Microwave radioelectronics – moving forward. Science and technology conference “RESVCH-2024”. Part 2
- Autores: Kishсhinsky A.1, Minnebaev V.1
-
Afiliações:
- АО «Микроволновые системы»
- Edição: Nº 3 (2025)
- Páginas: 92-100
- Seção: Exhibitions & conferences
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/685659
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2025.244.3.92.100
- ID: 685659
Citar
Texto integral



Resumo
The second part of the article summarizes the materials of sections 3–5 of the conference. The speakers discussed the development and operation of microwave amplifiers for various purposes, multifunctional microwave devices and solid-state electronics products as parts of microwave radioengineering complexes.
Palavras-chave
Texto integral

Sobre autores
A. Kishсhinsky
АО «Микроволновые системы»
Autor responsável pela correspondência
Email: ak@mwsystems.ru
заместитель генерального директора – главный конструктор
RússiaV. Minnebaev
АО «Микроволновые системы»
Email: vm@mwsystems.ru
заместитель генерального директора по развитию ЭКБ
RússiaBibliografia
- Адонин А. С., Аврасин Э. Т., Евграфов А. Ю., Миннебаев В. М. и др. Исследование влияния дозы гамма-излучения на параметры СВЧ МИС переключателя на AlGaN/GaN гетероструктурах и контактами с емкостной связью // Материалы ХIV Всероссийской научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». г. Москва. 7–9 октября 2015 г. С. 319–321.
- Иовдальский В. А., Ганюшкина Н. В., Марин В. П. Новый принцип суммирования мощности ПТШ в усилителях СВЧ-диапазона // М.: КУРС, 2023. 144 с.
- Кищинский А. А., Ширяев Д. А., Кондратенко А. В. и др. Универсальный приемопередающий канал Х-диапазона на основе СВЧ МИС собственной разработки // Наноиндустрия, 2024. Т. 17 (128). № 10S. С. 339–345. doi: 10.22184/1993-8578.2024.17.10s.339.345.
- Веб-ресурс: https://www.mwsystems.ru/goods/import-substitution.html.
- Баринов Д. А. Цифровые синтезаторы прямого синтеза с расширением диапазона перестройки выходной частоты // СВЧ Электроника, 2019. № 3. С. 60–64.
Arquivos suplementares
Arquivos suplementares
Ação
1.
JATS XML
2.
Fig. 10. Transistor assembly UM-2731-200/6 with ROUT = 210–250 W at gain > 12 dB in the frequency range ΔF = 2.7–3.1 GHz
Baixar (514KB)
3.
Fig. 11. Power amplifier with load modulation by a controlled component in the output matching circuit
Baixar (274KB)
Baixar (317KB)
Baixar (236KB)
Baixar (248KB)
