Power Supply System Electronic Components for GaN Microwave Power Amplifiers

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

The article presents the analytical review of foreign-made and homemade electronic components used in the design of GaN microwave power amplifier power supply systems.

Full Text

Restricted Access

About the authors

E. Savchenko

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Author for correspondence.
Email: savchenko@icvao.ru

президент компании

Russian Federation

A. Martynov

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Email: martynov@icvao.ru

ведущий инженер

Russian Federation

A. Pershin

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Email: pad@icvao.ru

начальник центра проектирования

Russian Federation

M. Selivanov

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Email: smv@icvao.ru

руководитель продуктового направления

Russian Federation

References

  1. Савченко Е. М., Першин А. Д., Будяков А. С, Фондеркин К. И. Результаты разработки СВЧ МИС усилителей малой и средней мощности. – Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции. Москва, 24–25 октября 2013 года. М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013.
  2. Савченко Е., Мартынов А., Першин А., Селиванов М. Основные подходы к построению схем управления питанием GaN СВЧ-усилителей мощности // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2024. №9. С. 96.
  3. Савченко Е., Першин А., Гладких М., Селиванов М. Применение измерительных СВЧ-усилителей средней и большой мощности для исследования параметров GaN монолитных интегральных схем // СВЧ-электроника. 2022. № 1(20). С. 52–56
  4. Савченко Е. М., Першин А. Д., Кузьмин А.Ю. СВЧ МИС широкополосных усилителей как универсальные компоненты современной радиоэлектронной аппаратуры. // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. 2020. Т. 3. № 1. С. 75–97.
  5. Барсегян А., Кояма Д., Уокер Д., Тангем В. Авторизированный перевод Дидилев С. Особенности применения мощных GaN СВЧ-транзисторов в авионике и радарных системах // СВЧ электроника. 2016. №1.
  6. Alt A., Hirshy H., Jiang S. et al. Analysis of gain variation with changing supply voltages in GaN HEMTs for envelope tracking power amplifiers // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2019. V. 67. Issue 7. PP. 2495–2504.
  7. Nikandish R. GaN Integrated Circuit Power Amplifiers: Developments and Prospects // IEEE Journal of Microwaves. 2023. V. 3. Issue 1. PP. 441–452.
  8. Martinez-Garcia H., Turkson R., Silva-Martinez J. Supply modulator for linear wideband RF power amplifiers // Jornades de Recerca EUETIB, 2013. PP. 65–73.
  9. Дьяконов В. Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор // Силовая электроника. 2011. № 3. С. 18–28.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
2. Fig. 1. Comparison of linear voltage stabilizer ICs in terms of Upit and Ivv

Download (80KB)
3. Fig. 2. Comparison of DC/DC converter ICs in terms of Uv and f operation.

Download (64KB)
4. Fig. 3. Comparison of DUT ICs in terms of U input and Kvl.i.p.

Download (77KB)
5. Fig. 4. Comparison of parameters of UI and OP drivers

Download (114KB)
6. Fig. 5. Transient oscillograms for n-channel MOSFETs in PQFN and TO-263 packages: a - front; b - decline

Download (55KB)

Copyright (c) 2025 Savchenko E., Martynov A., Pershin A., Selivanov M.