Microwave radioelectronics – moving forward. Science and technology conference “RESVCH-2024”. Part 2
- Авторлар: Kishсhinsky A.1, Minnebaev V.1
-
Мекемелер:
- АО «Микроволновые системы»
- Шығарылым: № 3 (2025)
- Беттер: 92-100
- Бөлім: Exhibitions & conferences
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/685659
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2025.244.3.92.100
- ID: 685659
Дәйексөз келтіру
Аннотация
The second part of the article summarizes the materials of sections 3–5 of the conference. The speakers discussed the development and operation of microwave amplifiers for various purposes, multifunctional microwave devices and solid-state electronics products as parts of microwave radioengineering complexes.
Негізгі сөздер
Толық мәтін

Авторлар туралы
A. Kishсhinsky
АО «Микроволновые системы»
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ak@mwsystems.ru
заместитель генерального директора – главный конструктор
РесейV. Minnebaev
АО «Микроволновые системы»
Email: vm@mwsystems.ru
заместитель генерального директора по развитию ЭКБ
РесейӘдебиет тізімі
- Адонин А. С., Аврасин Э. Т., Евграфов А. Ю., Миннебаев В. М. и др. Исследование влияния дозы гамма-излучения на параметры СВЧ МИС переключателя на AlGaN/GaN гетероструктурах и контактами с емкостной связью // Материалы ХIV Всероссийской научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». г. Москва. 7–9 октября 2015 г. С. 319–321.
- Иовдальский В. А., Ганюшкина Н. В., Марин В. П. Новый принцип суммирования мощности ПТШ в усилителях СВЧ-диапазона // М.: КУРС, 2023. 144 с.
- Кищинский А. А., Ширяев Д. А., Кондратенко А. В. и др. Универсальный приемопередающий канал Х-диапазона на основе СВЧ МИС собственной разработки // Наноиндустрия, 2024. Т. 17 (128). № 10S. С. 339–345. doi: 10.22184/1993-8578.2024.17.10s.339.345.
- Веб-ресурс: https://www.mwsystems.ru/goods/import-substitution.html.
- Баринов Д. А. Цифровые синтезаторы прямого синтеза с расширением диапазона перестройки выходной частоты // СВЧ Электроника, 2019. № 3. С. 60–64.
Қосымша файлдар
Қосымша файлдар
Әрекет
1.
JATS XML
2.
Fig. 10. Transistor assembly UM-2731-200/6 with ROUT = 210–250 W at gain > 12 dB in the frequency range ΔF = 2.7–3.1 GHz
Жүктеу (514KB)
3.
Fig. 11. Power amplifier with load modulation by a controlled component in the output matching circuit
Жүктеу (274KB)
Жүктеу (317KB)
Жүктеу (236KB)
Жүктеу (248KB)
