RESEARCH OF THE DEPENDENCE OF CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF p-Si-n-(Si2)1 - x - y(Ge2)x(ZnSe)y-STRUCTURES ON TEMPERATURE
- Autores: Saidov A.S.1, Amonov K.A.1, Leyderman A.Y.1
-
Afiliações:
- Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences
- Edição: Volume 6, Nº 3 (2019)
- Páginas: 16-21
- Seção: Articles
- URL: https://journals.eco-vector.com/2313-223X/article/view/529741
- DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2019-6-3-16-21
- ID: 529741
Citar
Acesso aberto
Acesso está concedido
Resumo
The possibility of growing of the solid solution (Si2)1 - x - y (Ge2)x (ZnSe)y on silicon substrates by liquid-phase epitaxy from the tin solution - melt has been shown. The current - voltage characteristics of heterostructures at room temperature has three sections: ohmic section - I ~ V , exponential one - I ~ exp ( qV / ckT ), and the third one with cubic dependence - I ~ V3 that at increasingtemperature is replaced by the weaker dependences - I ~ V2,8, I ~ V2,5 and I ~ V2,3 at temperatures of 360, 390 and 420 K, respectively. The experimental results are explained on the basis of theoretical ideas about the complex nature of the recombination processesin these materials.
Palavras-chave
Texto integral
Sobre autores
Amin Saidov
Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences
Email: amin@uzsci.net
Dr. of Sciences; professor Tashkent, Uzbekistan
Kobil Amonov
Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences
Email: kvant.ph@gmail.com
senior researcher Tashkent, Uzbekistan
Ada Leyderman
Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences
Email: ley@uzsci.net
Dr. of Sciences, professor Tashkent, Uzbekistan
Bibliografia
- Saidov A.S. The tenth Intern. Conf. on Crystal Growth. California, 1992. Р. 30.
- Cаидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 2. С. 12.
- Saidov А.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Asatova U.P. // Semiconductors. 2010. Vol. 44. № 7. Р. 938-945.
- Saidov A.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Leiderman A.Yu., Kalanov M.U., Gaimnazarov K.G., Kurmantaev A.N. // Physics of the Solid State. 2011. Vol. 53. № 10. Р. 2012-2021.
- Saidov A.S., Usmonov Sh.N., Saidov M.S. // Semiconductors. 2015. Vol. 49. № 4, Р. 547-550.
- Saidov A.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Kholikov К.Т., Saparov D.V. // Applied Solar Energy. 2008. Vol. 44. № 3б. Р. 188-189.
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов // Сов. Радио. М., 1975.
- Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. II. М.: Металлургиздат, 1962.
- Саидов А.С., Саидов М.С., Кошчанов Э.А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев Арсенида Галлия и твердых растворов на его основе. Ташкент: Фан, 1986.
- Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М., Сов. Радио, 1978. 320 с.
- Leiderman A.Yu., Minbaeva M.K. Mechanism of rapid growth of the direct current in semiconductor diode structures // Semiconductors. 1996. № 30 (10). Р. 905-909.
- Стафеев В.И. // ЖТФ. 1958. Т. 28. № 8. С. 1631-1641.
- Сапаев Б., Саидов А.С., Заверюхин Б.Н. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 2. С. 25-32.
- Мейлихов Е.З., Лазарев С.Д. Электрофизические свойства полупроводников: справочник физических величин. М.: ЦНИИ Атоминформ, 1987. 87 с.
- Lampert M.A., Mark P. Current injection in solids. Academic press, New York and London. 1970. Р. 222.
- Шейкман М.К., Корсунская Н.Е. Фотохимические реакции в полупроводниках типа AIIBIV. В кн: Физика соединений AIIBIV. М.: Наука, 1986. С. 109-145.
- Лейдерман А.Ю., Саидов А.С., Хашаев М.М., Рахмонов У.Х. // Альтернативная энергетика и экология. 2015. № 7 (171). С. 55-69.
- Leyderman A.Yu., Saidov A.S., Khashaev M.M., Rakhmonov U.Kh. // Journal of Material Science Research. 2013. Vol. 2. № 2. Р. 14-21.
Arquivos suplementares
