Отправить статью по E-mail ЭКБ систем питания GaN CВЧ-усилителей мощности
- Авторы: Савченко Е.1, Мартынов А.1, Першин А.1, Селиванов М.1
-
Учреждения:
- ООО «ИнноЦентр ВАО»
- Выпуск: № 4 (2025)
- Страницы: 44-48
- Раздел: СВЧ-электроника
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/684407
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2025.245.4.44.48
- ID: 684407
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Представлен аналитический обзор электронной компонентной базы (ЭКБ) иностранного и отечественного производства, используемой при построении систем питания GaN CВЧ-усилителей мощности.
Ключевые слова
Полный текст
Об авторах
Е. Савченко
ООО «ИнноЦентр ВАО»
Автор, ответственный за переписку.
Email: savchenko@icvao.ru
президент компании
РоссияА. Мартынов
ООО «ИнноЦентр ВАО»
Email: martynov@icvao.ru
ведущий инженер
РоссияА. Першин
ООО «ИнноЦентр ВАО»
Email: pad@icvao.ru
начальник центра проектирования
РоссияМ. Селиванов
ООО «ИнноЦентр ВАО»
Email: smv@icvao.ru
руководитель продуктового направления
РоссияСписок литературы
- Савченко Е. М., Першин А. Д., Будяков А. С, Фондеркин К. И. Результаты разработки СВЧ МИС усилителей малой и средней мощности. – Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции. Москва, 24–25 октября 2013 года. М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013.
- Савченко Е., Мартынов А., Першин А., Селиванов М. Основные подходы к построению схем управления питанием GaN СВЧ-усилителей мощности // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2024. №9. С. 96.
- Савченко Е., Першин А., Гладких М., Селиванов М. Применение измерительных СВЧ-усилителей средней и большой мощности для исследования параметров GaN монолитных интегральных схем // СВЧ-электроника. 2022. № 1(20). С. 52–56
- Савченко Е. М., Першин А. Д., Кузьмин А.Ю. СВЧ МИС широкополосных усилителей как универсальные компоненты современной радиоэлектронной аппаратуры. // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. 2020. Т. 3. № 1. С. 75–97.
- Барсегян А., Кояма Д., Уокер Д., Тангем В. Авторизированный перевод Дидилев С. Особенности применения мощных GaN СВЧ-транзисторов в авионике и радарных системах // СВЧ электроника. 2016. №1.
- Alt A., Hirshy H., Jiang S. et al. Analysis of gain variation with changing supply voltages in GaN HEMTs for envelope tracking power amplifiers // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2019. V. 67. Issue 7. PP. 2495–2504.
- Nikandish R. GaN Integrated Circuit Power Amplifiers: Developments and Prospects // IEEE Journal of Microwaves. 2023. V. 3. Issue 1. PP. 441–452.
- Martinez-Garcia H., Turkson R., Silva-Martinez J. Supply modulator for linear wideband RF power amplifiers // Jornades de Recerca EUETIB, 2013. PP. 65–73.
- Дьяконов В. Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор // Силовая электроника. 2011. № 3. С. 18–28.
Дополнительные файлы
