RESEARCH OF THE DEPENDENCE OF CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF p-Si-n-(Si2)1 - x - y(Ge2)x(ZnSe)y-STRUCTURES ON TEMPERATURE


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The possibility of growing of the solid solution (Si2)1 - x - y (Ge2)x (ZnSe)y on silicon substrates by liquid-phase epitaxy from the tin solution - melt has been shown. The current - voltage characteristics of heterostructures at room temperature has three sections: ohmic section - I ~ V , exponential one - I ~ exp ( qV / ckT ), and the third one with cubic dependence - I ~ V3 that at increasingtemperature is replaced by the weaker dependences - I ~ V2,8, I ~ V2,5 and I ~ V2,3 at temperatures of 360, 390 and 420 K, respectively. The experimental results are explained on the basis of theoretical ideas about the complex nature of the recombination processesin these materials.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

Amin Saidov

Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences

Email: amin@uzsci.net
Dr. of Sciences; professor Tashkent, Uzbekistan

Kobil Amonov

Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences

Email: kvant.ph@gmail.com
senior researcher Tashkent, Uzbekistan

Ada Leyderman

Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences

Email: ley@uzsci.net
Dr. of Sciences, professor Tashkent, Uzbekistan

Әдебиет тізімі

  1. Saidov A.S. The tenth Intern. Conf. on Crystal Growth. California, 1992. Р. 30.
  2. Cаидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 2. С. 12.
  3. Saidov А.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Asatova U.P. // Semiconductors. 2010. Vol. 44. № 7. Р. 938-945.
  4. Saidov A.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Leiderman A.Yu., Kalanov M.U., Gaimnazarov K.G., Kurmantaev A.N. // Physics of the Solid State. 2011. Vol. 53. № 10. Р. 2012-2021.
  5. Saidov A.S., Usmonov Sh.N., Saidov M.S. // Semiconductors. 2015. Vol. 49. № 4, Р. 547-550.
  6. Saidov A.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Kholikov К.Т., Saparov D.V. // Applied Solar Energy. 2008. Vol. 44. № 3б. Р. 188-189.
  7. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов // Сов. Радио. М., 1975.
  8. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. II. М.: Металлургиздат, 1962.
  9. Саидов А.С., Саидов М.С., Кошчанов Э.А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев Арсенида Галлия и твердых растворов на его основе. Ташкент: Фан, 1986.
  10. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М., Сов. Радио, 1978. 320 с.
  11. Leiderman A.Yu., Minbaeva M.K. Mechanism of rapid growth of the direct current in semiconductor diode structures // Semiconductors. 1996. № 30 (10). Р. 905-909.
  12. Стафеев В.И. // ЖТФ. 1958. Т. 28. № 8. С. 1631-1641.
  13. Сапаев Б., Саидов А.С., Заверюхин Б.Н. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 2. С. 25-32.
  14. Мейлихов Е.З., Лазарев С.Д. Электрофизические свойства полупроводников: справочник физических величин. М.: ЦНИИ Атоминформ, 1987. 87 с.
  15. Lampert M.A., Mark P. Current injection in solids. Academic press, New York and London. 1970. Р. 222.
  16. Шейкман М.К., Корсунская Н.Е. Фотохимические реакции в полупроводниках типа AIIBIV. В кн: Физика соединений AIIBIV. М.: Наука, 1986. С. 109-145.
  17. Лейдерман А.Ю., Саидов А.С., Хашаев М.М., Рахмонов У.Х. // Альтернативная энергетика и экология. 2015. № 7 (171). С. 55-69.
  18. Leyderman A.Yu., Saidov A.S., Khashaev M.M., Rakhmonov U.Kh. // Journal of Material Science Research. 2013. Vol. 2. № 2. Р. 14-21.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML


Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>