Информация об авторе
Alekseev, R.
| Выпуск | Раздел | Название | Файл |
| № 2 (2023) | Электронная компонентная база | LDMOS: новые разработки АО «НИИЭТ» | |
| № 2 (2025) | Надежность и испытания | Моделирование депассивации границы раздела Si–SiO2 в структуре LDMOS-транзистора с применением САПР Sentaurus TCAD |