RESEARCH OF THE DEPENDENCE OF CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF p-Si-n-(Si2)1 - x - y(Ge2)x(ZnSe)y-STRUCTURES ON TEMPERATURE
- Authors: Saidov A.S.1, Amonov K.A.1, Leyderman A.Y.1
-
Affiliations:
- Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences
- Issue: Vol 6, No 3 (2019)
- Pages: 16-21
- Section: Articles
- URL: https://journals.eco-vector.com/2313-223X/article/view/529741
- DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2019-6-3-16-21
- ID: 529741
Cite item
Open Access
Access granted
Abstract
The possibility of growing of the solid solution (Si2)1 - x - y (Ge2)x (ZnSe)y on silicon substrates by liquid-phase epitaxy from the tin solution - melt has been shown. The current - voltage characteristics of heterostructures at room temperature has three sections: ohmic section - I ~ V , exponential one - I ~ exp ( qV / ckT ), and the third one with cubic dependence - I ~ V3 that at increasingtemperature is replaced by the weaker dependences - I ~ V2,8, I ~ V2,5 and I ~ V2,3 at temperatures of 360, 390 and 420 K, respectively. The experimental results are explained on the basis of theoretical ideas about the complex nature of the recombination processesin these materials.
Full Text
About the authors
Amin Safarbaevich Saidov
Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences
Email: amin@uzsci.net
Dr. of Sciences; professor Tashkent, Uzbekistan
Kobil Asharovich Amonov
Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences
Email: kvant.ph@gmail.com
senior researcher Tashkent, Uzbekistan
Ada Yul’evna Leyderman
Physical-Technical Institute, «Physics-Sun» Uzbekistan Academy of Sciences
Email: ley@uzsci.net
Dr. of Sciences, professor Tashkent, Uzbekistan
References
- Saidov A.S. The tenth Intern. Conf. on Crystal Growth. California, 1992. Р. 30.
- Cаидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 2. С. 12.
- Saidov А.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Asatova U.P. // Semiconductors. 2010. Vol. 44. № 7. Р. 938-945.
- Saidov A.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Leiderman A.Yu., Kalanov M.U., Gaimnazarov K.G., Kurmantaev A.N. // Physics of the Solid State. 2011. Vol. 53. № 10. Р. 2012-2021.
- Saidov A.S., Usmonov Sh.N., Saidov M.S. // Semiconductors. 2015. Vol. 49. № 4, Р. 547-550.
- Saidov A.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Kholikov К.Т., Saparov D.V. // Applied Solar Energy. 2008. Vol. 44. № 3б. Р. 188-189.
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов // Сов. Радио. М., 1975.
- Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. II. М.: Металлургиздат, 1962.
- Саидов А.С., Саидов М.С., Кошчанов Э.А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев Арсенида Галлия и твердых растворов на его основе. Ташкент: Фан, 1986.
- Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М., Сов. Радио, 1978. 320 с.
- Leiderman A.Yu., Minbaeva M.K. Mechanism of rapid growth of the direct current in semiconductor diode structures // Semiconductors. 1996. № 30 (10). Р. 905-909.
- Стафеев В.И. // ЖТФ. 1958. Т. 28. № 8. С. 1631-1641.
- Сапаев Б., Саидов А.С., Заверюхин Б.Н. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 2. С. 25-32.
- Мейлихов Е.З., Лазарев С.Д. Электрофизические свойства полупроводников: справочник физических величин. М.: ЦНИИ Атоминформ, 1987. 87 с.
- Lampert M.A., Mark P. Current injection in solids. Academic press, New York and London. 1970. Р. 222.
- Шейкман М.К., Корсунская Н.Е. Фотохимические реакции в полупроводниках типа AIIBIV. В кн: Физика соединений AIIBIV. М.: Наука, 1986. С. 109-145.
- Лейдерман А.Ю., Саидов А.С., Хашаев М.М., Рахмонов У.Х. // Альтернативная энергетика и экология. 2015. № 7 (171). С. 55-69.
- Leyderman A.Yu., Saidov A.S., Khashaev M.M., Rakhmonov U.Kh. // Journal of Material Science Research. 2013. Vol. 2. № 2. Р. 14-21.
Supplementary files
