FEATURES OF PHYSICAL-MECHANICAL AND HIGH-TEMPERATURE ELECTRIC PROPERTIES OF CERAMIC SEMICINDUCTOR BASED ON SnO 2 WITH MnO 2 AND CuO ADDITIVE AGENTS


Cite item

Full Text

Abstract

Ceramic semiconductors based on SnO 2 with MnO 2 and CuO additive agents were synthesized. Synthesis temperature was 1300 and 1400 °С. Physical-mechanical and high-temperature electric properties investigation were performed. It is revealed that increase of synthesis temperature for materials with MnO 2, provides for their better agglomeration. Compositions 96 % SnO 2 - 2 % Sb 2O 3 - 2 % CuO, obtained at 1300 °С, have the best electro-physical properties. Resistance of 94 % SnO 2 - 2 % Sb 2O 3 - 2 % CuO - 2 % MnO 2 in high temperature field is 3 times higher. 96 % SnO 2 - 2 % Sb 2O 3 - 2 % MnO 2 have nonlinear currant-voltage characteristic.

Full Text

Керамика на основе диоксида олова нашла применение во многих отраслях промышленности: электронике, электротехнике, электрохимии, катализе, биотехнологии, металлургии, атомной и химической промышленности и др. [1]. SnO2 - полупроводник (n-типа) с энергией запрещенной зоны 3,54 эВ [2], свойства которого во многом определяются микроструктурой и методом синтеза. Широкий диапазон областей применения накладывает особые требования к свойствам материала и, как следствие, к методам его синтеза. Высокопористые, поликристаллические материалы с большим количеством структурных дефектов применяются в качестве катализаторов и полупроводниковых газовых сенсоров [3-6]. Кислородные вакансии, образующиеся в поверхностно-активных слоях пор диоксида олова, являются участками физической или химической адсорбции, наличие которой необходимо для газочувствительности. С другой стороны, высокоплотные керамики на основе SnO2 в связи с высокой электропроводностью при высоких температурах используются в качестве электродов [7], работающих при высоких температурах, например, для электролиза алюминия и производства стекла [8]. Без использования стеклообразующих добавок диоксид олова имеет плохую спекаемость, обусловленную доминированием процесса испарения-конденсации над диффузией [9]. Так как начиная с температуры 1100 оС SnO2 начинает интенсивно испаряться, это сильно ограничивает компактирование материала. Одним из способов улучшения спекаемости керамических материалов является использование добавок высокодисперсных оксидных материалов, таких как ZnO [10], CuO [11], MnO2 [12; 13], СоО [14], Fe2O3 [13], а для улучшения электрических свойств добавляются V2O5 [6], Sb2O3 [15]. Особенно эффективны добавки CuO порядка 1 % мол., обусловленные образованием жидкой фазы, точка эвтектики системы Си-O 1080 оС [16]. Существенное улучшение электрофизических свойств обеспечивают добавки Sb2O3. Целью настоящей работы было исследование особенностей физико-механических и высокотемпературных электрофизических свойств керамики на основе 96 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 2 % CuO с добавками ультрадисперсного (УДП) MnO2. Методика эксперимента. Образцы изготавливались по классической керамической технологии. Исходная навеска порошка SnO2 приготавливалась в водном растворе солей Mn и Си, в дальнейшем проводился предварительный обжиг при температуре 1 100 °С с дальнейшим измельчением. После происходило формирование готового изделия при использовании в качестве связки 5%-го раствора поливинилового спирта. Обжиг изделия проходил при температуре 1300 и 1400 °С в течение 2 ч. Для физикомеханических испытаний образцы керамики изготавливались в виде цилиндров диаметром 15 мм и высотой 10 мм соответственно. Для электрофизических измерений образцы имели прямоугольную форму 5^4x50 мм. Плотность образцов измерялась по методике гидростатического взвешивания в спирте, открытая пористость - по ГОСТ 2409-95. Удельное электросопротивление (УЭС) в диапазоне температур 20-1000 °С измерялось четырехзондовым методом [17]. Механические свойства определялись с помощью прибора Instron 3369. Кристаллическая структура синтезированной керамики контролировалась рентгеноструктурным анализом на приборе XRD 6000. Фотографии поверхности изломов получали с помощью растрового электронного микроскопа JEOL (Japan) JSM-7001F. Результаты экспериментов. Результаты проведенных исследований физико-механических свойств синтезированных керамических материалов и значения их удельного электрического сопротивления при Т = 1 000 °С представлены в таблице. Физико-механические свойства и УЭС исследуемых керамических материалов № Состав шихты Температура обжига, °С Плот ность, г/см3 Открытая пористость, % Проч ность, МПа УЭС, мОмм T= 1 000°C 1 2 3 4 5 6 7 1 96 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 2 % CuO 1 300 5,4 17,9 155,3 0,09 2 96 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 2 % MnO2 1 300 5,5 18,5 91,2 0,80 3 96 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 2 % MnO2 1 400 6,1 6,1 158,2 - 4 94 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 4 % MnO2 1 300 5,5 17,2 132,5 0,83 5 94 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 4 % MnO2 1 400 6,1 5,1 257,6 - 6 90 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 8 % MnO2 1 300 5,3 18,6 149,7 0,99 7 94 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 2 % CuO - 2 % MnO2 1 300 6,6 0,11 424,8 1,7 Рис. 1. Зависимость прочности керамических материалов от степени их деформации при сжатии В первом столбце таблицы указан номер эксперимента, во втором и третьем - состав керамики и температура ее окончательного обжига. В 4-7 столбцах приведены измеренные значения плотности, открытой пористости, прочности и УЭС соответственно. Видно, что полная замена CuO на MnO2 приводит к деградации механических и электрических свойств керамики (эксперименты № 1-2). Увеличение температуры обжига приводит к увеличению плотности, прочности и, соответственно, уменьшению открытой пористости (№ 2-3 и 4-5). Наилучшая комбинация состава из изученных - 94 % SnO2 - 2 % Sb2O3 -2 % CuO - 2 % MnO2. Данная керамика обладает наилучшими физико-механическими характеристиками (№ 7). Результаты исследований прочности керамики при одноосном сжатии, полученных на измерительной машине Instron 3369, приведены на рис. 1. Предел прочности керамики с увеличением концентрации MnO2 уменьшается. Модуль Юнга практически не меняется. Небольшая добавка стеклообразующей фазы CuO приводит сильному увеличению предела прочности и изменению характера деформации и разрушения (от классически хрупкого до вязкохрупкого). На кривых (рис. 1) в ряде случаев происходит скачкообразное разрушение материала, что свидетельствует об изменении характера деформации. На рис. 2 приведены фотографии поверхности излома образцов синтезированной керамики. Структура изломов также свидетельствует о смене характера разрушения от хрупкого (рис. 2, а) до вязкохрупкого (рис. 2, б). Как можно видеть, в диоксиде олова, полученного с добавками CuO или MnO2, образуются поры 1, размер которых, в случае добавки 2 % CuO, составляет 20 мкм. В керамике с комбинацией состава диоксида марганца и оксида меди крупные поры практически отсутствуют, как и поры более мелкого размера. На рис. 3 представлены фотографии изломов керамики с 5000-кратным увеличением. Как видно, разрушение керамики состава 96 % SnO2 -2 % Sb2O3 - 2 % CuO идет по телу частиц, а разрушение керамики с добавками 2 % CuO - 2 % MnO2 происходит по границам зерен (видимо, по стеклообразующей фазе CuMn2O4, Cui,5Mni,5O4) [18]). Известно [19], что при добавлении MnO2 в поли-кристаллический диоксид олова на поверхности зерен происходит образование Mn2SnO4, которая, по-видимому, препятствует хорошему спеканию материала. Этим и объясняется высокая пористость материала и его низкая прочность. В случае использования комбинации добавок MnO2-CuO происходит образование CuMnOx-фазы (преимущественно CuMn2O4, Cu1,5Mn1,5O4) [17], которая выступает в качестве стек-лофазы, образующейся на поверхности зерен, и способствует спеканию. 119 Технологические процессы и материалы а б Рис. 2. Фотографии, исследуемых материалов с 500-кратным увеличением, полученные с помощью растрового электронного микроскопа JEOL (Japan) JSM-7001F: а - 96 % SnO2 - 2 % Sb2Os - 2 % CuO: 1 - поры; б - 94 % SnO2 - 2 % Sb2Os - 2 % CuO - 2 % MnO2 Для улучшения электрофизических свойств использовалась добавка Sb2O3. При высокотемпературном обжиге происходит замещение 4-валентных атомов олова на 5-валентные атомы сурьмы в кристаллической решетке SnO2 [20], что обеспечивает дырочную проводимость материала и существенно уменьшает ширину запрещенной зоны [21]. Результаты измерений удельного электрического сопротивления исследуемых керамик в зависимости от температуры представлены на рис. 4. Как было сказано выше, в качестве добавки, улучшающей проводимость материала, использовался Sb2O3. В составах, представленных на рис. 4, концентрация оксида сурьмы постоянна (число носителей электрического заряда). В этой связи удельное электрическое сопротивление определяется качеством электрического контакта между спеченными частицами. Самое низкое УЭС у материала, полученного с использованием CuO, оно составляет 0,09 мОм м (см. таблицу, № 1). Как видно из таблицы и рис. 4, в случае использования MnO2 УЭС не зависит от концентрации данной фазы. Данный факт можно объяснить тем, что образование Mn2SnO4 на поверхности прак тически не оказывает влияния на электрический контакт между спеченными частицами диоксида олова. 20 18 16 14 Е 12 о 10 Е <£ 8 6 4 2 О I | I | I | I | I | I | I | I | I | I | i | I | I | 400 450 500 550 600 650 700 750 800 850 900 950 1000 1050 Т, °С Рис. 4. Зависимости удельного электрического сопротивления материалов на основе диоксида олова от температуры с различной концентрацией диоксида марганца На рис. 5 представлены вольт-амперные характеристики образцов 96 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 2 % CuO и 96 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 2 % MnO2. 120 Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М. Ф. Решетнева Н-1-1-1- 1 1 I. A а “I-1-r б Рис. 5. Вольт-амперные характеристики образцов при трехкратном измерении (Т = 1 000 °С): а - 96 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 2 % CuO; б - 96 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 2 % МЮ2: 1 - повышение силы тока; 2 - понижение силы тока Как видно, вольт-амперные характеристики зависят от фазового состава материала. В случае состава 96 % SnO2 - 2 % Sb2O3 - 2 % CuO вольт-амперные характеристики прямолинейные, что свидетельствует о постоянстве УЭС при увеличении токовой нагрузки (рис. 5, а). Наоборот, в образцах, где CuO заменен на ультрадисперсный MnO2, при увеличении токовой нагрузки от 1 до 10 А УЭС уменьшается практически в 2 раза (рис. 5, б). Последнее может быть связано с дополнительной генерацией носителей электрического заряда на межфазных границах частиц либо с началом протекания по тем же границам из-за повышенного на них тепловыделения. Кроме того, в случае материала с добавками УДП диоксида марганца на вольт-амперной характеристике наблюдается гистерезис, который можно объяснить более поздним выравниваем температур частиц диоксида олова по сравнению с межфазными границами при уменьшении токовой нагрузки. Таким образом, можно сделать следующие выводы: 1. Наилучшими электрофизическими характеристиками обладают образцы состава 96 % SnO2 -2 % Sb2O3 - 2 % CuO, полученные при температуре обжига 1300 °С. 2. Замена в составе CuO на MnO2 приводит к деградации механических свойств материала. 3. Использование комбинации УДП добавок MnO2-CuO приводит к существенному повышению механической прочности и смене механизма разрушения от классически хрупкого до вязкохрупкого. 4. В составах с добавками УДП MnO2-CuO обнаружена нелинейность вольт-амперной характеристики. При повышении токовой нагрузки происходит уменьшение удельного электрического сопротивления. Кроме того, на вольт-амперной характеристике обнаружен гистерезис.
×

References

  1. Influence of the additives and processing conditions on the characteristics of dense SnO2-based ceramics / D. Ninstro [et al.] // J. of materials science. 2003. № 38. Р. 2727-2742.
  2. Кнуняц И. Л., Зефиров Н. С., Кулов Н. Н. Химическая энциклопедия: в 5 т. Т. 3. С. 379.
  3. Licxnersk B. Thick-film gas microsensors based on tin dioxid // Bulletin of the polish academy of sciences technical sciences. 2004. Vol. 52, № 1.
  4. Gas Sensors Based on Tin Oxide Nanoparticles Synthesized from a Mini-Arc Plasma Source / L. Ganhua [et al.] // Hindawi Publishing Corporation Journal of Nanomaterials. 2006. P. 1-7.
  5. Mahipal B., Mastikhi V. M. Study of tin dioxide and antimony tetroxide supported vanadium oxide catalysts by solid-state 51V and ‘H NMR technique // Solid State Nuclear Magnetic Resonance. 1992. Р. 245-249.
  6. H2S Detection sensing characteristic of CuO/SnO2 sensor / L. Jinhuat [et al.] // Sensor. 2003. № 3. Р. 110-118.
  7. Исследование физико-механических и электрофизических свойств электропроводящих огнеупорных керамик на основе SnО2-Sb2Оз-CuО / С. С. Добросмыслов [и др.] // Огнеупоры и техническая керамика. 2010. № 6. С. 7-10.
  8. Depolarised gas anodes for aluminium electrowinning / G. M. Haarber [et al.] // Trans. Nonferrous Met. Soc. China. 2010. № 20. Р. 2152-2154.
  9. Effect of Cobalt (II) Oxide and Manganese (IV) Oxide on Sintering of Tin (IV) Oxide / J. A. Cerri [et al.] // J. of the American Ceramic Society. 1996. № 79(3). Р. 799.
  10. Bueno P. R., Varela J. A., Longo E. SnO2, ZnO and related polycrystalline compound semiconductors: An overview and review on the voltage-dependent resistance (non-ohmic) feature // J. of the European Ceramic Society. 2008. № 28. Р. 505-529.
  11. TIN OXIDE-BASED ELECTRODE COMPOSITION : Patent USA. № 20100155674 / J. P. Fourcade. Olivier Citti. 2010.
  12. SnO2-modified MnO2 Electrode Materials for Electrochemical Capacitor / C. Yatao [et al.] // ECS Transactions. 2010. № 28(8). Р. 107-115.
  13. Электродные материалы на основе нано кристаллических оксидов олова, марганца и кобальта / Э. В. Панов [и др.] // Вестник Харьковского национального университета. 2010. Вып. 18 (41), № 895.
  14. Microstructural evolution during sintering of CoO doped SnO2 ceramics / J. A. Varela [et al.] // Ceramics International. 1999. № 25. Р. 253-256.
  15. Wang B., Wuping Kong, Hongzhu Ma Electrochemical treatment of paper mill wastewater using three-dimensional electrodes with Ti/Co/SnO2-Sb2O5 anode // J. of Hazardous Materials. 2007. № 146. Р. 295-301.
  16. Thermodynamic reassessment of the Cu-O phase diagram / L. Schramm [et al.] // J. of phase equilibria and diffusion. Vol. 26, № 6. Р. 605-612.
  17. Investigation of Electrical Characteristics of High Temperature Ceramic-Metal Contact Assemblages / E. I. Stepanov [et al.] // Engineering & Technologies. 2009. № 3. P. 278-282.
  18. Bueno P. R., Varela J. A. Electronic Ceramics Based on Polycrystalline SnO2, TiO2 and (SnxTi1-x)O2 Solid Solution // Materials Research. 2006. Vol. 9, № 3. Р. 293-300.
  19. Structural transformation of an alumina-supported MnO -CuO oxidation catalyst by hydrothermal impact of sub- and supercritical water / A. Martin [et al.] // J. Mater. Chem. 2002. № 12. Р. 639-645.
  20. Галлахов Ф. Я., Шервинская А. К., Петрова М. А. Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов : в 3 т. / Институт химии силикатов. Л. : Наука, 1987.
  21. Influence of the concentration of Sb2O3 on the electrical properties of SnO2 varistors / J. R. Ciorcero [et al.] // J Mater Sci: Mater Electron. 2011. № 22. Р. 679-682.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML

Copyright (c) 2012 Dobrosmislov S.S., Kirko V.I., Nagibin G.E., Rezinkina O.A., Popov Z.I.

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies