Эпитаксиальный рост, морфология и температурная устойчивость кристаллов кварцеподобного диоксида германия

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Рассмотрены условия и механизмы эпитаксиального роста кристаллов кварцеподобного a-GeO2 на кварцевых подложках с использованием испарительно-рециркуляционного метода. Выращены относительно однородные кристаллы a-GeO2 массой до 200 г со скоростью роста до 0,3 мм/сут. Установлено, что молекулярная адгезия (сцепление) на границе кварцевой подложки и наросшего слоя a-GeO2 не в состоянии предотвратить переход его в стабильную труднорастворимую рутилоподобную фазу. Это не позволяет осуществить промышленное выращивание монокристаллов ВГК, используя в качестве шихты смесь кварца и кварцеподобного a-GeO2. Однако этот процесс, вероятно, может быть реализован при нахождении других, более растворимых германийсодержащих соединений, таких как, например, кварцеподобный кремнийсодержащий оксид германия.

Об авторах

В. С. Балицкий

Институт экспериментальной минералогии им. Д.С. Коржинского Российской Академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: balvlad@iem.ac.ru
Россия, 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 4

Д. В. Балицкий

Институт экспериментальной минералогии им. Д.С. Коржинского Российской Академии наук

Email: balvlad@iem.ac.ru
Россия, 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 4

Д. Ю. Пущаровский

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Email: balvlad@iem.ac.ru

академик РАН

Россия, 119991, г. Москва, ул. Ленинские горы, д.1

Л. В. Балицкая

Институт экспериментальной минералогии им. Д.С. Коржинского Российской Академии наук

Email: lvbalitskaya@mail.ru
Россия, 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 4

Т. В. Сеткова

Институт экспериментальной минералогии им. Д.С. Коржинского Российской Академии наук

Email: lvbalitskaya@mail.ru
Россия, 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 4

Т. Н. Докина

Институт экспериментальной минералогии им. Д.С. Коржинского Российской Академии наук

Email: lvbalitskaya@mail.ru
Россия, 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 4

Список литературы

  1. Балицкий В.С., Балицкий Д.В., Пущаровский Д. Ю., Сеткова Т. В., Балицкая Л. В., Некрасов А.Н. // ДАН. 2017. Т. 477. № 5. С. 578-581.
  2. Балицкий В.С., Балицкий Д.В., Некрасов А.Н., Балицкая Л. В., Бондаренко Г. В., Самохвалова O. Л. // ДАН. 2004. Т. 396. № 1. С. 89-92.
  3. Clavier D ., Prakasam M ., Largeteau A ., Boy J.J ., Hehlen B., Cambon M., Cambon O. // Cryst. Eng. Com- muns. 2016. V. 18. № 14. P. 2500-2508.
  4. Ranieri V ., Darracq S ., Cambon M ., Haines J ., Cam- bon O., Largeteau A., Demazeau G. // Inorg. Chem. 2011. V. 50. № 10. P. 4632-4639.
  5. Косова Т. Б., Демьянец Л. Н. // ЖНХ. 1988. Т. 33. В. 10. С. 2654-2661.
  6. Roy R ., Theokritoff S . // J. Cryst. Growth. 1972. V. 12. № 1. P. 69-72.
  7. Балицкий Д. В., Балицкий В. С., Писаревский Ю. В., Сильвестрова О. Ю., Филиппо Э. // Кристаллография. 2000. Т. 45. № 1. C.151-153.
  8. Balitsky D. V ., Balitsky V. S., Puscharovsky D.Yu., Kosenko A. V., Bondarenko G. V. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 180. Р. 212-219.
  9. Balitsky D. V ., Balitsky V. S ., Pisarevsky Yu.V ., Philip- pot E., Puscharovsky D.Yu., Sil'vestrova O.Yu. // Ann. Chim. Mat. 2001. V. 26. P. 183-192

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2019