Electrolytic anodizing of silicon, silicon carbide and silicon nitride for nanotechnology purposes (review)

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

The article presents the analysis of technologies for the formation of nanometer anodic oxide films by the method of electrolytic anodization of silicon, silicon carbide and silicon nitride. Examples of the use of such technologies in microand nanoelectronics are given.

Full Text

Restricted Access

About the authors

A. Makharinets

Author for correspondence.
Email: mav1creator@mail.ru

Индивидуальный предприниматель, программист

Russian Federation

L. Mileshko

НКБ «МИУС» ЮФУ

Email: mileshko.leon@yandex.ru

д. т. н., академик РАЕ, инженер

Russian Federation

References

  1. Милешко Л. П. Электроника анодных оксидных пленок кремния и его соединений, формируемых в легирующих электролитах: монография / 3 изд., перераб. и доп. Ростов н / Д; Таганрог: Издательство Южного федерального университета, 2019. 213 с.
  2. Милешко Л. П. Общая теория анодного окисления кремния и его соединений (аналитический обзор) // Физика и химия обработки материалов. 2021. № 4. С. 15–24.
  3. Бредихин И. С., Милешко Л. П., Сеченов Д. А., Харин А. Н., Чистяков Ю. Д. Диффузия фосфора в кремний из оксидной пленки, сформированной электролитическим анодированием // В сб.: Активируемые процессы технологии микроэлектроники. Межвузовский тематический научный сборник. Таганрогский радиотехнический институт им. В. Д. Калмыкова. Таганрог, 1976. С. 110–116.
  4. Бредихин И. С., Волкова Т. А., Милешко Л. П., Палиенко А. Н., Чистяков Ю. Д. Применение анодных окисных пленок, легированных фосфором, для изготовления МОП-транзисторов // В сб.: Активируемые процессы технологии микроэлектроники. Межвузовский тематический научный сборник. Таганрогский радиотехнический институт им. В. Д. Калмыкова. Таганрог, 1976. С. 206–209.
  5. Благих В. П. Распределение концентрации легирующего элемента в анодном окисле SiO2 // В сб.: Твердотельная электроника. Воронеж: ВГУ, 1973. С. 33–36.
  6. Милешко Л. П. Анодное электролитическое легирование термических оксидных пленок // Физика и химия обработки материалов. 2002. № 6. С. 55–59.
  7. Милешко Л. П., Авдеев С. П. Реанодирование анодных оксидных пленок в легирующих электролитах // Физика и химия обработки материалов. 2004. № 4. С. 61–63.
  8. Милешко Л. П. Анодное окисление кремния и нитрида кремния для целей нанотехнологии // В сб.: Современные электрохимические технологии и оборудование. Материалы Международной научно-технической конференции. Минск, 2021. С. 293–295.
  9. Махаринец А. В. Анодное окисление карбида кремния в нитратно-фосфатных и нитратно-боратных электролитах на основе этиленгликоля // Естественные науки. 2014. № 3 (48). С. 119–126.
  10. Милешко Л. П., Варзарев Ю. Н. Анодное окисление пленок Si3N4 на кремнии в боратных и фосфатных электролитах на основе этиленгликоля // Физика и химия обработки материалов. 2002. № 3. С. 38–44.
  11. Махаринец А. В., Милешко Л. П., Варзарев Ю. Н. Особенности кинетики и механизмов анодирования наноструктур Si3N4–Si в легирующих электролитах // В сб.: Модернизация современной науки: новые реалии и проблемы современных исследований в России и мире. Материалы конференции, 2015. С. 45–49.
  12. Милешко Л. П. Применение легированных анодных оксидных пленок в технологии кремниевых приборов и интегральных микросхем // Электронная промышленность. 2004. № 4. С. 160–161.
  13. Милешко Л. П., Камышева А. С., Золотухина Н. А. Оценка степени обеспечения экологической безопасности технологических процессов анодного окисления алюминия и его сплавов // Экология и промышленность России. 2018. Т. 22, № 4. С. 58–59.
  14. Милашич В. А., Милешко Л. П. Перспективы экологической модернизации технологических процессов анодного окисления кремния и его соединений // В сб.: Инновационные материалы и технологии – 2020. Материалы Международной научно-технической конференции молодых ученых. Белорусский государственный технологический университет. Минск, 2020. С. 436–439.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML

Copyright (c) 2023 Makharinets A., Mileshko L.

This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies