Микроэлектроника
ISSN 0544-1269 (Print)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Ретрагированные статьи
Архив
Контакты
Подписка
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
По автору
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Категории
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
атомы фтора
интенсивность излучения
ионизация
квантовая точка
кинетика
кремний
магнетронное распыление
мемристор
механизм
моделирование
молекулярно-лучевая эпитаксия
плазма
полимеризация
приведенная напряженность электрического поля
резистивное переключение
резистивные переключения
рутений
температура газа
тестирование
травление
удельная мощность
Текущий выпуск
Том 54, № 3 (2025)
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
По автору
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Категории
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
атомы фтора
интенсивность излучения
ионизация
квантовая точка
кинетика
кремний
магнетронное распыление
мемристор
механизм
моделирование
молекулярно-лучевая эпитаксия
плазма
полимеризация
приведенная напряженность электрического поля
резистивное переключение
резистивные переключения
рутений
температура газа
тестирование
травление
удельная мощность
Текущий выпуск
Том 54, № 3 (2025)
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Mustafaeva, S. N.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 53, № 1 (2024)
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Моделирование физико-химических и электронных свойств литийсодержащего 4Н-SiC и бинарных фаз системы Si–C–Li
Том 53, № 1 (2024)
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Моделирование электронных свойств М-легированных суперъячеек Li
4
Ti
5
O
12
—М (М = Zr, Nb) с моноклинной структурой для литий-ионных аккумуляторов
Том 52, № 3 (2023)
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Моделирование адсорбции и диффузии атомов лития на дефектном графене для Li-ионной батареи
Том 52, № 1 (2023)
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
Моделирование дефектной структуры суперъячейки и явления переноса в TlInTe
2
Том 53, № 6 (2024)
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Моделирование структурых свойств и явления переноса в легированных многокомпонентных 2D полупроводниках
Том 54, № 2 (2025)
ДИАГНОСТИКА
Закономерности переноса рентгеновского излучения в легированных многокомпонентных полупроводниках для дозиметрии
TOP