ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ДЕФОРМАЦИИНА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ МОНОСЛОЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОГОНИТРИДА БОРА


Цитировать

Полный текст

Аннотация

Работа посвящена исследованию влияния деформации на электронную структуру и свойства монослоя гексагонального нитрида бора, а также изучению поведения адатомов бора и азота на поверхности монослоя.

Об авторах

Мария Викторовна Сержантова

Институт цветных металлов и материаловедения Сибирскогофедерального университета

Email: sunnise.86@mail.ru
аспирант кафедры физической и неорганической химии; Институт цветных металлов и материаловедения Сибирскогофедерального университета

Александр Александрович Кузубов

Институт цветных металлов и материаловедения Сибирского федерального университета

Email: alex_xx@rambler.ru
кандидатфизико-математических наук, доцент кафедры физической и неорганической химии; Институт цветных металлов и материаловедения Сибирского федерального университета

Александр Семенович Федоров

Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук

Email: alex99@ iph.krasn.ru
доктор физико-математических наук, доцент, старший научный сотрудник лаборатории физики магнитных явлений; Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук

Феликс Николаевич Томилин

Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук

кандидат химических наук, научный сотрудник лаборатории физикимагнитных явлений; Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук

Павел Олегович Краснов

Сибирский государственный технологический университет

Email: kpo1980@gmail.com
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики; Сибирский государственный технологический университет

M V Serzhantova

A A Kuzubov

A S Fedorov

F N Tomilin

P O Krasnov

Список литературы

  1. Edgar J. H. Properties of group III nitrides. INSPEC. London, 1994.
  2. Doni E., Pastory Parravicini G. IL NUOVO CIMENTO. LXIV. 1969. B. 1. 117.
  3. Nano Lett / Li Song, Lijie Ci, Hao Lu et al. 2010. Vol. 10. 3209.
  4. Watanabe K., Taniguchi T., Kanda H. Nature Mater. 2004. Vol. 3. 404-409.
  5. IEEE Electron Device Letters / M. C. Lemme [et al.]. 2007. Vol. 28. 282.
  6. Nat. Mater. / F. Schedin [et al.]. 2007. Vol. 6. 652.
  7. Nag A., Raidongia K. K. P. S. S. Hembram. ACS Nano. 2010. Vol. 4. 1539.
  8. Kohn W., Sham L. J. Phys. Rev. 1965. B 140. A1133.
  9. Phys. Rev. / G. Kresse, J. Hafner et al. 1993. B 47. 558.
  10. Phys. Rev. / G. Kresse, J. Hafner et al. 1993. B 48. 13115.
  11. Phys. Rev. / G. Kresse, J. Hafner et al. 1994. B 49. 14251.
  12. Vanderbilt. D. Phys. Rev. 1990. B bf 41. 7892.
  13. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М., 1978.
  14. Monkhorst H. J., Pack J. D. Phys. Rev. 1976. B 13. 5188.
  15. Mater. Sci. Eng. / N. Ooi, V. Rajan, J. Gottlieb et al. 2006. 14. 515.
  16. J. Phys. Chem. Solids / V. L. Solozhenko, A. G. Lazarenko, J. P. Petitet et al. 2001. Vol. 62 (7). 1331-4.
  17. Liu L., Feng Y. P., Shen Z. X. Phys. Rev. 2003. B 68. 104102-9.
  18. Eur. Phys. J. / S. Azevedo, C. M. C. de Castilho. J. R. Kaschny et al. 2009. B 67. 507-512.
  19. Phys. Rev. / A. Catellani, M. Posternak, A. Baldereschi et al. 1987. B 36 (11). 6105.
  20. Nano Lett. / Y Shi., C. Hamsen, X. Jia et al. 2010. Vol. 10. P. 4134-4139.
  21. Письма в ЖЭТФ / А. А. Кузубов [и др.]. 2011. № 93 (6). С. 368-371.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Сержантова М.В., Кузубов А.А., Федоров А.С., Томилин Ф.Н., Краснов П.О., Serzhantova M.V., Kuzubov A.A., Fedorov A.S., Tomilin F.N., Krasnov P.O., 2011

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.