Двухзазорный емкостно-нагруженный объемный резонатор для многолучевого клистрона

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Исследованы электродинамические и электронные параметры двухзазорного емкостно-нагруженного резонатора для многолучевого клистрона. Особенностью конструкции резонатора является использование элемента грибовидной формы и дополнительных стержней по периметру. Получены результаты моделирования при различных размерах элементов конструкции резонатора.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

В. Соляник

СГТУ имени Ю. А. Гагарина

Автор, ответственный за переписку.
Email: journal@electronics.ru

аспирант

Россия

А. Мирошниченко

СГТУ имени Ю. А. Гагарина

Email: journal@electronics.ru

д. т. н., доцент

Россия

В. Царев

СГТУ имени Ю. А. Гагарина

Email: journal@electronics.ru

д. т. н., профессор

Россия

Н. Акафьева

СГТУ имени Ю. А. Гагарина

Email: journal@electronics.ru

к. т. н., доцент

Россия

Список литературы

  1. Ding Y. et al. An overview of multibeam klystron technology // IEEE Transactions on Electron Devices. 2023. V. 70. No. 6. PP. 2656–2665.
  2. Галдецкий А. В., Голованов Н. А. Многолучевые клистроны с радиальным расположением лучей // Электроника и микроэлектроника СВЧ: материалы Всерос. науч.-техн. конф. СПб. 2023. С. 4–9.
  3. Kant D. et al. Design studies for a 2 kW (CW) power L/S band multi beam Klystron // 2018 IEEE International Vacuum Electronics Conference (IVEC). IEEE, 2018. PP. 111–112.
  4. Kumar M. et al. Design of a high frequency miniature multi beam klystron (MBK) // 2011 IEEE International Vacuum Electronics Conference (IVEC). IEEE, 2011. PP. 321–322.
  5. Vostrov M. S. Broadband Miniature Multi-Beam Klystron of Two-Centimeter Wavelength Rangewith Bandwidth Not Less Than 300 MHz and Irregularity of Output Power Not More Than 1,5 dB // 2018 International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering (APEDE). IEEE, 2018. PP. 232–236.
  6. Kotov A. S., Gelvich E. A., Zakurdayev A. D. Small-size complex microwave devices (CMD) for onboard applications // IEEE transactions on electron devices. 2007. V. 54. No. 5. PP. 1049–1053.
  7. Smirnov A., Newsham D., Yu D. PBG cavities for single-beam and multi-beam electron devices // Proceedings of the 2003 Particle Accelerator Conference. IEEE, 2003. V. 2. PP. 1153–1155.
  8. Jain P. K. et al. Study of metallic photonic Band Gap cavity for high power microwave devices // 2009 Applied Electromagnetics Conference (AEMC). IEEE, 2009. PP. 1–3.
  9. Turgaliev V. et al. Small-size low-loss bandpass filters on substrate-integrated waveguide capacitively loaded cavities embedded in low temperature co-fired ceramics // J. Ceram. Sci. Technol. 2015. V. 6. No. 4. PP. 305–314.
  10. Tomassoni C. et al. Substrate-integrated waveguide filters based on mushroom-shaped resonators // International Journal of Microwave and Wireless Technologies. 2016. V. 8. No. 4–5. PP. 741–749.
  11. Sirci S., Martínez J. D., Boria V. E. A novel magnetic coupling for miniaturized bandpass filters in embedded coaxial SIW // Applied sciences. 2019. V. 9. No. 3. P. 394.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Конструкция двухзазорного емкостно-нагруженного объемного резонатора. Основные размеры: А = 25 мм, H = 6,5 мм, D = 13 мм, d = 1,4 мм, l = 1,7 мм, a = 0,7 мм, δ = 0,3 мм, ∆ = 3 мм, d1 = 1 мм, hs = 3,45 мм

Скачать (148KB)
3. Рис. 2. Спектральные характеристики резонатора при разных значениях радиуса стержней по периметру: а – π-мода, относительный радиус стержней δ / ∆: 1) 0,13; 2) 0,17; 3) 0,18; 4) 0,2; 5) 0,23; б – π-мода, относительный радиус стержней δ / ∆: 1) 0,27; 2) 0,23; 3) 0,18; 4) 0,17; 5) 0,13; в – 2π-мода, относительный радиус стержней δ / ∆: 1) 0,13; 2) 0,17; 3) 0,18; 4) 0,2; 5) 0,23

Скачать (96KB)
4. Рис. 3. Результаты расчета электродинамических параметров резонатора в зависимости от относительной длины опорного стержня hs / H: a – зависимости частоты; б – зависимости характеристического сопротивления; в – зависимости собственной добротности

Скачать (85KB)
5. Рис. 4. Зависимости частоты, собственной добротности (а) и характеристического сопротивления (б) от относительной длины зазора

Скачать (81KB)
6. Рис. 5. Зависимости коэффициента взаимодействия М и относительной электронной проводимости Ge / G0 от ускоряющего напряжения для трех первых мод резонатора: а – мода № 1; б – мода № 2; в – мода № 3

Скачать (180KB)

© Соляник В., Мирошниченко А., Царев В., Акафьева Н., 2025