Chen Y., Cui Y., Han Ch., Zhang Ch., Fan Y., Liang Ch. Influences of sintering process on (Bi2O3–V2O5–Mn3O4–Y2O3–Co2O3–Cr2O3)-doped ZnO varistors. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2017. 28. 2015–2022.
- Reynolds D.C., Look D.C., Jogai B., Litton C.W., Collins T.C., Harsh W., Cantwell G. Neutral-donor-bound-exciton complexes in ZnO crystals. Phys. Rev. B. 1998, 57, 12151–12155.
- Clarke D.R. Varistor Ceramics // J. Am. Ceram. Soc. 1999. 82. 485-502.
- Krivanek O.L., Williams P., Lin Y.Ch. Direct observation of voltage barriers in ZnO varistors // Appl. Phys. Lett. 1979. 34. 805–806.
- Weimer M.A., Hakim L.F., King D.M., Liang X., Weimer A.W., George S.M., Li P., Groner M.D. Ultrafast metal-insulator varistors based on tunable Al2O3 tunnel junctions // Appl. Phys. Lett. 2008. 92. 164101–164104.
- Weimer M.A., Weimer A.W., Park W. Theory of conduction in ultrafast metal-insulator varistors // J. Appl. Phys. 2008. 104. 114516–114523.
- Kim S., Lee S.H., Jo I.H., Seo J., Yoo Y.E., Kim J.H. Influence of growth temperature on dielectric strength of Al2O3 thin films prepared via atomic layer deposition at low temperature // Scientific Reports. 2022. 12. 5124–5129.
Дополнительные файлы
