A device for dynamic monitoring of the main functional characteristics of self-propagating high-temperature synthesis occurring in multilayer thin-film structures

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

A device has been developed that allows for dynamic determination of the main functional characteristics of the self-propagating high-temperature synthesis occurring in multilayer thin-film structures. The article presents a block diagram and describes the device’s design.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

K. Volkov

Поволжский государственный технологический университет

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: kirill_volkov_101@bk.ru

аспирант

Ресей, Йошкар-Ола

Әдебиет тізімі

  1. Белянин А. Ф., Налимов С. А., Борисов В. В., [и др.]. Влияние отжига на строение пленок ZnO, выращенных магнетронным распылением // Вакуумная наука и техника: Материалы XXV научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов, Крым, Судак, 16–22 сентября 2018 года / Под ред. С. Б. Нестерова. М.: Новелла, 2018. С. 170–176.
  2. Шашин Д. Е. Разработка математической модели формирования тонких пленок оксида цинка с заданными значениями комплексной диэлектрической проницаемости // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Серия: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2018. № 4(40). С. 74–81. doi: 10.15350/2306-2819.2018.4.74.
  3. Shashin D. E., Sushentsov N. I. Obtaining thin metal films and their compounds using magnetron sputtering and arc evaporation in a single technological cycle // Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2059. No. 1. P. 012022. doi: 10.1088/1742-6596/2059/1/012022.
  4. Indium Corporation [Электронный ресурс]. URL: www.Indium.com. (дата обращения 04.05.2025).
  5. Волков К. А. Комплексный метод контроля основных функциональных характеристик реакции самораспространяющегося высокотемпературного синтеза при протекании в многослойных тонкопленочных структу- рах // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Сер.: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2025. № 1 (65). С. 83–97. DOI: https://doi.org/10.25686/2306-2819.2025.1.83; EDN: ZRMHTA.
  6. L-7113P3C (L-53P3C). Datasheet – production data [Электронный ресурс]. URL: https://www.kingbright.com/attachments/file/psearch/000/00/00/L-7113P3C(Ver.18).pdf (дата обращения 08.05.2025).

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. Model of a device for implementing a comprehensive method for monitoring the main functional characteristics of the SHS reaction: 1 - contacts for supplying an activation pulse for the SHS reaction and for measuring the voltage drop across the sample, 2 - a capacitor charged to the minimum required activation energy, 3 - optical sensors, 4 - temperature sensors, 5 - channels for recording the reaction front, 6 - copper plates, 7 - foil sample, 8 - thermal insulation

Жүктеу (157KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Structural diagram of the device for monitoring the main functional characteristics of the SHS reaction in multilayer thin films

Жүктеу (241KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. Device for dynamic control of the main functional characteristics of the SHS reaction (open view): 1 - body parts, 2 - contacts for supplying and removing the activation energy pulse, 3 - upper copper plate with a temperature sensor (not shown) for heat transfer from the sample, 4 - thermal insulation, 5 - electronic control board, 6 - connector for communication with a PC, 7 - power connector

Жүктеу (96KB)
Метадеректер

© Volkov K., 2025