Отправить статью по E-mail Исследование спектра поглощения поверхностно-модифицированного кремния в диапазоне длин волн от 2,5 до 25 мкм
- Авторы: Горелов Д.В.1, Сомов Н.М.1, Потапенко И.В.1, Новиков Д.В.1,2, Амеличев В.В.1
-
Учреждения:
- ФГБНУ НПК «Технологический центр»
- Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
- Выпуск: Том 18, № 7 (2024)
- Страницы: 536-538
- Раздел: Материалы и покрытия
- URL: https://journals.eco-vector.com/1993-7296/article/view/642535
- DOI: https://doi.org/10.22184/1993-7296.FROS.2024.18.7.536.538
- ID: 642535
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Представлены результаты отработки технологии формирования модифицированных поглощающих поверхностей кремния, позволяющей улучшить спектральные характеристики приборов, создаваемых на его основе: устройств радиационного охлаждения, источников и датчиков ИК-излучения.
Полный текст
Об авторах
Д. В. Горелов
ФГБНУ НПК «Технологический центр»
Автор, ответственный за переписку.
Email: journal@electronics.ru
ORCID iD: 0000-0002-0887-9406
Россия, г. Зеленоград, Москва
Н. М. Сомов
ФГБНУ НПК «Технологический центр»
Email: journal@electronics.ru
ORCID iD: 0009-0009-9093-3018
Россия, г. Зеленоград, Москва
И. В. Потапенко
ФГБНУ НПК «Технологический центр»
Email: journal@electronics.ru
ORCID iD: 0009-0007-4500-1022
Россия, г. Зеленоград, Москва
Д. В. Новиков
ФГБНУ НПК «Технологический центр»; Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Email: journal@electronics.ru
ORCID iD: 0000-0002-9518-1208
Россия, г. Зеленоград, Москва; г. Зеленоград, Москва
В. В. Амеличев
ФГБНУ НПК «Технологический центр»
Email: journal@electronics.ru
ORCID iD: 0000-0002-4204-2626
Россия, г. Зеленоград, Москва
Список литературы
- Nguyen V. T. H. et al. On the formation of black silicon in SF6-O2 plasma: The clear, oxidize, remove, and etch (CORE) sequence and black silicon on demand. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2020; 38(4).
- Atteia F. et al. Morphologies and optical properties of black silicon by room temperature reactive ion etching. Materials Research Bulletin. 2020; 131: 110973.
- Chai J. Y. H., Wong B. T., Juodkazis S. Black-silicon-assisted photovoltaic cells for better conversion efficiencies: a review on recent research and development efforts. Materials Today Energy. 2020; 18: 100539.
- Tan Q. et al. Nano-fabrication methods and novel applications of black silicon. Sensors and Actuators A: Physical. 2019; 295: 560–573.
- Liu W. et al. CMOS MEMS infrared source based on black silicon. 2016 IEEE 11th Annual International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (NEMS). IEEE. 2016: 200–204.
- Sarkar S. et al. Black silicon revisited as an ultrabroadband perfect infrared absorber over 20 μm wavelength range. Advanced Photonics Research. 2023; 4.(2):2200223.
Дополнительные файлы
