Характеристики кремниевых кантилеверов для атомно-силовой микроскопии компании АО «Ангстрем»

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты измерения основных параметров кремниевых кантилеверов производства АО «Ангстрем», предназначенных для работы в полуконтактном и контактном режимах атомно-силовой микроскопии (АСМ), а также АСМ-изображения различных образцов, полученные при помощи этих кантилеверов.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

А. Новак

АО «Ангстрем»

Автор, ответственный за переписку.
Email: Novak@angstrem.ru

к. т. н., руководитель лаборатории осаждения

Россия

А. Соколов

АО «Ангстрем»

Email: SokolovAM@angstrem.ru

инженер-технолог лаборатории осаждения

Россия

В. Ковалев

АО «Ангстрем»

Email: Kovalev@angstrem.ru

руководитель группы физико-аналитических исследований

Россия

Список литературы

  1. Binnig G., Quate C. F., Gerber Ch. Atomic Force Microscope // Physical Review Letters. 1986. V. 56. No. 9. PP. 930–933.
  2. Marti O., Drake B., Hansma P. K. Atomic Force Microscopy of Liquid-Covered Surfaces: Atomic Resolution Images // Applied Physics Letters. 1987. V. 51. No. 7. PP. 484–486.
  3. Миронов В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: ТЕХНОСФЕРА, 2013. 144 с.
  4. Иващенко Е. И., Цветков Ю. Б. Метод размерного стоп-травления кремния в производстве изделий микромеханики // Микросистемная техника. 2000. № 1. С. 16–20.
  5. Seidel H., Csepregi L., Heuberger A., Baumgärtel H. Anisotropic Etching of Crystalline Silicon in Alkaline Solutions I. Orientation Dependence and Behavior of Passivation Layers // Journal of The Electrochemical Society. 1990. V. 137. No. 11. PP. 3612–3626.
  6. Новак А. В., Новак В. Р. Исследование процесса электрохимического стоп-травления кремния при изготовлении кантилеверов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2020. Т. 25. № 1. С. 31–39.
  7. Новак А. В., Новак В. Р., Румянцев А. В. Особенности процесса изготовления кремниевых игл для кантилеверов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2021. Т. 26. № 3–4. С. 234–245.
  8. Brugger J., Buser R. A., de Rooij N. F. Silicon Cantilevers and Tips for Scanning Force Microscopy // Sensors and Actuators A: Physical. 1992. V. 34. No. 3. PP. 193–200.
  9. Wolter O., Bayer Th., and Greschner J. Micromachined silicon sensors for scanning force microscopy // Journal of Vacuum Science & Technology B. 1991. V. 9. No. 2. PP. 1353–1357.
  10. ISO 25178-2:2021 Geometrical product specifications (GPS) – Surface Texture: Areal – Part 2: Terms, definitions and surface texture parameters.
  11. ASME B46.1-2009 Surface Texture (Surface Roughness, Waviness, and Lay), American national standard.
  12. Blunt L., Jiang X. Advanced Techniques for Assessment Surface Topography: Development of a Basis for 3D Surface Texture Standards “Surfstand” // London: Kogan Page Science, 2003.
  13. Новак А. В., Новак В. Р. Шероховатость пленок аморфного, поликристаллического кремния и поликристаллического кремния с полусферическими зернами // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 19. С. 32–40.
  14. Новак А. В., Новак В. Р. Оценка влияния размеров зонда на параметры морфологии поверхности пленок кремния с полусферическими зернами, получаемые методом атомно-силовой микроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016. № 9. С. 70–80.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. РЭМ-изображения кремниевой иглы кантилевера: а – вид сверху; б – вид сбоку; в – увеличенный фрагмент, показывающий острие иглы

Скачать (17KB)
3. Рис. 2. РЭМ-изображения консолей различных моделей кантилеверов: а – NSG10 / Al / AM; б – NSG01 / Al / AM; в – CSG10 / Al / AM; г – CSG01 / Al / AM

Скачать (24KB)
4. Рис. 3. Типичные амплитудно-частотные характеристики для некоторых моделей кантилеверов: а – NSG01 / Al / AM; б – NSG03 / Al / AM; в – NSG10 / Al / AM; г – NSG30 / Al / AM; д – CSG10 / Al / AM; е – CSG01 / Al / AM; ж – CSG30/Al/AM

5. Рис. 4. РЭМ-изображения HSG-Si-пленки с сильноразвитым рельефом

Скачать (23KB)
6. Рис. 5. Трехмерное АСМ-изображение HSG-Si-пленки размером 500 × 500 нм2

Скачать (15KB)
7. Рис. 6. Топографическое АСМ-изображение HSG-Si-пленки (а) и профиль участка АСМ-изображения между зернами (б)

Скачать (20KB)
8. Рис. 7. АСМ-изображения слоя TiO2, измеренные кантилеверами АО «Ангстрем»: а – топографическое; б – трехмерное

Скачать (38KB)
9. Рис. 8. АСМ-изображения калибровочной решетки TGZ1, измеренные кантилеверами АО «Ангстрем»: а – топографическое; б – трехмерное

Скачать (34KB)
10. Рис. 9. АСМ-изображения калибровочной решетки TGT1, измеренные кантилеверами АО «Ангстрем»: а – топографическое; б – трехмерное

Скачать (31KB)
11. Рис. 10. Топографическое АСМ-изображение (а, в) и распределение силы тока (б, г) для участка микросхемы, полученные при помощи кантилевера CSG10 / Al / AM со слоем золота Au на лицевой стороне кантилевера

Скачать (66KB)

© Новак А., Соколов А., Ковалев В., 2023

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах