Power Supply System Electronic Components for GaN Microwave Power Amplifiers

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

The article presents the analytical review of foreign-made and homemade electronic components used in the design of GaN microwave power amplifier power supply systems.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

E. Savchenko

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: savchenko@icvao.ru

президент компании

Ресей

A. Martynov

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Email: martynov@icvao.ru

ведущий инженер

Ресей

A. Pershin

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Email: pad@icvao.ru

начальник центра проектирования

Ресей

M. Selivanov

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Email: smv@icvao.ru

руководитель продуктового направления

Ресей

Әдебиет тізімі

  1. Савченко Е. М., Першин А. Д., Будяков А. С, Фондеркин К. И. Результаты разработки СВЧ МИС усилителей малой и средней мощности. – Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции. Москва, 24–25 октября 2013 года. М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013.
  2. Савченко Е., Мартынов А., Першин А., Селиванов М. Основные подходы к построению схем управления питанием GaN СВЧ-усилителей мощности // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2024. №9. С. 96.
  3. Савченко Е., Першин А., Гладких М., Селиванов М. Применение измерительных СВЧ-усилителей средней и большой мощности для исследования параметров GaN монолитных интегральных схем // СВЧ-электроника. 2022. № 1(20). С. 52–56
  4. Савченко Е. М., Першин А. Д., Кузьмин А.Ю. СВЧ МИС широкополосных усилителей как универсальные компоненты современной радиоэлектронной аппаратуры. // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. 2020. Т. 3. № 1. С. 75–97.
  5. Барсегян А., Кояма Д., Уокер Д., Тангем В. Авторизированный перевод Дидилев С. Особенности применения мощных GaN СВЧ-транзисторов в авионике и радарных системах // СВЧ электроника. 2016. №1.
  6. Alt A., Hirshy H., Jiang S. et al. Analysis of gain variation with changing supply voltages in GaN HEMTs for envelope tracking power amplifiers // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2019. V. 67. Issue 7. PP. 2495–2504.
  7. Nikandish R. GaN Integrated Circuit Power Amplifiers: Developments and Prospects // IEEE Journal of Microwaves. 2023. V. 3. Issue 1. PP. 441–452.
  8. Martinez-Garcia H., Turkson R., Silva-Martinez J. Supply modulator for linear wideband RF power amplifiers // Jornades de Recerca EUETIB, 2013. PP. 65–73.
  9. Дьяконов В. Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор // Силовая электроника. 2011. № 3. С. 18–28.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
2. Fig. 1. Comparison of linear voltage stabilizer ICs in terms of Upit and Ivv

Жүктеу (80KB)
3. Fig. 2. Comparison of DC/DC converter ICs in terms of Uv and f operation.

Жүктеу (64KB)
4. Fig. 3. Comparison of DUT ICs in terms of U input and Kvl.i.p.

Жүктеу (77KB)
5. Fig. 4. Comparison of parameters of UI and OP drivers

Жүктеу (114KB)
6. Fig. 5. Transient oscillograms for n-channel MOSFETs in PQFN and TO-263 packages: a - front; b - decline

Жүктеу (55KB)

© Savchenko E., Martynov A., Pershin A., Selivanov M., 2025